Integrated Photonic Device Group

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Journal Papers

  1. 1.Motoki Yako, Naoki Higashitarumizu, and Yasuhiko Ishikawa: “Impact of interface recombination on direct-gap photoluminescence from Ge epitaxial layers on Si”, Jpn. J. Appl. Phys. 58, SBBE08 (2019).

  2. 2.Donghwan Ahn, Yasuhiko Ishikawa, Kazumi Wada, Motoki Yako, and Chan-Hyuck Park, “High Concentration Phosphorous Doping in Ge for CMOS-Integrated Laser Applications”, Solid State Electronics 154, pp. 43-49 (2019).

  3. 3.Abdelrahman Z. Al-Attili, Daniel Burt, Zuo Li, Naoki Higashitarumizu, Frederic Y. Gardes, Katsuya Oda, Yasuhiko Ishikawa, and Shinichi Saito, “Vertically light-emitting Ge micro-gears generating orbital angular momentum”, Optics Express 26 (26), pp. 34675 - 34688 (2018).

  4. 4.Chan-Hyuck Park, Han Pan, Yasuhiko Ishikawa, Kazumi Wada, and Donghwan Ahn, “N-type Doping of Germanium Epilayer on Silicon by Ex-situ Phosphorus Diffusion based on POCl3 Phosphosilicate Glass”, Thin Solid Films 662, pp. 1-5 (2018).

  5. 5.M. Yako, Y. Ishikawa, E. Abe, and K. Wada: “Defects and their reduction in Ge selective epitaxy and coalescence layer on Si with semicylindrical voids on SiO2 masks”, IEEE Journal of Selected Topics on Quantum Electronics 24 (6), 8201007 (2018).

  6. 6.Motoki Yako, Yasuhiko Ishikawa, and Kazumi Wada: “Coalescence Induced Dislocation Reduction in Selectively Grown Lattice-Mismatched Heteroepitaxy: Theoretical Prediction and Experimental Verification”, Journal of Applied Physics 123, 185304 (2018).

  7. 7.Sho Nagatomo, Yasuhiko Ishikawa, and Satohiko Hoshino: “Near-infrared laser annealing of Ge layers epitaxially grown on Si for high-performance photonic devices”, Journal of Vacuum Science and Technology B 35 (5), 051206 (2017).

  8. 8.Daniel Burt, Abdelrahman Al-Attili, Zuo Li, Frederic Gardes, Moise Sotto, Naoki Higashitarumizu, Yasuhiko Ishikawa, Katsuya Oda, Osvaldo M. Querin, Shinichi Saito, and Robert Kelsall: “Enhanced light emission from improved homogeneity in biaxially suspended Germanium membranes from curvature optimization”, Optics Express 25 (19), pp. 22911 - 22922 (2017).

  9. 9.Naoki Higashitarumizu and Yasuhiko Ishikawa: “Enhanced direct-gap light emission from Si-capped n+-Ge epitaxial layers on Si after post-growth rapid cyclic annealing: impact of non-radiative interface recombination toward Ge/Si double heterostructure lasers”, Optics Express 25 (18), pp. 21286 - 21300  (2017); “erratum”, Optics Express 26 (18), pp. 23796 - 23797 (2018).

  10. 10.[Invited Article] Ziyi Zhang, Motoki Yako, Kan Ju, Naoyuki Kawai, Papichaya Chaisakul, Tai Tsuchizawa, Makoto Hikita, Koji Yamada, Yasuhiko Ishikawa, and Kazumi Wada: “A New Material Platform of Si Photonics for Implementing Architecture of Dense Wavelength Division Multiplexing on Si Bulk Wafer”, Sci. Technol. Adv. Mater. 18 (1), pp. 283 - 293 (2017).

  11. 11.Kazuki Ito, Tatsurou Hiraki, Tai Tsuchizawa, and Yasuhiko Ishikawa: “Waveguide-Integrated Vertical pin Photodiodes of Ge Fabricated on p+ and n+ Si-on-Insulator Layers”, Jpn. J. Appl. Phys. 56, 04CH05 (2017).

  12. 12.Masashi Hirase, Luan M. Nguyen, Yasuhiko Ishikawa, Kazumi Wada: “Dynamic tuning of transmission wavelength of MEMS-based Ge waveguides on a Si beam”, Photonics 3 (2, Special Issue "3D- and 2D-Nanofabrication for Photonic Devices"), 14 (2016).

  13. 13.[Review Paper] Shinichi Saito, Abdelrahman Zaher Al-Attili, Katsuya Oda and Yasuhiko Ishikawa: “Germanium Light Sources Towards Monolithic Integration in Silicon Chips”, Semicond. Sci. and Technol. 31, 043002 (2016).

  14. 14.Yuji Miyasaka, Tatsurou Hiraki, Kota Okazaki, Kotaro Takeda, Tai Tsuchizawa, Koji Yamada, Kazumi Wada, and Yasuhiko Ishikawa: “Ge/graded-SiGe multiplication layers for low-voltage and low-noise Ge avalanche photodiodes on Si”, Jpn. J. Appl. Phys. 55, 04EH10 (2016).

  15. 15.L. M. Nguyen, R. Kuroyanagi, T. Tsuchizawa, Y. Ishikawa, K. Yamada, and K. Wada: “Stress tuning of the fundamental absorption edge of pure germanium waveguides ”, Opt. Express 23 (14), pp. 18487 -18492 (2015).

  16. 16.Abdelrahman Zaher Al-Attili, Satoshi Kako, Muhammad Husain, Frederic Gardes, Naoki Higashitarumizu, Satoshi Iwamoto, Yasuhiko Arakawa, Yasuhiko Ishikawa, Hideo Arimoto, Katsuya Oda, Tatemi Ido, and Shinichi Saito: “Whispering Gallery Mode Resonances from Ge Micro-Disks on Suspended Beams”, Frontiers in Materials 2, 43 (2015).

  17. 17.Abdelrahman Z. Al-Attili, Satoshi Kako, Muhammad K. Husain, Frederic Y. Gardes, Hideo Arimoto, Naoki Higashitarumizu, Satoshi Iwamoto, Yasuhiko Arakawa, Yasuhiko Ishikawa, and Shinichi Saito: “Spin-on Doping to Germanium-on-Insulator Wafers for Monolithic Light Sources on Silicon”, Jpn. J. Appl. Phys. 54, 052101 (2015).

  18. 18.[Review Paper] Yasuhiko Ishikawa and Shinichi Saito: “Ge-on-Si photonic devices for photonic-electronic integration on a Si platform”, IEICE Electron. Express 11 (24), 20142008 (2014).

  19. 19.[Review Paper] S. Saito, F. Gardes, A. Z. AlAttili, K. Tani, K. Oda, Y. Suwa, T. Ido, Y. Ishikawa, S. Kako, S. Iwamoto, and Y. Arakawa: “Group IV Light Source for Photonics and Electronics Convergence”, Frontiers in Materials 1, 15 (2014).

  20. 20.[Review Paper] Koji Yamada, Tai Tsuchizawa, Hidetaka Nishi, Rai Kou, Tatsurou Hiraki, Kotaro Takeda, Hiroshi Fukuda, Yasuhiko Ishikawa, Kazumi Wada, and Tsuyoshi Yamamoto: “High-performance silicon photonics technology for telecommunication applications”, Sci. Technol. Adv. Mater. 15, 024603 (2014).

  21. 21.Kakuro Hirai, Takahiro Araki, Jingnan Cai, Katsuyoshi Hayashi, Tsutomu Horiuchi, Yuzuru Iwasaki, Yuko Ueno, Emi Tamechika, Kazumi Wada, and Yasuhiko Ishikawa: “Air-Band Optical Resonators in One-Dimensional Si Photonic Crystal Waveguides for Biosensing Applications”, Jpn. J. Appl. Phys. 53, 04EG09 (2014).

  22. 22.Kotaro Takeda, Tatsuro Hiraki, Tai Tsuchizawa, Hidetaka Nishi, Rai Kou, Hiroshi Fukuda, Tsuyoshi Yamamoto, Yasuhiko Ishikawa, Kazumi Wada and Koji Yamada: “Contributions of Franz-Keldysh and avalanche effects to responsivity of a germanium waveguide photodiode in the L-band”, IEEE J. Selected Topics on Quantum Electron. 20 (4), 3800507 (2014).

  23. 23.R. Kuroyanagi, L. M. Nguyen, T. Tsuchizawa, Y. Ishikawa, K. Yamada, and K. Wada: “Local bandgap control of germanium by silicon nitride stressor”, Opt. Express 21 (15), 18553 - 18557 (2013).

  24. 24.Tatsurou Hiraki, Hidetaka Nishi, Tai Tsuchizawa, Rai Kou, Hiroshi Fukuda, Kotaro Takeda, Yasuhiko Ishikawa, Kazumi Wada, and Koji Yamada: “Si-Ge-silica monolithic integration platform and its application to a 22-Gb/s x 16-ch WDM receiver”, IEEE Photon. J. 5 (4), 4500407 (2013).

  25. 25.Jingnan Cai, Yasuhiko Ishikawa, and Kazumi Wada: “Strain induced bandgap and refractive index variation of silicon”, Opt. Express. 21 (6), 7162 - 7170 (2013).

  26. 26.Peng Huei Lim, Jingnan Cai, Yasuhiko Ishikawa, and Kazumi Wada: “A Laterally Coupled Silicon-Germanium Modulator for Passive Waveguide Systems”, Opt. Lett. 37 (9), 1496 - 1498 (2012).

  27. 27.Hidetaka Nishi, Tai Tsuchizawa, Rai Kou, Hiroyuki Shinojima, Takashi Yamada, Hideaki Kimura, Yasuhiko Ishikawa, Kazumi Wada, and Koji Yamada: “Monolithic integration of a silica AWG and germanium photodiodes on silicon photonic platform for one-chip WDM receiver”, Opt. Express 20 (8), 9312 - 9321 (2012).

  28. 28.Shiyun Lin, Yasuhiko Ishikawa and Kazumi Wada: “Demonstration of optical computing logics based on binary decision diagram”, Opt. Express 20 (2), pp. 1378 - 1384 (2012).

  29. 29.Yu Horie, Laurent Décosterd, Ryota Suzuki, Yasuhiko Ishikawa and Kazumi Wada: “Emission wavelength tuning by mechanical stressing of GaAs/Ge/Si microbeams”, Opt. Express 19 (17), pp.15732 - 15738 (2011).

  30. 30.R. Kou, K. Yamada, T. Tsuchizawa, T. Watanabe, S. Park, H. Nishi, H. Shinojima, Y. Ishikawa, K. Wada and S. Itabashi: “Fast-response, wide-dynamic range optical equalization based on a silicon photonic platform”, Electron. Lett. 46 (25), pp. 1683 - 1685 (2010).

  31. 31.Kohei Yoshimoto, Ryota Suzuki, Yasuhiko Ishikawa, and Kazumi Wada: “Bandgap control using strained beam structures for Si photonic devices”, Optics Express 18 (25), pp. 26492 - 26498 (2010).

  32. 32.Jingnan Cai, Peng Huei Lim, Yasuhiko Ishikawa, and Kazumi Wada: “Silicon Waveguide Sidewall Smoothing by Resist Reflowing”, J. Nonlinear Opt. Phys. Mater. 19 (4), pp. 801 - 809 (2010).

  33. 33.Peng Huei Lim, Jingnan Cai, Yasuhiko Ishikawa, and Kazumi Wada: “C-Band Electromodulation in Silicon-Germanium Ring and Linear Devices”, Appl. Phys. Lett. 97 (13), pp. 131115-1 - 131115-3 (2010).

  34. 34.[Invited paper] Yasuhiko Ishikawa and Kazumi Wada: “Near-Infrared Ge Photodiodes for Si Photonics: Operation Frequency and An Approach for the Future”, IEEE Photonics Journal 2 (3), pp. 306 - 320 (2010).

  35. 35.Sungbong Park, Tai Tsuchizawa, Toshifumi Watanabe, Hiroyuki Shinojima, Hidetaka Nishi, Koji Yamada, Yasuhiko Ishikawa, Kazumi Wada, and Seiichi Itabashi: “Monolithic integration and synchronous operation of germanium photodetectors and silicon variable optical attenuators”, Optics Express 18 (8), pp. 8412 - 8421 (2010).

  36. 36.Yasuhiko Ishikawa and Kazumi Wada: “Germanium for silicon photonics”, Thin Solid Films 518 (6), Suppl. 1, pp. S83 - S87 (2010).

  37. 37.Akihiro Yanai, Ryuzo Ichikawa, Yasuhiko Ishikawa and Kazumi Wada: “A New Approach Using Backside Scatterers for Efficiency Enhancement in Thin Si Solar Cells”, Jpn. J. Appl. Phys. 49, pp. 04DP03-1 - 04DP03-4 (2010).

  38. 38.Yoichi Takada, Jiro Osaka, Yasuhiko Ishikawa and Kazumi Wada: “Effect of Mesa Shape on Threading Dislocation Density in Ge Epitaxial Layers on Si after Post-Growth Annealing”, Jpn. J. Appl. Phys. 49, pp. 04DG23-1 - 04DG23-4 (2010).

  39. 39.Peng Huei Lim, Sungbong Park, Yasuhiko Ishikawa, Kazumi Wada: “Enhanced direct bandgap emission in germanium by micromechanical strain engineering”, Opt. Express 17 (18), pp. 16358 - 16365 (2009) [also in Virtual Journal for Biomedical Optics 4 (10), Novel Light Sources, Optics, and Detectors (2009)].

  40. 40.[Invited paper] Kazumi Wada, Sungbong Park, and Yasuhiko Ishikawa: “Si Photonics and Fiber to the Home”, Proc. IEEE 97 (7), pp. 1329 - 1339 (2009).

  41. 41.Sungbong Park, Yasuhiko Ishikawa, Kazumi Wada, Yoshiyuki Tsusaka, and Junji Matsui: “Strain and absorption coefficient of finite Ge structures on Si”, Jpn. J. Appl. Phys. 48, pp. 064501-1 - 064501-6 (2009).

  42. 42.[Invited paper] Sungbong Park, Sinya Takita, Yasuhiko Ishikawa, Jiro Osaka, and Kazumi Wada: “Reverse current reduction of Ge photodiodes on Si without post-growth annealing”, Chinese Opt. Lett. 7 (4), pp. 286 - 290 (2009).

  43. 43.Peng Huei Lim, Yosuke Kobayashi, Shinya Takita, Yasuhiko Ishikawa, and Kazumi Wada: “Enhanced photoluminescence from germanium-based resonators”, Appl. Phys. Lett. 93 (4), pp. 041103-1 - 041103-3 (2008).

  44. 44.Sungbong Park, Yasuhiko Ishikawa, Tai Tsuchizawa, Toshifumi Watanabe, Koji Yamada, Seiichi Itabashi and Kazumi Wada: “Effect of post-growth annealing on morphology of Ge mesa selectively grown on Si”, IEICE Trans. Electron. E91-C (2), pp. 181 - 186 (2008).

  45. 45.Shiyun Lin, Yosuke Kobayashi, Yasuhiko Ishikawa, and Kazumi Wada: “Luminescence enhancement by Si ring resonator structures on silicon on insulator”, Appl. Phys. Lett. 92 (2), pp. 021113-1 - 0021113-3 (2008).

  46. 46.Zainal A. Burhanudin, Ratno Nuryadi, Yasuhiko Ishikawa, Michiharu Tabe: “Transition from wire formation to island formation in thermal agglomeration of a (111) silicon-on-insulator layer”, Thin Solid Films 508 (1-2), pp. 235 - 238 (2006).

  47. 47.Daniel Moraru, Hiroshi Kato, Seiji Horiguchi, Yasuhiko Ishikawa, Hiroya Ikeda, and Michiharu Tabe: “Fowler-Nordheim current oscillations in Si(111)/SiO2/twisted-Si(111) tunneling structures”, Jpn. J. Appl. Phys. 45 (11), pp. L316 - L318 (2006).

  48. 48.Yasuhiko Ishikawa, Chihiro Yamamoto, and Michiharu Tabe: “Single-electron tunneling in a silicon-on-insulator layer embedding an artificial dislocation network”, Appl. Phys. Lett. 88 (7), pp. 073112-1 - 073112-3 (2006) [also in Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology 13 (9), ELECTRONIC STRUCTURE AND TRANSPORT (2006)].

  49. 49.Ratno Nuryadi, Yasuhiko Ishikawa, and Michiharu Tabe: “Single-photon-induced random-telegraph-signal in a two-dimensional multiple-tunnel-junction array”, Phys. Rev. B 73 (4), pp. 045310-1 - 045310-7 (2006).

  50. 50.Zainal A. Burhanudin, Ratno Nuryadi, Yasuhiko Ishikawa, Michiharu Tabe, and Yukinori Ono: “Thermally-induced formation of Si wire array on an ultrathin (111) silicon-on-insulator substrate”, Appl. Phys. Lett. 87 (12), pp.121905-1 - 121905-3 (2005) [also in Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology 12 (13), ADVANCS IN FABRICATION AND PROCESSING (2005)].

  51. 51.Jifeng Liu, Douglas D. Cannon, Kazumi Wada, Yasuhiko Ishikawa, Samerkhae Jongthammanurak, David T. Danielson, Jurgen Michel, and Lionel C. Kimerling: “Tensile strained Ge p-i-n photodetectors on Si platform for C and L band telecommunications”, Appl. Phys. Lett. 87 (1), pp. 011110-1 - 011110-3 (2005).

  52. 52.Yasuhiko Ishikawa, Kazumi Wada, Jifeng Liu, Douglas D. Cannon, Hsin-Chiao Luan, Jurgen Michel, and Lionel C. Kimerling: “Strain-induced enhancement of near-infrared absorption in Ge epitaxial layers grown on Si substrate”, J. Appl. Phys. 98 (1), pp. 013501-1 - 013501-9 (2005).

  53. 53.Ratno Nuryadi, Hiroya Ikeda, Yasuhiko Ishikawa, and Michiharu Tabe: “Current fluctuation in single-hole transport through a two-dimensional Si multidot”, Appl. Phys. Lett. 86 (13), pp. 133106-1 - 133106-3 (2005) [also in Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology 11 (13), ELECTRONIC STRUCTURE AND TRANSPORT (2005)].

  54. 54.Masahiko Maeda, Teruyoshi Watanabe, Yasuhiro Imai, Yasuhiko Ishikawa, and Michiharu Tabe: “Diffusion of Li in the silicon oxide films and evaluation of Li-induced surface potential”, Appl. Surf. Sci. 244, pp. 61 - 64 (2005).

  55. 55.Yasuhiko Ishikawa, Hiroya Ikeda, and Michiharu Tabe: “Potential-well-roughness-induced transition from resonant tunneling to single-electron tunneling in Si/SiO2 double-barrier structure”, Appl. Phys. Lett. 86 (1), pp. 013508-1 - 013508-3 (2005) [also in Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology 11 (2), ELECTRONIC STRUCTURE AND TRANSPORT (2005)].

  56. 56.Ratno Nuryadi, Hiroya Ikeda, Yasuhiko Ishikawa and Michiharu Tabe: “Ambipolar Coulomb Blockade Characteristics in a Two-Dimensional Si Multidot Device”, IEEE Trans. on Nanotechnology 2 (4), pp. 231 - 235 (2004).

  57. 57.Jifeng Liu, Douglas D. Cannon, Kazumi Wada, Yasuhiko Ishikawa, David T. Danielson, Samerkhae Jongthammanurak, Jurgen Michel, and Lionel C. Kimerling: “Deformation potential constants of biaxially tensile strained Ge epitaxial films on Si(100)”, Phys. Rev. B 70 (15), pp. 155309-1 - 155309-5 (2004).

  58. 58.Hiroya Ikeda, Ratno Nuryadi, Yasuhiko Ishikawa and Michiharu Tabe, “Photoinduced Effects on Single-Charge Tunneling in a Si Two-Dimensional Multidot Field-Effect Transistor”, Jpn. J. Appl. Phys. 43 (6B), pp. L759 - L761 (2004).

  59. 59.Douglas D. Cannon, Jifeng Liu, Yasuhiko Ishikawa, Kazumi Wada, David T. Danielson, Samerkhae Jongthammanurak, Jurgen Michel, and Lionel C. Kimerling: “Tensile strained epitaxial Ge film on Si(100) substrate with potential application to L-band telecommunications”, Appl. Phys. Lett. 84 (6), pp. 906 - 908 (2004).

  60. 60.Jifeng Liu, Douglas D. Cannon, Kazumi Wada, Yasuhiko Ishikawa, Samerkhae Jongthammanurak, David T. Danielson, Jurgen Michel, and Lionel C. Kimerling: “Silicidation-induced band gap shrinkage in Ge epitaxial films on Si”, Appl. Phys. Lett. 84 (5), pp. 660 - 662 (2004).

  61. 61.Yasuhiko Ishikawa, Yasuhiro Imai, Hiroya Ikeda, and Michiharu Tabe: “Pattern-induced alignment of silicon islands on buried oxide layer of silicon-on-insulator structure”, Appl. Phys. Lett. 83 (15), pp. 3162 - 3164 (2003).

  62. 62.Hiroya Ikeda, Masanori Iwasaki, Yasuhiko Ishikawa, and Michiharu Tabe: “Resonant tunneling characteristics in SiO2/Si double-barrier structures in a wide range of applied voltage”, Appl. Phys. Lett. 83 (7), pp. 1456 - 1458 (2003) [also in Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology 8 (8), ELECTRONIC STRUCTURE AND TRANSPORT (2003)].

  63. 63.Yasuhiko Ishikawa, Kazumi Wada, Douglas D. Cannon, Jifeng Liu, Hsin-Chiao Luan, and Lionel C. Kimerling: “Strain-induced band gap shrinkage in Ge grown on Si substrate”, Appl. Phys. Lett. 82 (13), pp. 2044 - 2046 (2003).

  64. 64.K. Sawada, M. Tabe, Y. Ishikawa and M. Ishida: “Field electron emission device using silicon nanoprotrusions”, J. Vac. Sci. Technol. B 20 (3), pp. 787 - 790 (2002).

  65. 65.Yasuhiko Ishikawa, Minoru Kumezawa, Ratno Nuryadi, Michiharu Tabe: “Effect of patterning on thermal agglomeration of ultrathin silicon-on-insulator layer”, Appl. Surf. Sci. 190, pp. 11 - 15 (2002).

  66. 66.Ratno Nuryadi, Yasuhiko Ishikawa, Yukinori Ono, Michiharu Tabe: “Thermal agglomeration of single-crystalline Si layer on buried SiO2 in ultrahigh vacuum”, J. Vac. Sci. Technol. B 20 (1), pp. 167 - 172 (2002).

  67. 67.Y. Ishikawa, T. Ishihara, M. Iwasaki and M. Tabe: “Negative differential conductance due to resonant tunneling through SiO2/single-crystalline-Si double barrier structure”, Electron. Lett. 37 (19), pp. 1200 - 1201 (2001).

  68. 68.Kazuaki Sawada, Michiharu Tabe, Makoto Iwatsuki, Yasuhiko Ishikawa and Makoto Ishida: “Field Electron Emission from Si Nano Protrusions”, Jpn. J. Appl. Phys. 40 (8A), pp. L832 - L834 (2001).

  69. 69.Michiharu Tabe, Minoru Kumezawa, Yasuhiko Ishikawa, and Takeshi Mizuno: “Quantum confinement effects in Si quantum well and dot structures fabricated from ultrathin silicon-on-insulator wafers”, Appl. Surf. Sci. 175 - 176, pp. 613 - 618 (2001).

  70. 70.Yasuhiko Ishikawa, Masaaki Kosugi, Toshiaki Tsuchiya and Michiharu Tabe: “Concentration of Electric Field near Si Dot/Thermally-Grown SiO2 Interface”, Jpn. J. Appl. Phys. 40 (3B), pp. 1866 - 1869 (2001).

  71. 71.Michiharu Tabe, Minoru Kumezawa and Yasuhiko Ishikawa: “Quantum-Confinement Effect in Ultrathin Si Layer of Silicon-on-Insulator Substrate”, Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2B), pp. L131 - L133 (2001).

  72. 72.Yasuhiko Ishikawa, Masaaki Kosugi, Michiharu Tabe: “Effect of nanometer-scale corrugation on densities of gap states and fixed charges at the thermally-grown SiO2/Si interface”, J. Appl. Phys. 89 (2), pp. 1256 - 1261 (2001) [also in Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology 3 (2), SURFACE AND INTERFACE PROPERTIES (2001)].

  73. 73.Hideki Hasegawa, Noboru Negoro, Seiya Kasai, Yasuhiko Ishikawa, and Hajime Fujikura: “Effects of gap states on scanning tunneling spectra observed on (110)- and (001)-oriented clean surfaces and ultrathin Si layer covered surfaces of GaAs prepared by molecular beam epitaxy”, J. Vac. Sci. Technol. B 18 (4), pp. 2100 - 2108 (2000).

  74. 74.Yasuhiko Ishikawa, Masaaki Kosugi, Minoru Kumezawa, Toshiaki Tsuchiya, Michiharu Tabe: “Capacitance-voltage study of single-crystalline Si dots on ultrathin SiO2 formed by nanometer-scale local oxidation”, Thin Solid Films 369 (1 - 2), pp. 69 - 72 (2000).

  75. 75.R. Nuryadi, Y. Ishikawa, M. Tabe: “Formation and ordering of self-assembled Si islands by ultrahigh vacuum annealing of ultrathin bonded silicon-on-insulator structure”, Appl. Surf. Sci. 159 - 160, pp. 121 - 126 (2000).

  76. 76.Yasuhiko Ishikawa, Shigenori Makita, Jianhua Zhang, Toshiaki Tsuchiya and Michiharu Tabe: “Capacitance-Voltage Study of Silicon-on-Insulator Structure with an Ultrathin Buried SiO2 Layer Fabricated by Wafer Bonding”, Jpn. J. Appl. Phys. 38 (7B), pp. L789 - L791 (1999).

  77. 77.M. Tabe, M. Kumezawa, T. Yamamoto, S. Makita, T. Yamaguchi, Y. Ishikawa: “Formation of high-density silicon dots on a silicon-on-insulator substrate”, Appl. Surf. Sci. 142, pp. 553 - 557 (1999).

  78. 78.M. Tabe, Y. Terao, Ratno Nuryadi, Y. Ishikawa, N. Asahi and Y. Amemiya: “Simulation of Visible Light Induced Effects in a Tunnel Junction Array for Photonic Device Applications”, Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1B), pp. 593 - 596 (1999).

  79. 79.Yasuhiko Ishikawa, Naohiro Tsurumi, Takashi Fukui, and Hideki Hasegawa: “Scanning tunneling microscopy and x-ray photoelectron spectroscopy studies on atomic level structure and Fermi level pinning on GaAs(110) surface grown by molecular beam epitaxy”, J. Vac. Sci. Technol. B 16 (4), pp. 2387 - 2394 (1998).

  80. 80.Makoto Kawase, Yasuhiko Ishikawa, Takashi Fukui: “Atomic structure studies of (113)B GaAs surfaces grown by metalorganic vapor phase epitaxy”, Appl. Surf. Sci. 130 - 132, pp. 457 - 463 (1998).

  81. 81.Tamotsu Hashizume, Yasuhiko Ishikawa, Toshiyuki Yoshida and Hideki Hasegawa: “In-Situ Contactless Characterization of Microscopic and Macroscopic Properties of Si-Doped MBE-Grown (24) GaAs Surfaces”, Jpn. J. Appl. Phys. 37 (3B), pp. 1626 - 1630 (1998).

  82. 82.Naohiro Tsurumi, Yasuhiko Ishikawa, Takashi Fukui and Hideki Hasegawa: “In-Situ Scanning Tunneling Microscope Study of Formation Process of Ultrathin Si Layer Grown by Molecular Beam Epitaxy on GaAs(001)-(24) Surface”, Jpn. J. Appl. Phys. 37 (3B), pp. 1501 - 1507 (1998).

  83. 83.Yasuhiko Ishikawa, Takashi Fukui, and Hideki Hasegawa: “Kink defects and Fermi level pinning on (24) reconstructed molecular beam epitaxially grown surfaces of GaAs and InP studied by ultrahigh-vacuum scanning tunneling microscopy and x-ray photoelectron spectroscopy”, J. Vac. Sci. Technol. B 15 (4), pp. 1163 - 1172 (1997).

  84. 84.Jun-ya Ishizaki, Yasuhiko Ishikawa, Kazunobu Ohkuri, Makoto Kawase, Takashi Fukui: “Ultra high vacuum scanning tunneling microscope observation of vicinal (001) GaAs surface and (117)B GaAs surface grown by metalorganic vapor phase epitaxy”, Appl. Surf. Sci. 113 / 114, pp. 343 - 348 (1997).

  85. 85.Yasuhiko Ishikawa, Takashi Fukui and Hideki Hasegawa: “Missing-Dimer Structures and Their Kink Defects on Molecular Beam Epitaxially Grown (24) Reconstructed (001) InP and GaAs Surfaces Studied by Ultrahigh-Vacuum Scanning Tunneling Microscopy”, Jpn. J. Appl. Phys. 36 (3B), pp. 1749 - 1755 (1997).

  86. 86.Yasuhiko Ishikawa, Kazuaki Nakakoshi, Takashi Fukui: “Novel in situ optical monitoring method for selective area metalorganic vapor phase epitaxy”, J. Cryst. Growth 167 (3-4), pp. 434 - 439 (1996).

  87. 87.Bing Xiong Yang, Yasuhiko Ishikawa, Tsuyoshi Ozeki and Hideki Hasegawa: “Scanning Tunneling Microscope Study of (001) InP Surface Prepared by Gas Source Molecular Beam Epitaxy”, Jpn. J. Appl. Phys. 35 (3B), pp. 1267 - 1272 (1996).

  88. 88.Y. Ishikawa, H. Ishii, H. Hasegawa, and T. Fukui: “Macroscopic electronic behavior and atomic arrangements of GaAs surfaces immersed in HCl solution”, J. Vac. Sci. Technol. B 12 (4), pp. 2713 - 2719 (1994).


解説論文等

  1. 1.[招待論文] 石川靖彦、伊藤和貴、野口恭甫、開達郎:「Geエピタキシャル層を用いたSiフォトニクス用近赤外pin受光器」, 電子情報通信学会 論文誌 C J101-C (10), pp. 374-380 (2018).

  2. 2.石川靖彦:「シリコンフォトニクス用ゲルマニウムアクティブ光デバイス」, Optronics 417 (9), pp. 92 – 98 (2016).

  3. 3.石川靖彦:「Si上へのGeのエピタキシャル成長:Siフォトニクスへの展開」, 真空ジャーナル  152, pp. 73 - 77 (2015).

  4. 4.水野泰孝、グエンマイルアン、石川靖彦、和田一実:「シリコン上ゲルマニウムの選択成長と歪制御によるデバイス応用」, レーザー研究 42 (3), pp. 235 - 239 (2014).

  5. 5.Yasuhiko Ishikawa and Kazumi Wada: “(Foreword) Focus on silicon photonics”, Sci. Technol. Adv. Mater. 15, 020301 (2014).

  6. 6.石川靖彦:「シリコン・ゲルマニウムフォトニクス」, Optronics 350, pp. 110 - 116 (2011.2)

  7. 7.田部道晴、澤田和明、ラトノ・ヌルヤディ、杉木幹生、石川靖彦、石田誠:「シリコンナノ構造からの電子の電界放出」, 電子情報通信学会 論文誌 J85-C (9), pp. 803 - 809 (2002).

  8. 8.田部道晴、石川靖彦、水野武志:「極薄SOIを用いたシリコンナノ構造デバイス」, 応用物理71 (2), pp. 209 - 213 (2002).

  9. 9.田部道晴、川崎隆弘、上村崇史、石川靖彦、水野武志:「シリコンナノ構造のKFMによる電位測定」, 表面科学22 (5), pp. 301 - 308 (2001).


Books

  1. 1.Kazumi Wada, Kohei Yoshimoto, Yu Horie, Jingnan Cai, Peng Huei Lim, Hiroshi Fukuda, Ryota Suzuki, and Yasuhiko Ishikawa: “10 Strained Ge for Si-Based Integrated Photonics”, in Photonics and Electronics with Germanium, ed. by Kazumi Wada and Lionel C. Kimerling (Wiley-VCH, Weinheim, Germany, May 6, 2015), Chap. 10, pp. 219 - 232.

  2. 2.R. Ichikawa, S. Takita, Y. Ishikawa, and K. Wada: “Germanium as a material to enable silicon photonics”, in Silicon Photonics II (Topics in Applied Physics), ed. by D. Lockwood and L. Pavesi (Springer Verlag, Berlin, October 14, 2010), Chap. 5, pp. 131 - 142.

  3. 3.K. Wada, J. F. Liu, S. Jongthammanurak, D. D. Cannon, D. T. Danielson, D. H. Ahn, S. Akiyama, M. Popovic, D. R. Lim, K. K. Lee, H. -C. Luan, Y. Ishikawa, J. Michel, H. A. Haus, L. C. Kimerling: “Si Microphotonics for Optical Interconnection”, in Optical Interconnects - The Silicon Approach, ed. by L. Pavesi, L. Guillot (Springer Verlag, Berlin, 2006), Chap. 11, pp. 291 - 310.

  4. 4.Michiharu Tabe, Hiroya Ikeda, and Yasuhiko Ishikawa: “6 Resonant Tunneling in Si Nanodevices”, in Silicon Nanoelectronics, ed. by S. Oda and D. K. Ferry (Tayler & Francis, Boca Raton, FL, June 27, 2005), Chap. 6, pp. 133 - 154.


Conference Proceedings

  1. 1.M. Nishimura, K. Kawashita, and Y. Ishikawa: “Silicon-Germanium Stressors for Germanium Photonic Devices on Silicon”, ECS Trans. 86 (7), pp. 3 - 10 (2018).

  2. 2. [Invited Paper] Y. Ishikawa: “Ge/SiGe for silicon photonics”, Proc. SPIE 10131, 101310C (2017).

  3. 3.Y. Miyasaka, T. Hiraki, T. Tsuchizawa, K. Wada, and Y. Ishikawa: “Germanium/Silicon-Germanium Heterostructure Avalanche Photodiodes on Silicon”, ECS Trans. 75 (8), pp. 185 - 191 (2016).

  4. 4.M. Yako, C. Park, D. Ahn, Y. Ishikawa, and K. Wada: “Low Threshold Light Emission from Reverse-Rib n+Ge Cavity Made By P Diffusion”, ECS Trans. 75 (8), pp. 193 - 198 (2016).

  5. 5.Y. Kawamata, S. Nagatomo, K. Fukuda, Y. Izawa, S. Hoshino, and Y. Ishikawa: “Post-Growth Laser Annealing for High-Performance Ge Photodiodes on Si”, ECS Trans. 64 (6), pp. 775 - 781 (2014).

  6. 6.Koji Yamada, Tai Tsuchizawa, Hidetaka Nishi, Rai Kou, Tatsurou Hiraki, Kotarou Takeda, Hiroshi Fukuda, Kota Okazaki, Yasuhiko Ishikawa, Kazumi Wada, and Tsuyoshi Yamamoto: “Silicon-Germanium-Silica Monolithic Photonic Integration Platform for High-Performance Optical Data Communication Systems”, ECS Trans. 64 (6), pp. 749 - 759 (2014).

  7. 7.Hiroshi Fukuda, Tai Tsuchizawa, Hidetaka Nishi, Rai Kou, Tatsurou Hiraki, Kotarou Takeda, Kazumi Wada, Yasuhiko Ishikawa, and Koji Yamada: “Silicon, silica, and germanium photonic integration for electronic and photonic convergence”, Proc. SPIE 8628, 862806 (2013).

  8. 8.Kazumi Wada and Yasuhiko Ishikawa: “Challenges of Si photonics for photonics integration on Si LSIs”, ECS Trans. 41 (7), pp. 265 - 271 (2011).

  9. 9.Seiichi Itabashi, Koji Yamada, Hiroshi Fukuda, Tai Tsuchizawa, Toshifume Watanabe, Hiroyuki Shinojima, Hideaki Nishi, R. Takahashi, Y. Ishikawa, and K. Wada: “Silicon Photonics Devices Based on SOI Structures”, ECS Trans. 35 (5), pp. 227 - 236 (2011).

  10. 10.Koji Yamada, Tai Tsuchizawa, Toshifumi Watanabe, Hiroyuki Shinojima, Hiroshi Fukuda, Hidetaka Nishi, Sungbong Park, Yasuhiko Ishikawa, Kazumi Wada, and Seiichi Itabashi: “Integrated photonic platform based on silicon photonic wire waveguides”, Proc. SPIE 7606, 76060T (2010).

  11. 11.S. Park, S. Takita, R. Ichikawa, Y. Ishikawa, and K. Wada: “Characteristics of Ge and SiGe pin Photodiodes without Post-growth Annealing”, ECS Trans. 16 (10), pp. 591 - 599 (2008).

  12. 12.Yasuhiko Ishikawa, Kazuaki Yamauchi, Chihiro Yamamoto and Michiharu Tabe: “Conductivity Enhancement in Thin Silicon-on-Insulator Layer Embedding Artificial Dislocation Network”, Materials Research Society Symposium Proceedings 864, pp. 253 - 258 (2005).

  13. 13.Jun-ya Ishizaki, Yasuhiko Ishikawa and Takashi Fukui: “Ultra high vacuum scanning tunneling microscope observation of multilayer step structure on GaAs and AlAs vicinal surface grown by metalorganic vapor phase epitaxy”, Materials Research Society Symposium Proceedings 448, pp. 95 - 100 (1997).


Conference Presentations: International

  1. 1.(Invited) Yasuhiko Ishikawa: “Ge Epitaxial Growth on Si for Photonic Device Applications”, 24th OptoElectronics and Communications Conference / International Conference on Photonics in Switching and Computing 2019 (OECC/PSC 2019), Fukuoka, July 7-11, 2019.

  2. 2.Junichi Fujikata, Masataka Noguchi, Kazuki Kawashita, Shigeki Takahashi, Michiharu Nishimura, Hideki Ono, Daisuke Shimura, Hiroyuki Takahashi, Hiroki Yaegashi, Yasuhiko Ishikawa, and Takahiro Nakamura: “High-Speed Ge/Si Electro-Absorption Optical Modulator for High-Bandwidth Optical Interconnect”, 8th International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2018), Tokyo, December 3-4, 2018.

  3. 3.M. Yako, Y. Ishikawa, E. Abe, and K. Wada: “Reduction of threading dislocations by image force in Ge selective epilayers on Si”, SPIE/COS (Chinese Optical Society) Photonics Asia, Beijing, China, October 12 (October 11 - 13), 2018.

  4. 4.Michiharu Nishimura and Yasuhiko Ishikawa: “Silicon-Germanium Stressors for Germanium Photonic Devices on Silicon”, Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid Science (AiMES) 2018, 8th International SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium, Cancun, Mexico, September 30 (September 30 - October 4), 2018.

  5. 5.Motoki Yako and Yasuhiko Ishikawa: “Order-of-magnitude enhancement of direct-gap photoluminescence from patterned Ge epitaxial layers on Si induced by a wet chemical treatment”, 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018), Tokyo, September 9 - 13, 2018.

  6. 6.Abdelrahman Zaher Al-Attili, Daniel Burt, Zuo Li, Naoki Higashitarumizu, Frederic Y. Gardes, Katsuya Oda, Yasuhiko Ishikawa and Shinichi Saito: “Vertically Light-Emitting Ge Micro-Gears Generating Orbital Angular Momentum”, 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018), Tokyo, September 9 - 13, 2018.

  7. 7.Junichi Fujikata, Masataka Noguchi, Kazuki Kawashita, Shigeki Takahashi, Michiharu Nishimura, Hideki Ono, Daisuke Shimura, Hiroyuki Takahashi, Hiroki Yaegashi, Yasuhiko Ishikawa, and Takahiro Nakamura: “High-Speed Ge/Si Electro-Absorption Optical Modulator for Low Power Optical Interconnection”, 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2018), Tokyo, September 9 - 13, 2018.

  8. 8.Michiharu Nishimura, Yoshiyuki Tsusaka, Junji Matsui, and Yasuhiko Ishikawa: “Enhanced Tensile Strain in Ge Epitaxial Layers Grown on Si-on-Quartz Wafers”, 15th International Conference on Group IV Photonics (GFP2018), Cancun, Mexico, August 29 (August 29 - 31), 2018.

  9. 9.(Invited) Yasuhiko Ishikawa: “Ge photodetectors in Si-based integrated photonics”, 2018 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2018), Kitakyushu, July 4 (July 2-4), 2018.

  10. 10.Ryota Oyamada, Motoki Yako, and Yasuhiko Ishikawa: “Thin SiO2 under-cladding layer for SiNx optical waveguides on bulk Si substrate”, 2018 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2018), Kitakyushu, July 3 (July 2-4), 2018.

  11. 11.Motoki. Yako, Yasuhiko Ishikawa, and Kazumi Wada: “Threading dislocation trapping by air tunnels in Ge-on-Si”, 29th International Conference on Defects in Semiconductors, Matsue, Japan, August 3 (July 31 - August 4), 2017.

  12. 12.(Invited) Shinichi Saito, Abdelrahman Zaher Al-Attili, Daniel Burt, Katsuya Oda, Mitsuru Takenaka, Naoki Higashitarumizu, and Yasuhiko Ishikawa: “Germanium Light Sources for Silicon Photonics”, 9th International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2017), Symposium B) Novel Semiconductor Materials - Physics and Devices, Singapore, June 20 (June 18 - 23), 2017.

  13. 13.(Invited) Yasuhiko Ishikawa and : “Germanium on Silicon Photonic Devices”, European Conference on Integrated Optics (ECIO), Eindhoven, #M1.3, April 3, 2017.

  14. 14.(Invited) Yasuhiko Ishikawa: “Ge/SiGe for silicon photonics”, SPIE Photonics West OPTO 2017, The Optoelectronics, Photonics Materials, and Devices Conference, Optical Communications: Devices to Systems, OE134: Next-Generation Optical Networks for Data Centers and Short-Reach Links IV, San Francisco, February 2, 2017.

  15. 15.(Invited) Yasuhiko Ishikawa: “Germanium Photonic Devices in Silicon Photonics”, International Seminar, Department of Advanced Materials Engineering, Kookmin University, December 6, Seoul, Korea, 2016

  16. 16.(Invited) Kazumi Wada, Koki Takinai and Yasuhiko Ishikawa: “Electron density in heavily phosphorous doped n-type germanium”, The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials (JSPS Si Symposium), Kona, Hawaii, USA, November 24, 2016.

  17. 17.Michiharu Nishimura and Yasuhiko Ishikawa: “Band engineering of Ge layers on Si using SiGe stressors”, The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials (JSPS Si Symposium), Kona, Hawaii, USA, November 24, 2016.

  18. 18.C. Park, M. Yako, Y. Ishikawa, K. Wada, and D. Ahn : “N-type Reverse-Rib Germanium Laser structures doped by Phosphorus Diffusion Process”, SPIE/COS Photonic Asia, Beijing, China, Octorber 12 – 14, 2016.

  19. 19.Y. Miyasaka, T. Hiraki, K. Okazaki, T. Tsuchizawa, K. Wada, and Y. Ishikawa: “Germanium/Silicon-Germanium Heterostructure Avalanche Photodiodes on Silicon”, 230th ECS Fall Meeting, 7th International SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium, Honolulu, USA, October 2, 2016.

  20. 20.M. Yako, C. Park, D. Ahn, Y. Ishikawa, and K. Wada: “Low Threshold Light Emission from Reverse-Rib n+Ge Cavity Made By P Diffusion”, 230th ECS Fall Meeting, 7th International SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium, Honolulu, USA, October 2, 2016.

  21. 21.Kazuki Ito and Yasuhiko Ishikawa: “Waveguide-Integrated Vertical pin Photodiodes of Ge Fabricated on p+ and n+ Si-on-Insulator Layers”, 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2016), Tsukuba, September 28, 2016.

  22. 22.(Invited) Yasuhiko Ishikawa: “Ge-based Photonic Devices on Si”, Progress in Electromagnetics Research Symposium 2016 (PIERS 2016), 3_FocusSession.SC3: Nanophotonics and Integration Part 1, 2 & 3, Shanghai, August 9, 2016.

  23. 23.(Invited) Yasuhiko Ishikawa: “Germanium photonic devices in silicon photonics”, 2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2016), Hakodate, July 5, 2016.

  24. 24.Naoki Higashitarumizu, Kazumi Wada, and Yasuhiko Ishikawa: “Effects of post-growth annealing on photoluminescence intensity for n+-Ge on Si covered with a barrier layer preventing out-diffusion of phosphorous dopants”, Materials Research Society 2016 Spring Meeting, Phoenix, April 1, 2016.

  25. 25.Yuji Miyasaka, Tatsurou Hiraki, Kota Okazaki, Kotaro Takeda, Tai Tsuchizawa, Koji Yamada, Kazumi Wada, and Yasuhiko Ishikawa: “Near-infrared Ge avalanche photodiodes on Si using SiGe/Ge heterojunction multiplication layer”, Materials Research Society 2016 Spring Meeting, Phoenix, April 1, 2016.

  26. 26.Sho Nagatomo, Shinya Kikuta, Satohiko Hoshino and Yasuhiko Ishikawa: “NIR laser annealing process for dark current suppression in selectively-grown Ge photodiodes on Si”, Materials Research Society 2016 Spring Meeting, Phoenix, March 30, 2016.

  27. 27.Yuji Miyasaka, Tatsurou Hiraki, Kota Okazaki, Kotaro Takeda, Tai Tsuchizawa, Koji Yamada, Kazumi Wada, and Yasuhiko Ishikawa: “Ge/graded-SiGe Multiplication Layers for Low-voltage and Low-noise Ge Avalanche Photodiodes on Si”, 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015), Sapporo, September 28 - 30, 2015.

  28. 28.Kota Okazaki, Hidetaka Nishi, Tai Tsuchizawa, Tatsurou Hiraki, Yasuhiko Ishikawa, Kazumi Wada, Tsuyoshi Yamamoto, and Koji Yamada: “Optical coupling between SiOxNy waveguide and Ge mesa structures for bulk-silicon photonics platform”, 12th International Conference on Group IV Photonics (GFP2015), Vancouver, Canada, August 26 - 28, 2015.

  29. 29.Naoki Higashitarumizu, Kazumi Wada, and Yasuhiko Ishikawa: “Enhanced photoluminescence from n+-Ge epitaxial layers on Si: effect of growth/annealing temperature”, The 11th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim (CLEO-PR 2015), Busan, Korea, August 25, 2015.

  30. 30.H. Nishi, T. Tsuchizawa, R. Kou, T. Hiraki, K. Takeda, Y. Ishikawa, K. Wada, T. Yamamoto, and K. Yamada: “Si-Ge-SiOx WDM receiver with 400-Gbit/s capacity on a Si Platform”, International Nano-Optoelectronics Workshop 2015 (iNOW2015), Tokyo, Japan, August 3 - 7, 2015.

  31. 31.Abdelrahman Al-Attili, Muhammad Husain, Frederic Gardes, Hideo Arimoto, Shinichi Saito, Naoki Higashitarumizu, Yasuhiko Ishikawa, Satoshi Kako, Satoshi Iwamoto, and Yasuhiko Arakawa: “Fabrication of Ge micro-disks on free-standing SiO2 beams for monolithic light emission”, International IEEE Conference on Nanotechnology, Rome, Italy, July 27 - 30, 2015.

  32. 32.(Invited) K. Yamada, T. Tsuchizawa, H. Nishi, R. Kou, T. Hiraki, K. Takeda, K. Okazaki, H. Fukuda, Y. Ishikawa, K. Wada, and T. Yamamoto: “Si-Ge-Silica Photonic Integration Platform for High-Performance Photonic Systems”, Asia Communications and Photonics Conference (APC2014), Shanghai, China, November, 2014.

  33. 33.(Invited) Hiroshi Fukuda, Tai Tsuchizawa, Hidetaka Nishi, Rai Kou, Tatsuro Hiraki, Kotaro Takeda, Mitsuo Usui, Kota Okazak, Koji Yamada, Tsuyoshi Yamamoto, Kentaro Honda, Masafumi Nogawa, Ho-jin Song, Yasuhiko Ishikawa, Kazumi Wada, Takashi Saida: “Optoelectronic devices based on Si, silica and Ge”, The 7th Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2014, Hamamatsu, October 2014.

  34. 34.Naoki Higashitarumizu and Yasuhiko Ishikawa: “Effect of excitation light intensity on micro-photoluminescence spectra for Ge: a comparison with Si, GaAs and InGaAs”, The 7th Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2014, Hamamatsu, October20, 2014.

  35. 35.(Invited) K. Yamada, T. Tsuchizawa, H. Nishi, R. Kou, T. Hiraki, K. Takeda, K. Okazaki, H. Fukuda, Y. Ishikawa, K. Wada, and T. Yamamoto: “Silicon-Germanium-Silica Monolithic Photonic Integration Platform for High-Performance Optical Data Communication Systems”, 226th ECS Fall Meeting, 6th International SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium, Cancun, Mexico, October, 2014.

  36. 36.Y. Kawamata, S. Nagatomo, K. Fukuda, Y. Izawa, S. Hoshino, and Y. Ishikawa: “Post-Growth Laser Annealing for High-Performance Ge Photodiodes on Si”, 226th ECS Fall Meeting, 6th International SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium, Cancun, Mexico, October, 2014.

  37. 37.Sho Nagatomo, Yuta Kawamata, Yusaku Izawa, Satohiko Hoshino, and Yasuhiko Ishikawa: “Impact of Post-Growth Annealing for Thin-Film Ge Photodiodes on Si”, 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014), Tsukuba, September, 2014.

  38. 38.(Invited) Yasuhiko Ishikawa: “Si Photonics for Sensing Applications”, 2014 CMOS Emerging Technologies Research Symposium, Grenoble, France, July 7, 2014.

  39. 39.Kotaro Takeda, Mitsuo Usui, Kota Okazaki, Tatsurou Hiraki, Tai Tsuchizawa, Hidetaka Nishi, Rai Kou, Hiroshi Fukuda, Yasuhiko Ishikawa, Kazumi Wada, Koji Yamada, and Tsuyoshi Yamamoto: “Flip-chip integration of 4-channel transimpedance amplifier chip on a Si/Ge-based photonic circuit”, 11th International Conference on Group IV Photonics (GFP2014), Paris, August 30, 2014.

  40. 40.Tatsurou Hiraki, Hiroshi Fukuda, Tai Tsuchizawa, Rai Kou, Hidetaka Nishi, Kotaro Takeda, Tsuyoshi Yamamoto, Yasuhiko Ishikawa, Kazumi Wada, and Koji Yamada: “Monolithic Integration of Si-silica Waveguide Delay Line Interferometer and Germanium Photodetectors for 25-Gb/s DPSK Demodulator”, 2014 Optical Fiber Communication Conference and Exposition (OFC2014), San Francisco, March, 2014.

  41. 41.Koji Yamada, Kotaro Takeda, Tatsurou Hiraki, Tai Tsuchizawa, Hidetaka Nishi, Rai Kou, Hiroshi Fukuda, Yasuhiko Ishikawa, Kazumi Wada and Tsuyoshi Yamamoto: “Performance of germanium waveguide photodiode under high-voltage bias”, 3rd International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2013), Tokyo, November, 2013.

  42. 42.L. M. Nguyen, R. Kuroyanagi, T. Tsuchizawa, Y. Ishikawa, K. Yamada, and K. Wada: “Strain tuning of pure Germanium for Franz-Keldysh electro-absorption modulation”, 3rd International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2013), Tokyo, November, 2013.

  43. 43.Hidetaka Nishi, Rai Kou, Kotato Takeda, Tai Tsuchizawa, Tatsurou Hiraki, Mitsuo Usui, Toru Miura, Yasuhiko Ishikawa, Kazumi Wada Hiroshi Fukuda, Koji Yamada, and Tsuyoshi Yamamoto: “Interchannel-crosstalk characteristics of an integrated WDM receiver based on a Si-Ge-silica photonic platform”, Asia Communications and Photonics Conference (ACP2013), Beijing, November, 2013.

  44. 44.(Invited) Yasuhiko Ishikawa: “Germanium Active Photonic Devices on Si for Optical Interconnects”, 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2013), Fukuoka, September, 2013.

  45. 45.Kakuro Hirai, Takahiro Araki, Jingnan Cai, Kazumi Wada, Yasuhiko Ishikawa, Katsuyoshi Hayashi, Tsutomu Horiuchi, Yuzuru Iwasaki, Yuko Ueno, Emi Tamechika: “Air-Band Optical Cavity in Si Photonic Crystal Waveguides for Biosensing Applications”, 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2013), Fukuoka, September, 2013.

  46. 46.K. Takeda, T. Hiraki, T. Tsuchizawa, H. Nishi, R. Kou, H. Fukuda, Y. Ishikawa, K. Wada, and K. Yamada: “Franz-Keldysh and avalanche effects in a germanium waveguide photodiode”, 10th International Conference on Group IV Photonics (GFP2013), San Diego, August 30, 2013.

  47. 47.(Invited) Hiroshi Fukuda, Kotaro Takeda, Tatsuro Hiraki, Tai Tsuchizawa, Hidetaka Nishi, Rai Kou, Yasuhiko Ishikawa, Kazumi Wada, Yutaka Urino, Tsuyoshi Horikawa, Takahiro Nakamura, Yasuhiko Arakawa and Koji Yamada: “Large-scale silicon photonics integrated circuits for interconnect and telecom applications”, 10th International Conference on Group IV Photonics (GFP2013), San Diego, August 30, 2013.

  48. 48.Takahiro Araki, Kakuro Hirai, Jingnan Cai, Yasuhiko Ishikawa, Kazumi Wada, Katsuyoshi Hayashi, Tsutomu Horiuchi, Yuzuru Iwasaki, Yuko Ueno, Emi Tamechika: “Effects of Sensing Layer Thickness on BiosensingUsing Partially-Slotted Si Photonic Crystal Waveguides”, The 10th Conference on Lasers and Electro-Optics Pacific Rim, and The 18th OptoElectronics and Communications Conference / Photonic in Switching 2013 (CLEO-PR & OECC/PS 2013), Kyoto, July 2, 2013.

  49. 49.Hidetaka Nishi, Rai, Kou, Tatsuro Hiraki, Tai Tsuchizawa, Hiroshi Fukuda, Yasuhiko Ishikawa, Kazumi Wada, and Koji Yamada: “22-Gbit/s x 16-ch WDM receiver based on Si-Ge-Silica monolithic photonic platform and its application to 40-km transmission”, 2013 combined meeting of the Conference on Optical Fiber Communication (OFC) and the National Fiber Optic Engineers Conference (NFOEC), Anaheim, March, 2013.

  50. 50.(Invited) Hiroshi Fukuda, Tai Tsuchizawa, Hidetaka Nishi, Rai Kou, Tatsurou Hiraki, Kotarou Takeda, Kazumi Wada, Yasuhiko Ishikawa, and Koji Yamada: “Silicon, silica, and germanium photonic integration for electronic and photonic convergence”, SPIE Photonics West 2013, San Francisco, February, 2013.

  51. 51.Koki Takinai, Yasuhiko Ishikawa, Kazumi Wada: “Theoretical calculation of defects formation under thermal equilibrium in heavily n-type doped germanium”, 2nd International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2012), Tokyo, December, 2012.

  52. 52.Tatsurou Hiraki, Tai Tsuchizawa, Hidetaka Nishi, Rai Kou, Hiroshi Fukuda, Kotaro Takeda, Yasuhiko Ishikawa, Kazumi Wada, Koji Yamada: “16-ch x 10-Gb/s WDM receiver on Si-silica-Ge monolithic integration platform”, 2nd International Symposium on Photonics and Electronics Convergence (ISPEC2012), Tokyo, December, 2012.

  53. 53.Tatsuji Kaiwa, Kazumi Wada, Yasuhiko Ishikawa: “An Increased Red Shift in Near-infrared Light Emission from Ge Microbeam Strictures on Si Induced by an Externally Applied Uniaxial Stress”, Materials Research Society 2012 Fall Meeting, Boston, November, 2012.

  54. 54.Jingnan Cai, Yasuhiko Ishikawa, Kazumi Wada: “Strain induced bandgap and refractive index variation of silicon”, 2012 SPIE Photonics Asia, Nanophotonics and Micro/Nano Optics, Beijing, China, November, 2012.

  55. 55.(Invited) Yasuhiko Ishikawa: “Challenges in Silicon/Germanium-based Photonics - From On-chip Optical Communications to Optical Sensing -”, 1st International Conference on Emerging Advanced Nanomaterials (ICEAN2012), Brisbane, October, 2012.

  56. 56.Koki Takinai, Yasuhiko Ishikawa and Kazumi Wada: “Theoretical calculation of defects formation under thermal equilibrium in heavily n-type doped germanium”, 222nd ECS Fall Meeting, 5th International SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium, Honolulu, October, 2012.

  57. 57.Yasutaka Mizuno, Yasuhiko Ishikawa and Kazumi Wada: “Ge Selective Growth in Micron and Submicron Trenches with UHV-CVD”, 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012), Kyoto, September, 2012.

  58. 58.Tatsurou Hiraki, Rai Kou, Hidetaka Nishi, Hiroshi Fukuda, Tai Tsuchizawa, Yasuhiko Ishikawa, Kazumi Wada, and Koji Yamada : “Monolithically Integrated 16x10-Gb/s WDM Receiver on a Silicon-Silica-Germanium Photonic Platform”, 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012), Kyoto, September, 2012.

  59. 59.R. Kuroyanagi, M. L. Nguyen, T. Tsuchizawa, Y. Ishikawa, K. Yamada, and K. Wada: “Strain tuning of Franz-Keldysh Ge electro-absorption modulation”, 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012), Kyoto, September, 2012.

  60. 60.(Invited) Koji Yamada, Tai Tsuchizawa, Hidetaka Nishi, Rai Kou, Tatsurou Hiraki, Hiroshi Fukuda, Yasuhiko Ishikawa, and Kazumi Wada: “Silicon/Ge/Silica monolithic photonic integration for telecommunications applications”, 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2012), Kyoto, September, 2012.

  61. 61.Jingnan Cai, Kensuke Sumie, Noriaki Toyoda, Yasuhiko Ishikawa, and Kazumi Wada: “Gas cluster ion beam treatment for silicon waveguide trimming”, 9th International Conference on Group IV Photonics (GFP2012), San Diego, August, 2012.

  62. 62.(Invited) Koji Yamada, Tai Tsuchizawa, Hidetaka Nishi, Rai Kou, Hiroyuki Shinojima, Hiroshi Fukuda, Tatsurou Hiraki, Yasuhiko Ishikawa, and Kazumi Wada: “Silicon-Silica Monolithic Photonic Integration Platform for Telecommunications Applications”, 17th OptoElectronics and Communications Conference (OECC 2012), Busan, Korea, July, 2012.

  63. 63.(Invited) Yasuhiko Ishikawa: “Silicon/Germanium-Based Photonics for Information Technology and Sensing”, Collaborative Conference on Materials Research (CCMR) 2012, Seoul, June, 2012.

  64. 64.(Invited) Tai Tsuchizawa, Hidetaka Nishi, Rai Kou, Hiroshi Fukuda, Hiroyuki Shinojima, Yasuhiko Ishikawa, Kazumi Wada, and Koji Yamada: “Silicon-silica Monolithic Photonic Integration for Telecommunications Applications”, Integrated Photonics Research (IPR), Silicon and Nano Photonics, Colorado Springs, June, 2012.

  65. 65.R. Kuroyanagi, M.L. Nguyen, T. Tsuchizawa, Y. Ishikawa, K. Yamada, and K. Wada: “Strain tuning of Ge electro-absorption modulators for Si photonics”, SPIE Photonics Europe, Brussels, April, 2012.

  66. 66.Yasutaka Mizuno, Ryo Kuroyanagi, Yasuhiko Ishikawa, Kazumi Wada: “The Mechanism of Germanium Selective Growth and Device Fabrication with Selective Growth”, Materials Research Society 2012 Spring Meeting, San Francisco, April, 2012.

  67. 67.Yu Horie, Yasuhiko Ishikawa, Kazumi Wada: “Tuning of Resonant Mode Wavelength in 2D Photonic Crystal Cavities”, Materials Research Society 2012 Spring Meeting, San Francisco, April, 2012.

  68. 68.Ryota Suzuki, Yu Horie, Kohei Yoshimoto, Yasuhiko Ishikawa, Kazumi Wada: “Long-near-infrared light emission from mechanically-stressed Ge epitaxial layers on Si for optical sensing applications”, Materials Research Society 2012 Spring Meeting, San Francisco, April, 2012.

  69. 69.Tatsuji Kaiwa, Yasuhiko Ishikawa, Kazumi Wada: “Uniaxially stressed microbeam structure of Ge on Si for mid-infrared photonic devices”, Materials Research Society 2012 Spring Meeting, San Francisco, April, 2012.

  70. 70.Jingnan Cai, Yasuhiko Ishikawa, Kazumi Wada, Tsutomu Horiuchi, Yuzuru Iwasaki, Katsuyoshi Hayashi, Michiko Seyama, Suzuyo Inoue, and Emi Tamechika: “A partial slotted one-dimensional silicon photonic crystal for biochemical sensing”, Materials Research Society 2012 Spring Meeting, San Francisco, April, 2012.

  71. 71.Hidetaka Nishi, Tai Tsuchizawa, Rai Kou, Hiroyuki Shinojima, Koji Yamada, Takashi Yamada, Hideaki Kimura, Yasuhiko Ishikawa, Kazumi Wada, and Shin-ichiro Mutoh: “Monolithic integration of silica-based AWG filter and germanium photodiodes for one-chip WDM receiver”, 2012 Optical Fiber Communication Conference and Exposition and the National Fiber Optic Engineers Conference (OFC/NFOEC), Los Angeles, March, 2012.

  72. 72.(Invited) Yasuhiko Ishikawa: “Si/Ge Photonics for Communication and Sensing Applications”, 24th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2011), Kyoto, October, 2011.

  73. 73.(Invited) K. Wada and Y. Ishikawa: “Challenges of Si Photonics for Photonics Integration on Si LSIs”, 220th ECS Fall Meeting, E9 - ULSI Process Integration 7, Boston, October, 2011.

  74. 74.(Invited) K. Yamada, T. Tsuchizawa, R. Kou, H. Nishi, H. Shinojima, Y. Ishikawa, K. Wada and S. Mutoh: “Silicon Photonic Platform for Telecommunications Applications”, IEEE Photonics 2011 Conference (IPC11), Arlington, October, 2011.

  75. 75.Masashi Hirase, Yasuhiko Ishikawa, Kazumi Wada: “Si/SiO2 Bilayer Beam Structure for Photoelastic Control of Si Photonic Devices”, 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2011), Nagoya, September, 2011.

  76. 76.Koki Takinai, Atsunori Yoshida, Yasuhiko Ishikawa, Kazumi Wada, Tai Tsuchizawa, Toshifumi Watanabe, Koji Yamada and Seiichi Itabashi: “Photoluminescence from n+-Ge microdisk on Si-on-insulator structure”, 2011 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2011), Nagoya, September, 2011.

  77. 77.K. Yamada, T. Tsuchizawa, T. Watanabe, H. Shinojima, H. Nishi, R. Kou, Y. Ishikawa, K. Wada and S. Itabashi: “Avalanche-mode operation of a simple vertical p-i-n germanium photodiode coupled with silicon waveguide”, 8th International Conference on Group IV Photonics (GFP2011), London, September, 2011.

  78. 78.Jingnan Cai, Yu Wang, Yasuhiko Ishikawa, Yoshifumi Yamashita, Yoichi Kamiura, and Kazumi Wada: “Hydrogen plasma treatment for Si waveguide smoothing”, 8th International Conference on Group IV Photonics (GFP2011), London, September, 2011.

  79. 79.Ryo Kuroyanagi, Yasuhiko Ishikawa, Tai Tsuchizawa, Seiichi Itabashi, Kazumi Wada: “Controlling Strain in Ge on Si for EA Modulators”, 8th International Conference on Group IV Photonics (GFP2011), London, September, 2011.

  80. 80.(Invited) Yasuhiko Ishikawa, Jiro Osaka and Kazumi Wada: “Light emission and detection using strained Ge layers on Si”, Symposium I: Transport and photonics in Si-based nanodevices, E-MRS 2011 Spring Meeting, Nice, May, 2011.

  81. 81.(Invited) Seiichi Itabashi, Koji Yamada, Hiroshi Fukuda, Tai Tsuchizawa, Toshifume Watanabe, Hiroyuki Shinojima, Hideaki Nishi, R. Takahashi, Y. Ishikawa, and K. Wada: “Silicon Photonics Devices Based on SOI Structures”, 219th ECS Spring Meeting, E8 - Advanced Semiconductor-on-Insulator Technology and Related Physics 15, Montreal, May, 2011.

  82. 82.(Invited) Yasuhiko Ishikawa: “Recent Progress in Si Photonics in Japan”, 3rd International Conference on Silicon Photonics, Ghent and Cambridge, January, 2011.

  83. 83.R. Kuroyanagi, Y. Ishikawa and K. Wada: “Stain Engineering for Controlling Operation Wavelength of Ge EA Modulator”, 3rd International Conference on Silicon Photonics, Ghent and Cambridge, January, 2011.

  84. 84.Y. Horie, L. Décosterd, Y. Ishikawa and K. Wada: “Emission Wavelength Tuning via Mechanically Stressing Using a GaAs-on-Si Microbeam”, 3rd International Conference on Silicon Photonics, Ghent and Cambridge, January, 2011.

  85. 85.Shuji Kita, Yoichi Takada, Yasuhiko Ishikawa, and Kazumi Wada, “SiGe Alloy in Si Photonics”, SPIE Microtechnologies, Prague, Czech Republic, April, 2011.

  86. 86.Yu Horie, Laurent Decosterd, Ryota Suzuki, Jiro Osaka, Yasuhiko Ishikawa, Kazumi Wada: “Control of Emission Wavelength for GaAs Layers on Si Using a Mechanically-Stressed Microbeam Structure”, Materials Research Society 2010 Fall Meeting, Boston, November, 2010.

  87. 87.Ryo Kuroyanagi, Yasuhiko Ishikawa and Kazumi Wada: “Si-Based Dielectric Stressors for C+L Band Operation of Ge Optical Modulators and Photodetectors on Si”, 218th ECS Fall Meeting, 4th International SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium, Las Vedas, October, 2010.

  88. 88.Ryota Suzuki, Kohei Yoshimoto, Laurent Décosterd, Yasuhiko Ishikawa, and Kazumi Wada: “Strained SiGe-on-Si beam for tunable near-infrared light emission”, 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2010), Tokyo, September, 2010.

  89. 89.Kohei Yoshimoto, Ryota Suzuki, Yasuhiko Ishikawa and Kazumi Wada: “Bandgap Control Using Strained Beam Structures for Si-Based Photonic Devices”, 2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2010), Tokyo, September, 2010.

  90. 90.Laurent Décosterd, Yu Horie, Kohei Yoshimoto, Ryota Suzuki, Jingnan Cai, Jiro Osaka, Yasuhiko Ishikawa and Kazumi Wada: “Emission-Wavelength Control Using A Mechanically Stressed Micro-Beam Structure: GaAs on Si-on-Insulator Beam”, 7th International Conference on Group IV Photonics (GFP2010), Beijing, September, 2010.

  91. 91.Yoichi Takada, Ryota Suzuki, Sungbong Park, Jiro Osaka, Yasuhiko Ishikawa and Kazumi Wada, “As-grown Ge pin Photodiodes on Si with Low Dark Current Achieved by Hydrogen Desorption Technique”, 7th International Conference on Group IV Photonics (GFP2010), Beijing, September, 2010.

  92. 92.K. Yamada, T. Tsuchizawa, T. Watanabe, H. Shinojima, H. Nishi, R. Kou, S. Park, Y. Ishikawa, K. Wada and S. Itabashi: “Optical Power Stabilization using a Germanium Photodiode and a Variable Optical Attenuator Integrated on a Silicon Wire Waveguide Platform”, 7th International Conference on Group IV Photonics (GFP2010), Beijing, September, 2010.

  93. 93.(Invited) S. Itabashi, H. Nishi, T. Tsuchizawa, T. Watanabe, H. Shinojima, S. Park, K. Yamada, Y. Ishikawa and K. Wada: “Integration of Optical Devices Based on Si, Ge and SiOx”, 7th International Conference on Group IV Photonics (GFP2010), Beijing, September, 2010.

  94. 94.Jingnan Cai, Yasuhiko Ishikawa, and Kazumi Wada: “Measurement of Near-Infrared OH-Group Absorption Using Si Ring Resonator”, The Fifteenth OptoElectronics and Communications Conference (OECC2010), Sapporo, July, 2010.

  95. 95.Ryota Suzuki, Kohei Yoshimoto, Laurent Décosterd, Yasuhiko Ishikawa, and Kazumi Wada: “Strained Ge-on-Si beam for tunable mid-infrared light source”, Symposium J: Si-based Nanophotonics, E-MRS 2010 Spring Meeting, Strasbourg, June, 2010.

  96. 96.Jingnan Cai, Peng Huei Lim, Yasuhiko Ishikawa and Kazumi Wada: “Line edge roughness reduction by photo resist trimming”, The International Conference on Nanophotonics 2010, Tsukuba, May, 2010.

  97. 97.Yu Horie, Yoichi Takada, Jiro Osaka, Yasuhiko Ishikawa and Kazumi Wada: “A Method of Selective Annealing of Ge Epitaxial Layers for Si-CMOS Backend Process”, 5th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, Sendai, January, 2010.

  98. 98.(Invited) Yasuhiko Ishikawa and Kazumi Wada: “Silicon Photonics for Fiber-to-the-Home Applications”, 2nd International Conference on Silicon Photonics, Cambridge, January, 2010.

  99. 99.Yoichi Takada, Ryota Suzuki, Sungbong Park, Jiro Osaka, Yasuhiko Ishikawa and Kazumi Wada: “Hydrogen desorption effect on Ge epilayers on Si”, 2nd International Conference on Silicon Photonics, Cambridge, January, 2010.

  100. 100.Atsunori Yoshida, Jiro Osaka, Yasuhiko Ishikawa, and Kazumi Wada: “Si/Ge optical modulator at 1.3 m”, 2nd International Conference on Silicon Photonics, Cambridge, January, 2010.

  101. 101.Akihiro Yanai, Ryuzo Ichikawa, Yasuhiko Ishikawa, and Kazumi Wada: “A Porous Si Scattering Layer for High Efficiency Thin Si Solar Cells”, 2nd International Conference on Silicon Photonics, Cambridge, January, 2010.

  102. 102.(Invited) Koji Yamada, Tai Tsuchizawa, Toshifumi Watanabe, Hiroyuki Shinojima, Hiroshi Fukuda, Hidetaka Nishi, Sungbong Park, Yasuhiko Ishikawa, Kazumi Wada, and Seiichi Itabashi: “Integrated photonic platform based on silicon photonic wire waveguides”, SPIE Photonics West, Silicon Photonics V, Session 8: Integration, San Francisco, January, 2010.

  103. 103.Akihiro Yanai, Ryuzo Ichikawa, Yasuhiko Ishikawa and Kazumi Wada: “A New Approach to Increase Efficiency of Thin Si Solar Cells with Scatterer”, 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2009), Sendai, October, 2009.

  104. 104.Yu Wang, Jingnan Cai, Shiyun Lin, Yasuhiko Ishikawa, Yoshifumi Yamashita, Yoichi Kamiura and Kazumi Wada: “PL Enhancement of Si Ring Resonators by Hydrogen Plasma Treatment”, 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2009), Sendai, October, 2009.

  105. 105.Yoichi Takada, Jiro Osaka, Yasuhiko Ishikawa and Kazumi Wada: “An Approach to Dislocation-free Ge Mesa on Si Fabricated by Dry Etching”, 2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2009), Sendai, October, 2009.

  106. 106.(Invited) Yasuhiko Ishikawa, Jiro Osaka and Kazumi Wada: “Ge Photodetectors in Silicon Photonics”, IEEE LEOS 2009 Annual Meeting, Belek-Antalya, Turkey, October, 2009.

  107. 107.(Invited) Kazumi Wada, Sungbong Park, and Yasuhiko Ishikawa, “Challenge of Si Photonics for On-chip Integration”, 35th European Conference on Optical Communication (ECOC2009), Symposium on InP and Si integrated photonics: competition or symbiosis, Vienna, September 2009.

  108. 108.Yasuhiko Ishikawa, Sungbong Park, Jiro Osaka, and Kazumi Wada: “Low-Dark-Current pin Photodiodes Using As-Grown Ge with an i-Si Insertion Layer”, 6th International Conference on Group IV Photonics (GFP2009), San Francisco, September, 2009.

  109. 109.Sungbong Park, Tai Tsuchizawa, Toshifumi Watanabe, Hiroyuki Shinojima, Hidetaka Nishi, Koji Yamada, Yasuhiko Ishikawa, Kazumi Wada, and Seiichi Itabashi: “A monolithic integration of Ge Photodiodes with Si Variable Optical Attenuators”, 6th International Conference on Group IV Photonics (GFP2009), San Francisco, September, 2009.

  110. 110.(Invited) Yasuhiko Ishikawa and Kazumi Wada: “New approach for high efficiency thin film solar cells”, the 18th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS-18) and the 14th International Conference on Modulated Semiconductor structures (MSS-14), Special session for solar cells, Kobe, July, 2009.

  111. 111.T. Tsuchizawa, K. Yamada, T. Watanabe, H. Shinojima, H. Nishi, S. Itabashi, S. Park, Y. Ishikawa, and K. Wada: “Monolithic Integration of Germanium Photodetectors and Silicon Wire Waveguides with Carrier Injection Structures”, 29th Conference on Lasers and Electro Optics (CLEO09) / 27th International Quantum Electronics Conference (IQEC09), Baltimore, June, 2009.

  112. 112.(Invited) Yasuhiko Ishikawa and Kazumi Wada: “Ge for Si Photonics”, 6th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-6), Los Angeles, May, 2009.

  113. 113.Yasuhiko Ishikawa, Sungbong Park, Jiro Osaka, Kazumi Wada: “Absorption Blue Shift in Thin-Film Ge-on-Si Photodiodes Induced by Post-Growth Annealing”, The 5th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials (JSPS Si Symposium), Kona, Hawaii, USA, November, 2008.

  114. 114.S. Park, S. Takita, R. Ichikawa, Y. Ishikawa, and K. Wada: “Characteristics of Ge and SiGe pin Photodiodes without Post-growth Annealing” 214th ECS Fall Meeting, 3rd International SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices Symposium, Hawaii, October, 2008.

  115. 115.Yasuhiko Ishikawa, Sungbong Park, Jiro Osaka, and Kazumi Wada: “Fabrication and Responsivity Spectra of p-Ge/i-Si/n-Si Near-Infrared Photodiodes”, 2008 5th International Conference on Group IV Photonics (GFP2008), Sorrento, Italy, September, 2008.

  116. 116.Peng Huei Lim, Yosuke Kobayashi, Shinya Takita, Yasuhiko Ishikawa, and Kazumi Wada: “Enhanced Photoluminescence from Germanium-Based Ring Resonators”, 2008 5th International Conference on Group IV Photonics (GFP2008), Sorrento, Italy, September, 2008.

  117. 117.Sungbong Park, Shinya Takita, Yasuhiko Ishikawa, Jiro Osaka, and Kazumi Wada: “Low dark-current Ge photodiodes on Si with intrinsic-Si-layer insertion”, 2008 5th International Conference on Group IV Photonics (GFP2008), Sorrento, Italy, September, 2008.

  118. 118.Sungbong Park, Yasuhiko Ishikawa, Yoshiyuki Tsusaka, Junji Matsui and Kazumi Wada: “Strain and absorption coefficient of finite Ge structures on Si”, 2008 International Conference on
    Solid State Devices and Materials
    (SSDM 2008), Tsukuba, September, 2008.

  119. 119.Ryuzo Ichikawa, Jiro Osaka, Yasuhiko Ishikawa, and Kazumi Wada: “Design of Four-junciton Tandem Solar Cells with a Si wafer as an Intermediate Tandem Cell”, Materials Research Society 2008 Spring Meeting, San Francisco, March, 2008.

  120. 120.Shiyun Lin, Yosuke Kobayashi, Yasuhiko Ishikawa, and Kazumi Wada: “100-fold Luminescence Enhancements of Si Ring Resonators on Silicon on Insulator”, 2007 4th International Conference on Group IV Photonics (GFP2007), Tokyo, September, 2007.

  121. 121.N. Toyoda, I. Yamada, S. Akiyama, L. C. Kimerling, Y. Ishikawa, and K. Wada: “Gas Cluster Ion Beam Processing for Si Photonics”, 2007 4th International Conference on Group IV Photonics (GFP2007), Tokyo, September, 2007.

  122. 122.Sungbong Park, Yasuhiko Ishikawa, Tai Tsuchizawa, Toshifumi Watanabe, Koji Yamada, Seiichi Itabashi, and Kazumi Wada: “Spectral Responsivity of Vertical p-i-n Photodiode of Selectively Grown Ge on Silicon-on-Insulator (SOI) Platform”, 2007 4th International Conference on Group IV Photonics (GFP2007), Tokyo, September, 2007.

  123. 123.Yasuhiko Ishikawa and Kazumi Wada: “High-Speed Ge/Si Near-Infrared Photodiodes Using an Absorption Layer of p-Ge”, 2006 Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices (COMMAD ‘06), Perth, December, 2006.

  124. 124.Sungbong Park, Yasuhiko Ishikawa, Tai Tsuchizawa, Toshifumi Watanabe, Koji Yamada, Seiichi Itabashi, Christina Manolatou and Kazumi Wada: “Design of monolithically integrated Ge photodetectors on Si waveguides for high speed optical clocking”, 2006 International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2006), Kamakura, October, 2006.

  125. 125.M. Tabe, R. Nuryadi, Z. A. Burhanudin, and Y. Ishikawa: “Effect of photon absorption in Si single-electron devices”, The 5th International Conference on Global Research and Education (Inter-Academia 2006), Iasi, Romania, September, 2006.

  126. 126.R. Nuryadi, Z. A. Burhanudin, R. Yamano, T. Ishino, Y. Ishikawa and M. Tabe: “Photo Illumination Effect on Single-Electron-Tunneling Current through a Thin Bicrystal SOI FET”, 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2006), Yokohama, September, 2006.

  127. 127.Ratno Nuryadi, Chihiro Yamamoto, Yasuhiko Ishikawa and Michiharu Tabe: “Single-Electron Tunneling in a SOI-MOSFET Embedding Artificial Dislocation Network”, 2006 Silicon Nanoelectronics Workshop, Honolulu, June, 2006.

  128. 128.(Invited) Yasuhiko Ishikawa, Ratno Nuryadi, Hiroya Ikeda and Michiharu Tabe: “SOI-based silicon nanodevices”, Thirteenth International Workshop on The Physics of Semiconductor Devices (IWPSD2005), New Delhi, December, 2005.

  129. 129.(Invited) Yasuhiko Ishikawa and Michiharu Tabe: “Artificial dislocation network for Si Nanodevices”, 2005 International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2005), Tokyo, October, 2005.

  130. 130.Michiharu Tabe, Ratno Nuryadi, Yasuhiko Ishikawa, and Hiroya Ikeda: “Si Single-Electron Devices and Their Application to Photon Detection”, The 2nd International Symposium on Nanovision Science and The 7th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium, Hamamatsu, October, 2005.

  131. 131.Ratno Nuryadi, Yasuhiko Ishikawa, and Michiharu Tabe: “Detection of single photons using a two-dimensional silicon multidots field-effect-transistor”, The 2nd International Symposium on Nanovision Science and The 7th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium, Hamamatsu, October, 2005.

  132. 132.Z. A. Burhanudin, R. Nuryadi, N. Kato, Y. Ishikawa, and M. Tabe: “Quantum efficiency improvement of Si single-hole-tunneling photon detectors”, The 2nd International Symposium on Nanovision Science and The 7th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium, Hamamatsu, October, 2005.

  133. 133.Michiharu Tabe, Ratno Nuryadi, Hiroya Ikeda and Yasuhiko Ishikawa: “Si multidot single-charge-tunneling devices and their photoresponse”, 2nd International Symposium on Point Defect and Nonstoichiometry (ISPN2), Kaohsiung, Taiwan, October, 2005.

  134. 134.(Invited) Yasuhiko Ishikawa and Michiharu Tabe: “Artificial dislocation network in SOI nanodevices and its transport characteristics”, 2nd International Symposium on Point Defect and Nonstoichiometry (ISPN2), Kaohsiung, Taiwan, October, 2005.

  135. 135.Michiharu Tabe, Ratno Nuryadi, Yasuhiko Ishikawa, Hiroya Ikeda, Zainal A. Burhanudin and Daniel Moraru: “Single-Photon Detection by Silicon Single-Charge-Tunneling Devices”, 4th International Conference on Global Research and Education in Intelligent Systems (Inter-Academia 2005), Wuppertal, Germany, September, 2005.

  136. 136.Yasuhiko Ishikawa, Chihiro Yamamoto and Michiharu Tabe: “Artificial Dislocation Network in Silicon-on-Insulator Layer for Single-Electron Devices”, 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2005), Kobe, September, 2005.

  137. 137.D. Moraru, H. Kato, S. Horiguchi, Y. Ishikawa, H. Ikeda and M. Tabe: “Fowler-Nordheim current oscillations in Si(111)/SiO2/twisted-Si tunneling structures”, 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2005), Kobe, September, 2005.

  138. 138.Masao Nagase, Yasuhiko Ishikawa, Yukinori Ono and Michiharu Tabe: “Imaging of nano-scale embedded dislocation network in Si bicrystal”, 2005 Silicon Nanoelectronics Workshop, Kyoto, June, 2005.

  139. 139.Ratno Nuryadi, Hiroya Ikeda, Yasuhiko Ishikawa and Michiharu Tabe: “Photo irradiation effect on random-telegraph-signal in a two-dimensional Si multidot FET”, 2005 Silicon Nanoelectronics Workshop, Kyoto, June, 2005.

  140. 140.Z. A. Burhanudin, R. Nuryadi, Y. Ishikawa, Y. Ono and M. Tabe: “Formation of Si wires by thermal agglomeration of ultrathin (111) SOI layer”, Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4), Awaji Island, May, 2005.

  141. 141.Yasuhiko Ishikawa, Kazuaki Yamauchi, Ratno Nuryadi, Hiroya Ikeda, Michiharu Tabe, Yukinori Ono, Masao Nagase, Masashi Arita, and Yasuo Takahashi, “Conductivity Enhancement in Thin Silicon-on-Insulator Layer Embedding Artificial Dislocation Network”, Materials Research Society 2005 Spring Meeting, San Francisco, March, 2005.

  142. 142.Yasuhiko Ishikawa, Ratno Nuryadi, and Michiharu Tabe: “Si Bicrystal Devices”, The 1st International Conference on Nanovision Science, Hamamatsu, February, 2005.

  143. 143.Ratno Nuryadi, Hiroya Ikeda, Yasuhiko Ishikawa and Michiharu Tabe: “Single-photon-induced random-telegraph-signal observed in a two-dimensional Si multidot structure”, The 1st International Conference on Nanovision Science, Hamamatsu, February, 2005.

  144. 144.D. Moraru, H. Kato, Y. Ishikawa, M. Tabe: “Interference Effect of Tunneling Electrons in Single-crystalline-Si/SiO2/single-crystalline-Si Diodes”, The 1st International Conference on Nanovision Science, Hamamatsu, February, 2005.

  145. 145.Z. A. Burhanudin, R. Nuryadi, Y. Ishikawa, Y. Ono and M. Tabe: “Si nanowires formed by thermal agglomeration of (111) SOI layer”, The 1st International Conference on Nanovision Science, Hamamatsu, February, 2005.

  146. 146.(Invited) Michiharu Tabe, Ratno Nuryadi, Hiroya Ikeda and Yasuhiko Ishikawa: “Si Multidot Single-Charge Tunneling Devices”, The 7th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (ICSICT-2004), Beijing, October, 2004.

  147. 147.(Invited) K. Wada, J. F. Liu, S. Jongthammanurak, D. D. Cannon, D. T. Danielson, Y. Ishikawa, A. Eshed, C. Y. Hong, J. Michel, L. C. Kimerling: “Direct integration of Ge detectors and modulators on the Si microphotonics platform”, First IEEE International Conference on Group IV Photonics, Hong Kong, September, 2004.

  148. 148.Ratno Nuryadi, Hiroya Ikeda, Yasuhiko Ishikawa and Michiharu Tabe: “Charge polarization effect on single-hole-characteristics in a two-dimensional Si multidot structure”, 2004 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM2004), Tokyo, September, 2004.

  149. 149.Yasuhiko Ishikawa, Kazuaki Yamauchi, Hiroya Ikeda, Yukinori Ono, Masao Nagase and Michiharu Tabe: “Formation of Nanometer-Scale Dislocation Network Sandwiched by Silicon-on-Insulator Layers”, 2004 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM2004), Tokyo, September, 2004.

  150. 150.Hiroya Ikeda, Ratno Nuryadi, Yasuhiko Ishikawa and Michiharu Tabe: “Transition of a Single-Charge-Tunneling Mode in Two-Dimensional Multidot Structures from Quasi-Crystal to Quasi-Amorphous System”, 3rd International Conference on Global Research and Education in Intelligent Systems (Inter-Academia 2004), Budapest, September, 2004.

  151. 151.(Invited: Plenary Talk) Michiharu Tabe, Yasuhiko Ishikawa, Ratno Nuryadi and Hiroya Ikeda: “Si Single-Electron and Single-Hole Tunneling Devices”, 3rd International Conference on Global Research and Education in Intelligent Systems (Inter-Academia 2004), Budapest, September, 2004.

  152. 152.(Invited) Yasuhiko Ishikawa, Hiroya Ikeda and Michiharu Tabe: “Si/SiO2 Resonant Tunneling Diodes Based on Silicon-on-Insulator Structure”, Sixth European Workshop on Low Temperature Electronics (WOLTE-6), Noordwijk, Netherlands, June, 2004.

  153. 153.Yasuhiko Ishikawa, Yuto Mori, Hiroya Ikeda and Michiharu Tabe: “Effect of Transverse Momentum on Direct Tunneling of Electrons through Si/SiO2/Si Single Barrier Structure”, The Twelfth International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-12), Hamamatsu, June, 2004.

  154. 154.Yasuniro Imai, Yasuhiko Ishikawa, Takeshi Mizuno, Hiroya Ikeda and Michiharu Tabe: “Thermal Agglomeration of Line-Patterned SOI Layer”, The Twelfth International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-12), Hamamatsu, June, 2004.

  155. 155.Ratno Nuryadi, Junichi Kinomoto, Hiroshi Kato, Hiroya Ikeda, Yasuhiko Ishikawa, and Michiharu Tabe: “Multi-gate control of single-electron-tunneling in a Si multidot field-effect transistor”, The Twelfth International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-12), Hamamatsu, June, 2004.

  156. 156.T. Watanabe, M. Maeda, Y. Imai, Y. Ishikawa and M. Tabe: “Evaluation of surface potential for alkaline-metal ion doped in insulating films”, The Twelfth International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-12), Hamamatsu, June, 2004.

  157. 157.Yasuhiko Ishikawa, Kohei Osada, Hiroya Ikeda and Michiharu Tabe: “Transition from Resonant Tunneling to Single Electron Tunneling Due to Lateral Size Shrinkage of Si/SiO2 Double Barrier Structure”, 2004 Silicon Nanoelectronics Workshop, Honolulu, June, 2004.

  158. 158.Ratno Nuryadi, Hiroya Ikeda, Yasuhiko Ishikawa and Michiharu Tabe, “Change of Single-Electron-Tunneling Percolation-Path Due to Light Illumination”, 2004 Silicon Nanoelectronics Workshop, Honolulu, June, 2004.

  159. 159.Jifeng Liu, Douglas D. Cannon, Kazumi Wada, Yasuhiko Ishikawa, David T. Danielson, Samerkhae Jongthammanurak, Jurgen Michel, and Lionel C. Kimerling: “Strain-engineered Ge photodetectors on Si platform for broad band optical communications”, Conference of Laser and Electro-optics (CLEO), San Francisco, May 2004.

  160. 160.Hiroya Ikeda, Ratno Nuryadi, Makoto Ito, Yasuhiko Ishikawa and Michiharu Tabe: “Circuit modeling of photo-induced effects on single-charge-tunneling system”, Sixth International Conference on New Phenomena in Mesoscopic Systems / Forth International Conference on Surfaces and Interfaces of Mesoscopic Devices (NPMS6/SIMD4), Hawaii, December, 2003.

  161. 161.Yasuhiko Ishikawa, Yasuhiro Imai, Hiroya Ikeda and Michiharu Tabe: “Formation of one-dimensionally-aligned Si islands on buried oxide layer of silicon-on-insulator structure”, Sixth International Conference on New Phenomena in Mesoscopic Systems / Forth International Conference on Surfaces and Interfaces of Mesoscopic Devices (NPMS6/SIMD4), Hawaii, December, 2003.

  162. 162.Hiroya Ikeda, Yasuhiko Ishikawa, Yoshikazu Homma and Michiharu Tabe: “In-situ observation of formation process of self-assembled Si islands on buried SiO2 and their crystallographic structures”, 2003 International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2003), Tokyo, October, 2003.

  163. 163.Ratno Nuryadi, Hiroya Ikeda, Yasuhiko Ishikawa and Michiharu Tabe: “Photon-induced effect on single-charge-tunneling in a Si multidot Schottky FET”, 2003 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM2003), Tokyo, September, 2003.

  164. 164.(Invited) Michiharu Tabe, Ratno Nuryadi, Hiroya Ikeda and Yasuhiko Ishikawa: “Single-Electron and Single-Hole Tunneling in Si Coupled-Dot FETs Fabricated from Ultrathin SOI”, 2003 Korea-Japan Joint Workshop on Advanced Semiconductor Processes and Equipments (ASPE2003), Gangneung, Korea, August, 2003.

  165. 165.Hiroya Ikeda, Kazuaki Yamauchi, Yasuhiko Ishikawa and Michiharu Tabe: “Hot-Electron-Induced Charge Storage in Si/SiO2 Double Barrier Diodes”, 2003 Silicon Nanoelectronics Workshop, Kyoto, June, 2003.

  166. 166.Ratno Nuryadi, Y. Ishikawa, H. Ikeda and M. Tabe: “Single charge tunneling in two-dimensional coupled dot Si devices”, 2003 Silicon Nanoelectronics Workshop, Kyoto, June, 2003.

  167. 167.Y. Ishikawa, K. Wada, D. D. Cannon, J. F. Liu, H. -C. Luan, and L. C. Kimerling: “Strain-Induced Bandgap Narrowing of Ge Layer Grown on Si Substrate [1]”, Materials Research Society 2002 Fall Meeting, Boston, December, 2002.

  168. 168.D. D. Cannon, Y. Ishikawa, K. Wada, J. F. Liu, H. -C. Luan, and L. C. Kimerling: “Strain-Induced Bandgap Narrowing of Ge Layer Grown on Si Substrate [2]”, Materials Research Society 2002 Fall Meeting, Boston, December, 2002.

  169. 169.Hiroya Ikeda, Masanori Iwasaki, Yasuhiko Ishikawa and Michiharu Tabe: “Effect of Structural Imperfection on Resonant Tunneling in SiO2/Si Diodes”, 2002 International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2002), Tokyo, November, 2002.

  170. 170.M. Tabe, H. Ikeda, Y. Ishikawa: "Si/SiO2 Resonant Tunneling Diodes and Hot Electron Scattering Effect", The Third CREST Symposium on Functional Evolution of Materials and Devices based on Electron / Photon Related Phenomena, October, 2002.

  171. 171.Masanori Iwasaki, Yasuhiko Ishikawa, Takeshi Mizuno, Hiroya Ikeda and Michiharu Tabe: "Electrical Characteristics of Si/SiO2 Resonant Tunneling Diodes", 7th Joint International Conference on Advanced Science and Technology (JICAST2002), Hamamatsu, October, 2002.

  172. 172.Ratno Nuryadi, Yasuhiko Ishikawa, Takeshi Mizuno, Hiroya Ikeda and Michiharu Tabe: "Fabrication of a Si Single-Electron Transistor with Coupled Dots", 7th Joint International Conference on Advanced Science and Technology (JICAST2002), Hamamatsu, October, 2002.

  173. 173.Masanori Iwasaki, Yasuhiko Ishikawa, Hiroya Ikeda and Michiharu Tabe: “Tunneling Mode Dependence of Current-Voltage Characteristics in Si/SiO2 Resonant Tunneling Diodes”, 2002 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM2002), Nagoya, September, 2002.

  174. 174.M. Tabe, R. Nuryadi, Y. Homma, Y. Hirakawa and Y. Ishikawa: “Ordered Arrangement of Thermally-Agglomerated Si Islands on Buried SiO2 Layer”, 11th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-11), France, July, 2002.

  175. 175.(Invited) Michiharu Tabe and Yasuhiko Ishikawa: “Si/SiO2 Resonant Tunneling Diodes Based on Ultrathin SOI Structure”, 2002 Silicon Nanoelectronics Workshop, Honolulu, June, 2002.

  176. 176.(Invited) M. Tabe, Y. Ishikawa and T. Mizuno: “Silicon Nanostructured Tunneling Devices”, The 3rd Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium, Hamamatsu, December, 2001.

  177. 177.K. Sawada, M. Tabe, Y. Ishikawa and M. Ishida: “Field Electron Emission Device Using Silicon Nano-Protrusions”, 21st International Display Research Conference (Asia Display / IDW'01), Nagoya, October, 2001.

  178. 178.(Invited) Michiharu Tabe, Kazuaki Sawada, Yasuhiko Ishikawa and Makoto Ishida: “Electron Field Emission from Silicon Nano-Protrusions”, Sixth International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (ICSICT-2001), Shanghai, October, 2001.

  179. 179.Yasuhiko Ishikawa, Takuma Ishihara, Masanori Iwasaki and Michiharu Tabe: “Resonant Tunneling Effect in Si/SiO2 Double Barrier Structure”, 2001 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM2001), Tokyo, September, 2001.

  180. 180.(Invited) Michiharu Tabe and Yasuhiko Ishikawa: “SOI-based Si nanostructures and their applications”, Frontier Science Research Conference (FSRC) in Materials Science and Technology Series, Science and Technology of Silicon Materials, La Jolla, August, 2001.

  181. 181.Yasuhiko Ishikawa, Ratno Nuryadi and Michiharu Tabe: "Effect of Patterning on Thermal Agglomeration of Ultrathin SOI Layer", 8th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-8), Sapporo, June, 2001.

  182. 182.Yasuhiko Ishikawa, Takuma Ishihara, Toshiaki Tsuchiya and Michiharu Tabe: “XPS and I-V Studies on Quantum Mechanical Effects in Ultrathin Si Layer of SOI Structure”, 2001 Silicon Nanoelectronics Workshop, Kyoto, June, 2001.

  183. 183.Ratno-Nuryadi, M. Iwatsuki, K. Sawada, M. Ishida, Y. Ishikawa and M. Tabe: “Field Electron Emission from Si Nano-Protrusions”, 2001 Silicon Nanoelectronics Workshop, Kyoto, June, 2001.

  184. 184.K. Sawada, M. Tabe, M. Iwatsuki, Y. Ishikawa, M. Ishida: “Field Electron Emission from Silicon Nano Pillars”, 2000 International Display Workshop (IDW2000), Kobe, November, 2000.

  185. 185.Michiharu Tabe, Ratno Nuryadi and Yasuhiko Ishikawa: “Morphological Instability in Ultrathin SOI Structure: Ordered Arrangement of Si Islands”, Workshop on Selective and Functional Film Deposition Technologies as Applied to ULSI Technology (29th International Union for Vacuum Science, Technique, and Applications (IUVSTA) Workshop), Mie, November, 2000.

  186. 186.Yasuhiko Ishikawa, Masaaki Kosugi, Toshiaki Tsuchiya and Michiharu Tabe: “Enhancement of Local Electric Field at Si Dot/Thermally-Grown SiO2 Interface”, 2000 International Symposium on Formation, Physics and Device Application of Quantum Dot Structures (QDS’2000), Sapporo, September, 2000.

  187. 187.Ratno Nuryadi, Yasuhiko Ishikawa and Michiharu Tabe: “Thermally-Induced Structural Changes of Ultrathin Silicon-on-Insulator Structure”, 2000 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2000), Sendai, August, 2000.

  188. 188.Michiharu Tabe, Minoru Kumezawa, Yasuhiko Ishikawa and Takeshi Mizuno: “Study on Si Quantum Well and Dot Structures Fabricated from Ultrathin SOI Wafers”, 10th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-10), Princeton, July, 2000.

  189. 189.Yasuhiko Ishikawa, Masaaki Kosugi, Toshiaki Tsuchiya and Michiharu Tabe: “Fowler-Nordheim Tunneling Induced by Enhanced Local Electric Field in Si Dot Structure”, 2000 Silicon Nanoelectronics Workshop, Honolulu, June, 2000.

  190. 190.Ratno Nuryadi, Yasuhiko Ishikawa and Michiharu Tabe: “Formation and ordering of self-assembled Si islands by UHV annealing of ultrathin bonded SOI”, Third International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-III), Karuizawa, October, 1999.

  191. 191.Yasuhiko Ishikawa, Masaaki Kosugi, Minoru Kumezawa, Toshiaki Tsuchiya, Michiharu Tabe: “C-V study of single-crystalline Si dots on ultrathin buried SiO2 formed by nano-LOCOS process”, International Joint Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (IJC-Si), Zao, September, 1999.

  192. 192.Yasuhiko Ishikawa, Masaaki Kosugi, Minoru Kumezawa and Michiharu Tabe: “Capacitance-Voltage Study of Single-Crystalline Si Layer and Si Dots on Ultrathin Buried SiO2”, 1999 Silicon Nanoelectronics Workshop, Kyoto, June, 1999.

  193. 193.Yasuhiko Ishikawa, Shigenori Makita, Jianhua Zhang, Toshiaki Tsuchiya and Michiharu Tabe: “Effects of Electron Tunneling into a Single Crystalline Si Layer through an Ultrathin Buried Oxide”, 1998 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM’98), Hiroshima, September, 1998.

  194. 194.M. Tabe, M. Kumezawa, T. Yamamoto, S. Makita, T. Yamaguchi and Y. Ishikawa: “Formation of high-density silicon dots on a silicon-on-insulator substrate”, 9th International Conference on Solid Films & Surfaces (ICSFS-9), Copenhagen, July, 1998.

  195. 195.Yasuhiko Ishikawa, Naohiro Tsurumi, Takashi Fukui and Hideki Hasegawa: “In-Situ STM and XPS Studies on Atomic Level Structure and Fermi Level Pinning on MBE-Grown GaAs(110) Surface”, 24th Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-24), Salt Lake City, January, 1998.

  196. 196.Makoto Kawase, Jun-ya Ishizaki, Yasuhiko Ishikawa, Tomoya Ogawa and Takashi Fukui: “AFM and RHEED observations of (113)B GaAs Surfaces Grown by MOVPE”, 4th International Symposium on Atomically Controlled Surfaces and Interfaces (ACSI-4), Tokyo, October, 1997.

  197. 197.Naohiro Tsurumi, Yasuhiko Ishikawa, Takashi Fukui and Hideki Hasegawa: “In-Situ UHV-STM Study of Formation Process of Ultrathin MBE Si Layer on GaAs(001)-(24) Surface”, 1997 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM’97), Hamamatsu, September, 1997.

  198. 198.Tamotsu Hashizume, Yasuhiko Ishikawa, Toshiyuki Yoshida and Hideki Hasegawa: “In-Situ Contactless Characterization of Microscopic and Macroscopic Properties of Si-Doped MBE-Grown (24) GaAs Surfaces”, 1997 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM’97), Hamamatsu, September, 1997.

  199. 199.Yasuhiko Ishikawa, Takashi Fukui and Hideki Hasegawa: “Kink Defects and Fermi Level Pinning on (24) Reconstructed MBE-Grown Surfaces of InP and GaAs Studied by UHV-STM and XPS”, 23rd Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-23), North Carolina, January, 1997.

  200. 200.J. Ishizaki, Y. Ishikawa and T. Fukui: “Ultra High Vacuum Scanning Tunneling Microscopy Observation of Multilayer Step Structure on GaAs and AlAs Vicinal Surfaces Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy”, Materials Research Society 1996 Fall Meeting, Boston, December, 1996.

  201. 201.Yasuhiko Ishikawa, Takashi Fukui and Hideki Hasegawa: “Missing-Dimer Structures and Their Kink Defects on MBE-Grown (24) Reconstructed (001) InP Surfaces Studied by UHV Scanning Tunneling Microscope”, 1996 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM’96), Yokohama, August, 1996.

  202. 202.J. Ishizaki, Y. Ishikawa, K. Ohkuri, M. Kawase and T. Fukui: “UHV-STM Observation of GaAs (001) Vicinal Surfaces Grown by MOVPE”, 8th International Conference on Solid Films and Surfaces (ICSFS-8), Osaka, July, 1996.

  203. 203.B. X. Yang, Y. Ishikawa, T. Ozeki and H. Hasegawa: “Scanning Tunneling Microscope Study of (001)InP Surface Prepared by Gas Source Molecular Beam Epitaxy”, 1995 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM'95), Osaka, August, 1995.

  204. 204.Y. Ishikawa, K. Nakakoshi and T. Fukui: “In Situ Optical Characterization Method for Selective Area MOCVD”, 8th International MicroProcess Conference (MPC-8), Sendai, June, 1995.

  205. 205.Y. Ishikawa, H. Ishii, H. Hasegawa and T. Fukui: “Atomic Arrangements on GaAs Surface in HCl Solution Studied by Atomic Force Microscopy and X-ray Photoelectron Spectroscopy”, 21st Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Interfaces (PCSI-21), New York, January, 1994.


Conference Presentations: Domestic

  1. 1.橘茉優、園井柊平、石川靖彦:「Si上Ge層を用いた近赤外pin受光器の暗電流特性」、電子情報通信学会電子デバイス研究会(ED)/シリコンデバイス・材料研究会(SDM)/電子部品・材料研究会(CPM)合同研究会、浜松、平成31年5月16日.

  2. 2.野口恭甫、西村道治、松井純、津坂佳幸、石川靖彦:「貼り合わせSi-on-Quartz基板上にエピタキシャル成長したGe層における格子ひずみと光学物性の評価」、電子情報通信学会電子デバイス研究会(ED)/シリコンデバイス・材料研究会(SDM)/電子部品・材料研究会(CPM)合同研究会、浜松、平成31年5月16日.

  3. 3.野口恭甫、西村道治、松井純、津坂佳幸、石川靖彦:「SOQ及びSOS基板上に形成したGe層の光吸収特性」、第66回応用物理学会春季学術講演会、東京工業大学、東京、平成30年3月11日.

  4. 4.八子基樹、Chan-Hyuck Park、Donghwan Ahn、和田一実、石川靖彦:「チップ上光源に向けたSi上inverted-rib Ge層の発光特性評価」、第66回応用物理学会春季学術講演会、東京工業大学、東京、平成30年3月11日.

  5. 5.Kyosuke Noguchi, Yuji Miyasaka, and Yasuhiko Ishikawa: “Ge avalanche photodiodes on Si using SiGe/Si carrier-multiplication layer”, 37th Electronic Materials Symposium (EMS37: 第37回電子材料シンポジウム), Nagahama, Shiga, October 11, 2018.

  6. 6.Kazuki Kawashita and Yasuhiko Ishikawa: “SiGe stressors for band engineering of Ge photonic devices on Si”, 37th Electronic Materials Symposium (EMS37: 第37回電子材料シンポジウム), Nagahama, Shiga, October 11, 2018.

  7. 7.八子基樹、石川靖彦、和田一実:「トンネル状空隙の導入によるSi上Ge層の貫通転位密度低減」、電子情報通信学会電子デバイス研究会(ED)/シリコンデバイス・材料研究会(SDM)/電子部品・材料研究会(CPM)合同研究会、豊橋、平成30年5月25日.

  8. 8.八子基樹、石川靖彦、和田一実:「Si基板上逆リブ構造Ge選択成長層における貫通転位密度低減」、第65回応用物理学会春季学術講演会、早稲田大学、東京、平成30年3月19日.

  9. 9.藤方潤一、野口将高、川下和樹、高橋重樹、西村道治、小野英輝、志村大輔、高橋博之、八重樫浩樹、石川靖彦、中村 隆宏:「Ge/Siリブ導波路構造を用いた電界吸収型光変調器の検討II」、第65回応用物理学会春季学術講演会、早稲田大学、東京、平成30年3月19日.

  10. 10.[チュートリアル講演] 石川靖彦:「Si上へのGe層のエピタキシャル成長と受光素子応用」、電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究専門委員会(LQE)2018年2月研究会「受光技術の新しい地平」、LQE2017-152、古河電工横浜事業所、横浜、平成30年2月23日.

  11. 11.[招待講演] 石川靖彦:「Si上Ge層を用いた集積受発光デバイス技術」、2017年電子情報通信学会ソサイエティ大会、東京都市大学、東京、平成29年9月13日.

  12. 12.[招待講演] 石川靖彦:「Si上Geエピタキシャル層を用いた近赤外集積受光器と発光素子応用」、日本学術振興会 半導体界面制御技術第154委員会 第103回研究会、キャンパスイノベーションセンター(CIC)東京、東京、平成29年5月9日.

  13. 13.川手美希、伊藤和貴、石川靖彦:「n型Si基板上に作製したGe-pinフォトダイオードの評価」、第64回応用物理学会春季学術講演会、パシフィコ横浜、横浜、平成29年3月16日.

  14. 14.西村道治、大坂次郎、石川靖彦:「SOQ基板上にエピタキシャル成長したGe層の光学的評価」、第64回応用物理学会春季学術講演会、パシフィコ横浜、横浜、平成29年3月16日.

  15. 15.東垂水直樹、河合直行、石川靖彦:「成長後アニールによる高濃度n型Geの発光増強(2)」、第64回応用物理学会春季学術講演会、パシフィコ横浜、横浜、平成29年3月16日.

  16. 16.宮坂祐司、石川靖彦:「Ge/SiGeヘテロ接合アバランシェフォトダイオードの作製(2)」、第64回応用物理学会春季学術講演会、パシフィコ横浜、横浜、平成29年3月16日.

  17. 17.八子基樹、石川靖彦、和田一実:「Si基板上逆リブ構造Ge選択成長層における貫通転位密度低減」、第64回応用物理学会春季学術講演会、パシフィコ横浜、横浜、平成29年3月16日.

  18. 18.伊藤和貴、宮坂祐司、石川靖彦:「Si上Geフォトダイオードの暗電流に対するGe初期成長条件の影響」、第77回応用物理学会秋季学術講演会、朱鷺メッセ、新潟、平成28年9月16日.

  19. 19.西村道治、石川靖彦:「ひずみSiGeを用いたSi上Ge層のバンドエンジニアリング」、第77回応用物理学会秋季学術講演会、朱鷺メッセ、新潟、平成28年9月15日.

  20. 20.[招待講演] 石川靖彦:「Si上へのGe成長と光デバイス応用」、NTTデバイスイノベーションセンターセミナー、厚木、平成28年9月6日.

  21. 21.Kazuki Ito, Yuji Miyasaka, and Yasuhiko Ishikawa: “Effect of initial stage of Ge growth on dark leakage current in near-infrared Ge photodiodes on Si”, 35th Electronic Materials Symposium (EMS35: 第35回電子材料シンポジウム), Moriyama, Shiga, July 7, 2016.

  22. 22.Naoki Higashitarumizu, Kazumi Wada and Yasuhiko Ishikawa: “Effects of post-growth annealing temperature on photoluminescence from phosphorus doped n+ Ge on Si”, 35th Electronic Materials Symposium (EMS35: 第35回電子材料シンポジウム), Moriyama, Shiga, July 7, 2016.

  23. 23.Michiharu Nishimura, Yasuhiko Ishikawa and Kazumi Wada: “Strain engineering in Ge photonic devices on Si using a cross beam structure”, 35th Electronic Materials Symposium (EMS35: 第35回電子材料シンポジウム), Moriyama, Shiga, July 6, 2016.

  24. 24.東垂水直樹、和田一実、石川靖彦:「成長後アニールによる高濃度n型Geの発光増強」、第63回応用物理学会春季学術講演会、東京工業大学、東京都目黒区、平成28年3月20日.

  25. 25.永友翔、菊田真也、星野聡彦、石川靖彦:「レーザーアニールを用いたSi上Ge pinフォトダイオードの高性能化(2)」、第63回応用物理学会春季学術講演会、東京工業大学、東京都目黒区、平成28年3月20日.

  26. 26.宮坂祐司、開達郎、岡﨑功太、土澤泰、山本剛、和田一実、石川靖彦:「Ge/SiGeヘテロ接合アバランシェフォトダイオードの作製」、第63回応用物理学会春季学術講演会、東京工業大学、東京都目黒区、平成28年3月20日.

  27. 27.石川靖彦、宮坂祐司、伊藤和貴、永友翔、和田一実:「Si上Ge層を用いた近赤外受光器の高性能化」、電子情報通信学会光エレクトロニクス研究会、沖縄大学、沖縄県那覇市、平成28年2月19日.[信学技報, vol. 115, no. 453, OPE2015-227, pp. 65-68, 2016年2月11日.]

  28. 28.[招待講演] 和田一実、石川靖彦:「シリコンフォトニクス - LSIプロセスによる電光集積-」、応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会–材料・プロセス・デバイス特性の物理–」、東レ研修センター、三島、平成28年1月21日.

  29. 29.Yuji Miyasaka, Tatsurou Hiraki, Kota Okazaki, Kotaro Takeda, Tai suchizawa, Koji Yamada, Kazumi Wada, and Yasuhiko Ishikawa: “Epitaxial growth of Ge-rich SiGe layers for Ge/SiGe heterojunction avalanche photodiodes on Si”, 34th Electronic Materials Symposium (EMS34: 第34回電子材料シンポジウム), Moriyama, Shiga, July 16, 2015.

  30. 30.Naoki Higashitarumizu and Yasuhiko Ishikawa: “Effect of excitation power density on photoluminescence from n+-Ge on Si”, 34th Electronic Materials Symposium (EMS34: 第34回電子材料シンポジウム), Moriyama, Shiga, July 16, 2015.

  31. 31.Yasuhiko Ishikawa: “Introduction”, Special Session “Silicon Photonics -Future Prospects of Silicon-based Photodevices- (シリコンフォトニクス -シリコンを利用する光デバイスの可能性-)”, 34th Electronic Materials Symposium (EMS34: 第34回電子材料シンポジウム), Moriyama, Shiga, July 16, 2015.

  32. 32.宮坂祐司、石川靖彦、開達郎、岡﨑功太、武田浩太郎、土澤泰、山田浩治、和田一実:「Ge/SiGeヘテロ接合アバランシェフォトダイオード」、第62回応用物理学会春季学術講演会、平塚、平成27年3月12日.

  33. 33.東垂水直樹、石川靖彦:「Geの顕微フォトルミネセンスにおける励起光強度密度の影響」、第62回応用物理学会春季学術講演会、平塚、平成27年3月12日.

  34. 34.東垂水直樹、石川靖彦:「IV族およびIII-V族半導体の顕微フォトルミネセンス〜発光スペクトルから分かること〜」、NTTサイエンスプラザ2014、厚木、平成26年11月21日.

  35. 35.宮坂祐司、石川靖彦:「SiGeとGeのヘテロ接合を用いた受光デバイス〜断崖を入口に〜」、NTTサイエンスプラザ2014、厚木、平成26年11月21日.

  36. 36.永友翔、川俣勇太、井澤友策、星野聡彦、石川靖彦:「レーザーアニールを用いたSi上Ge pinフォトダイオードの高性能化」、第75回応用物理学会秋季学術講演会、札幌、平成26年9月18日.

  37. 37.[チュートリアル講演] K. Yamada, T. Tsuchizawa, H. Nishi, R. Kou, T. Hiraki, K. Takeda, H. Fukuda, Y. Ishikawa, K. Wada and T. Yamamoto: “Silicon Photonics: Present Status and Future Prospect (シリコンフォトニクス:歴史と将来展望)” 33rd Electronic Materials Symposium (EMS33: 第33回電子材料シンポジウム), Izu, Shizuoka, July 11 2014.

  38. 38.Akinobu Fujimoto, Tatsuji Kaiwa, Gaku Hodoshima, Sho Nagatomo, and Yasuhiko Ishikawa: “Narrowing of direct bandgap in Ge induced by micro-mechanical stress (機械的応力印加による Ge の直接遷移バンドギャップ縮小)”, 33rd Electronic Materials Symposium (EMS33: 第33回電子材料シンポジウム), Izu, Shizuoka, July 11 2014.

  39. 39.永友翔、石川靖彦:「Si上薄膜Ge pinフォトダイオードにおける成長後アニールの影響」、第61回応用物理学会春季学術講演会、相模原、平成26年3月19日.

  40. 40.海和達史、石川靖彦、和田一実:「フォトルミネセンス測定によるGe微細梁構造のバンドギャップ評価」、電子情報通信学会シリコン・フォトニクス時限研究専門委員会第20回シリコンフォトニクス研究会、東京都目黒区、平成25年10月.

  41. 41.Kakuro Hirai, Takahiro Araki, Jingnan Cai, Kazumi Wada, Yasuhiko Ishikawa, Katsuyoshi Hayashi, Tsutomu Horiuchi, Yuzuru Iwasaki, Yuko Ueno, and Emi Tamechika: “Biosensing application of silicon photonic crystal waveguides having air-band optical cavity (エアバンド光共振器を有するシリコンフォトニック結晶導波路のバイオセンシング応用)”, 32nd Electronic Materials Symposium (EMS32: 第32回電子材料シンポジウム), Moriyama, Shiga, July 10, 2013.

  42. 42.Sho Nagatomo and Yasuhiko Ishikawa: “High-field properties of Ge pin photodiodes on Si (Si上Ge フォトダイオードを用いた高電界下Geの電気特性評価)”, 32nd Electronic Materials Symposium (EMS32: 第32回電子材料シンポジウム), Moriyama, Shiga, July 10, 2013.

  43. 43.平井格郎、荒木貴裕、蔡靖楠、和田一実、石川靖彦、林勝義、堀内勉、岩崎弦、上野祐子、為近恵美:「エアバンド光共振器を有するシリコンフォトニック結晶バイオセンサ」、第60回応用物理学会春季学術講演会、厚木、平成25年3月.

  44. 44.海和達史、堀江優、和田一実、石川靖彦:「微細梁構造を用いたSi上Geのバンドギャップ制御」、第60回応用物理学会春季学術講演会、厚木、平成25年3月.

  45. 45.武田浩太郎、開達郎、土澤泰、西英隆、高磊、福田浩、石川靖彦、和田一実、山田 浩治:「LバンドにおけるWG型ゲルマニウムPDの高電圧駆動特性」、第60回応用物理学会春季学術講演会、厚木、平成25年3月.

  46. 46.[招待講演] 石川靖彦:「Si上Ge層を用いたアクティブ光デバイス」、光産業技術振興協会フォトニックデバイス・応用技術研究会2012年第3回研究会、東京都江東区、平成24年10月.

  47. 47.畔柳亮、Luan Nguyen、土澤泰、石川靖彦、山田浩司、和田一実:「歪を制御したゲルマニウム中のフランツケルディシュ効果」、第73回応用物理学会学術講演会、松山、平成24年9月.

  48. 48.荒木貴裕、Jingnan Cai、石川靖彦、和田一実、林勝義、堀内勉、岩崎弦、為近恵美:「部分スロット共振器を有する一次元シリコンフォトニック結晶光導波路 のバイオセンシング応用」、第73回応用物理学会学術講演会、松山、平成24年9月.

  49. 49.Jingnan Cai、住江健介、豊田紀章、石川靖彦、和田一実:「ガスクラスターイオンビームによるシリコン導波路のトリミング」、第73回応用物理学会学術講演会、松山、平成24年9月.

  50. 50.水野泰孝、石川靖彦、和田一実:「SiO2および SiNxマスクを用いた超高真空化学気相成長法でのGe選択成長」、第73回応用物理学会学術講演会、松山、平成24年9月.

  51. 51.開達郎、土澤泰、西英隆、高磊、福田浩、石川靖彦、和田一実、山田浩治:「Si-石英-Ge光プラットフォームにおけるGeフォトダイオードの高速化」、第73回応用物理学会学術講演会、松山、平成24年9月.

  52. 52.西英隆、土澤泰、高磊、開達郎、福田 浩、石川靖彦、和田一実、山田 浩治:「ワンチップWDMレシーバに向けた石英系AWGとGe PDの Si プラットフォーム上モノリシック集積」、電子情報通信学会光エレクトロニクス(OPE)研究専門委員会2012年8月研究会、仙台、平成24年8月.

  53. 53.[招待講演] 土澤泰、西英隆、高磊、福田浩、篠島弘幸、石川靖彦、和田一実、山田浩治:「石英・シリコン融合導波路プラットフォームによる高密度・高機能フォトニック集積」、電子情報通信学会2012年総合大会、岡山、平成24年3月.

  54. 54.堀江優、石川靖彦、和田一実:「応力印加によるフォトニック結晶L3共振器の波長制御」、第59回応用物理学関係連合講演会、東京、平成24年3月.

  55. 55.畔柳亮、石川靖彦、和田一実:「応力によるゲルマニウムのバンド構造変化の理論検討」、第59回応用物理学関係連合講演会、東京、平成24年3月.

  56. 56.瀧内孝輝、吉田篤徳、石川靖彦、和田一実、土澤泰、渡邉俊文、山田浩治、板橋聖一:「Si-on-Insulator上n+Geマイクロディスク共振器構造の発光特性の評価」、第59回応用物理学関係連合講演会、東京、平成24年3月.

  57. 57.水野泰孝、畔柳亮、石川靖彦、和田一実:「導波路結合型変調器作製のためのゲルマニウム選択成長の研究」、第59回応用物理学関係連合講演会、東京、平成24年3月.

  58. 58.海和達史、和田一実、石川靖彦:「微細梁構造を用いたSi上Ge(001)層への一軸性応力印加 - 面内結晶方位の影響 -」、第59回応用物理学関係連合講演会、東京、平成24年3月.

  59. 59.開達郎、高磊、西英隆、土澤泰、篠島弘幸、福田浩、石川靖彦、和田一実、山田 浩治:「高濃度n型Siコンタクト層によるSi導波路結合型 Ge フォトダイオードの高速化」、第59回応用物理学関係連合講演会、東京、平成24年3月.

  60. 60.[招待講演] 石川靖彦:「Geを利用したシリコンフォトニクス用発光デバイス」、電子情報通信学会シリコン・フォトニクス時限研究専門委員会第16回シリコンフォトニクス研究会、調布、平成23年11月.

  61. 61.堀江優、石川靖彦、和田一実:「GaAs/Ge/Si 梁構造を用いた機械的応力印加による GaAs 層からの発光波 長変化」、第72回応用物理学会学術講演会、山形、平成23年9月.

  62. 62.畔柳亮、石川靖彦、和田一実:「パターン化した Si 上 Ge 層の光吸収特性の理論検討」、第72回応用物理学会学術講演会、山形、平成23年9月.

  63. 63.[招待講演] 石川靖彦:「シリコン・ゲルマニウムフォトニクスの現状と将来展望」、光協会マンスリーセミナー、東京、平成23年7月.

  64. 64.[招待講演] 石川靖彦、Jingnan Cai、和田一実:「シリコンフォトニクス –センシングとイメージング-」、電子情報通信学会次世代ナノ研究専門委員会研究会「シリコンフォトニクスからプラズモニクス – 通信応用からセンシング, イメージング応用 -」、材料デバイスサマーミーティング 2011、東京、平成23年6月.

  65. 65.髙田陽一、鈴木亮太、朴成鳳、大坂次郎、石川靖彦、和田一実:「水素脱離のGe成長に与える効果とSi上Ge-pin ダイオードのリーク電流低減」、第58回応用物理学関係連合講演会、厚木、平成23年3月.

  66. 66.北秀治、石川靖彦、和田一実:「ゲルマニウムに対する保護膜としてのシリコンゲルマニウム」、第58回応用物理学関係連合講演会、厚木、平成23年3月.

  67. 67.畔柳亮、石川靖彦、和田一実:「電界吸収型光変調器応用のための誘電体薄膜によるゲルマニウムのひずみ制御」、第58回応用物理学関係連合講演会、厚木、平成23年3月.

  68. 68.[招待講演]石川靖彦:「シリコンフォトニクスの現状と動向」、エイトラムダフォーラム2010第4回会合、東京、平成22年12月.

  69. 69.高磊、山田浩治、渡辺俊文、土澤泰、西英隆、朴成鳳、篠島弘幸、石川靖彦、和田一実、板橋 聖一:「VOA-PD集積デバイスを用いた高速光強度レベル制御」、電子情報通信学会2010年ソサイエティ大会、大阪、平成22年9月.

  70. 70.Jingnan Cai、吉本幸平、Laurent Decosterd、石川靖彦、和田一実:「シリコン梁上導波路構造を用いたひずみ印加によるバンドギャップ制御」、第71回応用物理学会学術講演会、長崎、平成22年9月.

  71. 71.堀江優、Laurent D´ecosterd、鈴木亮太、大坂次郎、石川靖彦、和田一実:「SOI 上 GaAs 梁構造を用いた III-V 族半導体における発光波長の制御」、第71回応用物理学会学術講演会、長崎、平成22年9月.

  72. 72.畔柳 亮、石川靖彦、和田一実:「ゲルマニウム電界吸収型光変調器のダイオード領域電気特性評価」、第71回応用物理学会学術講演会、長崎、平成22年9月.

  73. 73.髙田陽一、鈴木亮太、朴成鳳、大坂次郎、石川靖彦、和田一実:「水素脱離によるGe-pinダイオードの逆方向電流の低減」、第71回応用物理学会学術講演会、長崎、平成22年9月.

  74. 74.矢内章博、和田一実、石川靖彦:「光照射下での陽極酸化によるポーラスSiの光散乱効果」、第71回応用物理学会学術講演会、長崎、平成22年9月.

  75. 75.吉田篤徳、石川靖彦、和田一実:「量子閉じ込め効果を利用した1.3m帯におけるSi/Ge光変調器」、第71回応用物理学会学術講演会、長崎、平成22年9月.

  76. 76.[招待講演]石川靖彦:「学術創成研究報告:微小Ge領域のX線回折評価について」、日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第145研究会第121回研究会、東京、平成22年7月.

  77. 77.高磊、山田浩治、渡辺俊文、土澤泰、西英隆、パクソンボン、篠島弘幸、石川靖彦、和田 一実、板橋聖一:「VOA-PDモノリシック集積デバイスを用いた光強度レベル制御」、第57回応用物理学関係連合講演会、平塚、平成22年3月.

  78. 78.Jingnan Cai、石川靖彦、和田一実:「シリコンリング共振器によるOH基の近赤外吸収測定」、第57回応用物理学関係連合講演会、平塚、平成22年3月.

  79. 79.堀江優、高田陽一、大坂次郎、石川靖彦、和田一実:「CMOSバックエンドプロセスに向けたSi基板上Geの選択熱処理の手法」、第57回応用物理学関係連合講演会、平塚、平成22年3月.

  80. 80.畔柳亮、石川靖彦、和田一実:「格子歪みを用いたゲルマニウム電界吸収型光変調器の動作波長制御」、第57回応用物理学関係連合講演会、平塚、平成22年3月.

  81. 81.鈴木亮太、吉本幸平、石川靖彦、和田一実:「梁構造による歪みGeの可変型中赤外光源応用の検討」、第57回応用物理学関係連合講演会、平塚、平成22年3月.

  82. 82.吉本幸平、鈴木亮太、Jingnan Cai、石川靖彦、和田一実:「シリコン梁構造を用いたひずみ印加によるバンドギャップ制御」、第57回応用物理学関係連合講演会、平塚、平成22年3月.

  83. 83.[招待講演]石川靖彦:「IEEE Photonics Society Annual meeting 2009報告:
    Ge Photo Detectors in Silicon Photonicsを中心に」、電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス/フォトニックネットワーク/光エレクトロニクス/電磁会理論合同研究会、京都、平成22年1月.

  84. 84.高田陽一、朴成鳳、大坂次郎、石川靖彦、和田一実:「水素脱離のSi基板上Geエピタキシャル成長層に与える効果」、電子情報通信学会シリコンフォトニクス時限研究会第12回研究会、東京、平成21年11月.

  85. 85.P. H. Lim, J. Cai, Y. Ishikawa and K. Wada: “C-band Electrorefractive Modulation in a SiGe Ring Resonator”, 電子情報通信学会シリコンフォトニクス時限研究会第12回研究会、東京、平成21年11月.

  86. 86.Jingnan Cai、石川靖彦、和田一実:「スロット導波路を用いた分子センシングの検討」、第70回応用物理学会学術講演会、富山、平成21年9月.

  87. 87.土澤泰、山田浩治、渡辺俊文、篠島弘幸、西英隆、板橋聖一、朴成鳳、石川靖彦、和田一実:「Si細線導波路型可変光減衰器とGe受光器のモノリシック集積」、第70回応用物理学会学術講演会、富山、平成21年9月.

  88. 88.[招待講演]石川靖彦、和田一実:「リング共振器における高輝度シリコン発光と歪Ge直接ギャップの可能性」、第56回応用物理学関係連合講演会、つくば、平成21年3月.

  89. 89.[招待講演]石川靖彦:「シリコンフォトニクスにおける受光素子」、電子情報通信学会2009年総合大会、松山、平成21年3月.

  90. 90.Sungbong Park, Shinya Takita, Yasuhiko Ishikawa, Jiro Osaka, Kazumi Wada: “Low dark-current Ge photodiodes on Si with intrinsic-Si-layer insertion”, 電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス/フォトニックネットワーク/光エレクトロニクス/電磁会理論合同研究会、京都、平成21年1月.

  91. 91.大崎龍介、石川靖彦、山下善文、上浦洋一、和田一実:「熱酸化を用いたSi量子井戸とエルビウム添加」、電子情報通信学会光エレクトロニクス研究会、東京、平成20年12月.

  92. 92.[招待講演]石川靖彦:「ゲルマニウム受光器」、(社)電子情報技術産業協会平成20年度第4回シリコンフォトニクス技術分科会、東京、平成20年11月.

  93. 93.朴成鳳、滝田真也、市川竜三、石川靖彦、大坂次郎、和田一実:「As-grown Geを用いたpin diodeの逆方向電流の低減」、第69回応用物理学会学術講演会、春日井、平成20年9月.

  94. 94.沖田陽祐、朴成鳳、石川靖彦、大坂次郎、和田一実、D. R. Lim:「Si上選択成長Geエピの転位と熱処理による低減」、第69回応用物理学会学術講演会、春日井、平成20年9月.

  95. 95.[招待講演]石川靖彦:「シリコン上ゲルマニウム受光素子 - 現状と将来 -」、電子情報通信学会シリコンフォトニクス時限研究会第9回研究会、仙台、平成20年7月.

  96. 96.林世云、小林洋介、石川靖彦、和田一実:「Siリング共振器における発光増幅」、第55回応用物理学関係連合講演会、船橋、平成20年3月.

  97. 97.朴成鳳、石川靖彦、和田一実:「UHV-CVD法により成長したSi基板上Ge層を用いたフォトダイオードの評価」、第55回応用物理学関係連合講演会、船橋、平成20年3月.

  98. 98.[招待講演]石川靖彦、和田一実:「Si上Ge受光素子」、財団法人光産業技術振興協会「シリコンフォトニクス技術フォーラム」、東京、平成20年3月.

  99. 99.Shiyun Lin, Yosuke Kobayashi, Yasuhiko Ishikawa, and Kazumi Wada: “PL evaluation of Si ring resonators”, 電子情報通信学会OPE/SiPH合同研究会、東京、平成19年12月.

  100. 100.Sungbong Park, Yasuhiko Ishikawa, Tai Tsuchizawa, Toshifumi Watanabe, Koji Yamada, Seiichi Itabashi and Kazumi Wada: “Ge Photodetectors integrated with Si waveguides via selective epitaxial growth”, 電子情報通信学会OPE/SiPH合同研究会、東京、平成19年12月.

  101. 101.[シンポジウム招待講演]朴成鳳、石川靖彦、土澤泰、渡辺俊文、山田浩治、板橋聖一、和田一実:「選択成長を用いたSi光導波路上Geフォトディテクタ」、第68回応用物理学会学術講演会、札幌、平成19年9月.

  102. 102.[招待講演]石川靖彦、和田一実:「シリコンフォトニクスとゲルマニウム受光デバイス」、平成19年度第二回フォトニックデバイス・応用技術研究会、東京、平成19年7月.

  103. 103.[招待講演]石川靖彦、和田一実:「シリコンフォトニクスと高速光デバイス」、電子情報通信学会超高速光エレクトロニクス時限研究会平成19年度第二回超高速光エレクトロニクス研究会「超高速光デバイスおよび材料の今後の展開 - 超100Gbit/s時代の到来に向けて -」、東京、平成19年7月.

  104. 104.河野健一郎、石川靖彦、和田一実、岸本直樹:「Si基板上に直接成長させたGe薄膜のラマン分光」、第54回応用物理学関係連合講演会、相模原、平成19年3月.

  105. 105.朴成鳳、石川靖彦、土澤泰、渡辺俊文、山田浩治、板橋聖一、和田一実:「オンチップフォトディテクタのためのSi上Ge選択成長」、第54回応用物理学関係連合講演会、相模原、平成19年3月.

  106. 106.[シンポジウム招待講演]和田一実、石川靖彦:「オンチップ光インターコネクション」、第67回応用物理学会学術講演会、滋賀県草津市、平成18年8月.

  107. 107.有田正志、石川善仁、浜田弘一、高橋庸夫、柴山環樹、石川靖彦、田部道晴:「SOI極薄バイクリスタルにおける転位ネットワーク」、第67回応用物理学会学術講演会、滋賀県草津市、平成18年8月.

  108. 108.ラトノ・ヌルヤディ、石野敏也、山野竜一、石川靖彦、田部道晴:「転位網を内包したSOI-MOSFETにおける光照射の効果」、第67回応用物理学会学術講演会、滋賀県草津市、平成18年8月.

  109. 109.石野敏也、山本智寛、石川靖彦、ラトノ・ヌルヤディ、田部道晴:「人工転位網を内包したSOI-MOSFETの輸送特性」、第53回応用物理学関係連合講演会、東京、平成18年3月.

  110. 110.[シンポジウム招待講演]田部道晴、ラトノ・ヌルヤディ、石川靖彦、池田浩也:「SOI構造を用いたSiマルチドット単電子トンネルFET」、第53回応用物理学関係連合講演会、東京、平成18年3月.

  111. 111.[招待講演]石川靖彦、和田一実:「シリコンマイクロフォトニクス」、日本学術振興会未踏・ナノデバイステクノロジー第151委員会第75回研究会(第125委員会合同研究会)「光機能デバイスとナノテクノロジー」、志摩、平成18年2月.

  112. 112.石川靖彦、山本智寛、田部道晴:「人工転位網を内包したSOI構造を用いたシリコンナノデバイス」、電子情報通信学会ED/SDM合同研究会、札幌、平成18年1月.

  113. 113.Ratno Nuryadi、石川靖彦、田部道晴:「Si多重ドット構造における単一フォトン誘起誘起ランダム・テレグラフ・シグナル」、電子情報通信学会ED/SDM合同研究会、札幌、平成18年1月.

  114. 114.[招待講演]田部道晴、ラトノ・ヌルヤディ、石川靖彦、池田浩也:「2次元マルチドット型Si単電荷デバイスと単一フォトン検出への応用」、NAIST科学技術セミナー、奈良、平成17年11月.

  115. 115.ラトノ・ヌルヤディ、池田浩也、石川靖彦、田部道晴:「二次元多重ドット構造における光誘起ランダム・テレグラフ・シグナルのシミュレーション」、第66回応用物理学会学術講演会、徳島、平成17年9月.

  116. 116.永田大輔、ザイナル ブヌハヌディン、ラトノ・ヌルヤディ、石川靖彦、田部道晴:「転位網を内包したSOI層の熱凝集現象」、第66回応用物理学会学術講演会、徳島、平成17年9月.

  117. 117.石川靖彦、山本智寛、田部道晴:「人工転位網を内包したSOI-MOSFETの輸送特性」、第66回応用物理学会学術講演会、徳島、平成17年9月.

  118. 118.[招待講演]田部道晴、石川靖彦、ラトノ・ヌルヤディ、池田浩也:「SOI構造を用いたSiトンネルデバイスと光応答」、日本学術振興会第151委員会研究会、東京、平成17年5月.

  119. 119.[招待講演]田部道晴、石川靖彦、ラトノ・ヌルヤディ、池田浩也:「ナノスケールSOI構造を用いたSiトンネルデバイス」、日本学術振興会薄膜第131委員会研究会「LSIにおける薄膜技術」、東京、平成17年4月.

  120. 120.ザイナル・ブルハヌディン、ラトノ・ヌルヤディ、石川靖彦、小野行徳、田部道晴:「極薄SOI(111)層の熱凝集によるSi細線およびアイランド形成」、第52回応用物理学関係連合講演会、さいたま、平成17年3月.

  121. 121.ラトノ・ヌルヤディ、池田浩也、石川靖彦、田部道晴:「Si多重ドット構造における光誘起ランダム・テレグラフ・シグナル」、第52回応用物理学関係連合講演会、さいたま、平成17年3月.

  122. 122.ダニエル モラル、加藤拓、石川靖彦、田部道晴:「単結晶Si/SiO2/単結晶Si貼り合わせ構造におけるFN振動」、第52回応用物理学関係連合講演会、さいたま、平成17年3月.

  123. 123.石川靖彦、今井泰宏、池田浩也、小野行徳、田部道晴:「SOI細線の熱凝集現象におけるパターン加工プロセスの影響」、第65回応用物理学会学術講演会、仙台、平成16年9月.

  124. 124.池田浩也、伊藤誠、ラトノ・ヌルヤディ、石川靖彦、田部道晴:「ランダム系多重ドットトランジスタの単電子特性シミュレーション」、第65回応用物理学会学術講演会、仙台、平成16年9月.

  125. 125.ラトノ・ヌルヤディ、池田浩也、石川靖彦、田部道晴:「Si多重ドット構造における単正孔トンネル電流の電荷極性効果」、第65回応用物理学会学術講演会、仙台、平成16年9月.

  126. 126.渡邉照芳、前田正彦、今井泰宏、石川靖彦、池田浩也、田部道晴:「アルカリ金属元素をドープした絶縁膜の表面電位測定(II)」、第65回応用物理学会学術講演会、仙台、平成16年9月.

  127. 127.石川靖彦、長田浩平、池田浩也、田部道晴:「Si/SiO2共鳴トンネル構造におけるSi井戸層のドット化効果」、電子情報通信学会ED/CPM/SDM合同研究会、浜松、平成16年5月.

  128. 128.渡邉照芳、八百山智之、前田正彦、今井泰宏、石川靖彦、田部道晴:「Si上絶縁膜中へのアルカリイオンの導入と帯電状態(I)」、電気化学会第71回大会、横浜、平成16年3月.

  129. 129.石川靖彦、長田浩平、ラトノ・ヌルヤディ、池田浩也、田部道晴:「Si/SiO2二重障壁構造におけるSi井戸層のドット化効果」、第51回応用物理学関係連合講演会、八王子、平成16年3月.

  130. 130.山内一晃、山本智寛、石川靖彦、小野行徳、池田浩也、田部道晴:「欠陥アレイを有するSOI層の形成とAFM観察」、第51回応用物理学関係連合講演会、八王子、平成16年3月.

  131. 131.池田浩也、ラトノ・ヌルヤディ、石川靖彦、田部道晴:「二次元多重ドットチャネルトランジスタの単電子特性シミュレーション」、第51回応用物理学関係連合講演会、八王子、平成16年3月.

  132. 132.ラトノ・ヌルヤディ、池田浩也、石川靖彦、田部道晴:「二次元Si多重ドット構造における単正孔トンネル電流の光照射効果」、第51回応用物理学関係連合講演会、八王子、平成16年3月.

  133. 133.渡邉照芳、八百山智之、前田正彦、今井泰宏、石川靖彦、田部道晴:「アルカリ金属イオンを添加した絶縁膜の表面電位(I)」、第51回応用物理学関係連合講演会、八王子、平成16年3月.

  134. 134.池田浩也、ラトノ・ヌルヤディ、石川靖彦、田部道晴:「シリコン多重ドット構造における単電子伝導の光応答特性」、電子情報通信学会シリコンデバイス・材料研究会、奈良、平成15年12月.

  135. 135.ラトノ・ヌルヤディ、池田浩也、石川靖彦、田部道晴:「2次元Si連結ドットデバイスにおける単電子・単正孔特性」、第64回応用物理学会学術講演会、福岡、平成15年9月.

  136. 136.池田浩也、長田浩平、山内一晃、石川靖彦、田部道晴:「Si/SiO2二重障壁ダイオードにおける電荷蓄積現象」、第64回応用物理学会学術講演会、福岡、平成15年9月.

  137. 137.石川靖彦、今井泰宏、平川祐介、池田浩也、田部道晴:「パターン加工による熱凝集Siアイランドの配列制御」、第64回応用物理学会学術講演会、福岡、平成15年8月.

  138. 138.石川靖彦、今井泰宏、ラトノ・ヌルヤディ、池田浩也、田部道晴:「極薄SOI構造の熱凝集現象とパターニングの効果」、電子情報通信学会ED/CPM/SDM合同研究会、豊橋、平成15年5月.

  139. 139.今井泰宏、石川靖彦、池田浩也、田部道晴:「細線状に加工した極薄SOI層の熱凝集現象」、第50回応用物理学関係連合講演会、横浜、平成15年3月.

  140. 140.ラトノ・ヌルヤディ、水野武志、石川靖彦、池田浩也、田部道晴:「薄いSOI層を用いたSi連結ドットデバイスの作製と電気的特性」、第50回応用物理学関係連合講演会、横浜、平成15年3月.

  141. 141.杉木幹生、澤田和明,石川靖彦,池田浩也、石田誠、田部道晴:「SOI型シリコンナノフィールドエミッタの電子放出特性」、第50回応用物理学関係連合講演会、横浜、平成15年3月.

  142. 142.[招待講演]田部道晴、池田浩也、石川靖彦:「シリコンナノ構造トンネルデバイス−共鳴トンネル、単電子トンネル、フィールドエミッション−」、奈良先端科学技術大学院大学特別講演、奈良、平成15年2月.

  143. 143.[招待講演]池田浩也、水野武志、石川靖彦、田部道晴:「SOI基板を用いたシリコン量子トンネルデバイス」、応用物理学会シリコンテクノロジー分科会「シリコン新機能デバイス・シリコンナノテクノロジー研究委員会」合同研究会、東京、平成14年11月.

  144. 144.[招待講演]田部道晴、池田浩也、石川靖彦:「量子SOI構造の作製とトンネルデバイスへの応用」、応用物理学会中国四国支部研究会「SOIおよびTFTデバイス技術の現状と将来展望」、松江、平成14年11月.

  145. 145.[招待講演]田部道晴、池田浩也、石川靖彦:「シリコンナノ構造トンネルデバイス−共鳴トンネル、単電子トンネル、フィールドエミッション−」、山口大学電気電子工学科講演会、宇部、平成14年11月.

  146. 146.田部道晴、岩崎正憲、池田浩也、石川靖彦:「FN tunneling-induced decoherence in Si/SiO2 resonant tunneling」、CREST量子相関機能研究会、伊豆熱川、平成14年10月.

  147. 147.石川靖彦、和田一実、Douglas D. Cannon、Jifeng Liu、Hsin-Chiao Luan、Lionel C. Kimerling:「Siマイクロフォトニクスにおける光検出素子-Si基板上Geフォトダイオード-」、第4回高柳健次郎記念シンポジウム、浜松、平成14年10月.

  148. 148.岩崎正憲、山内一晃、石川靖彦、池田浩也、田部道晴:「Si/SiO2二重障壁構造における電子輸送過程の解明」、第63回応用物理学会学術講演会、新潟、平成14年9月.

  149. 149.池田浩也、ラトノ・ヌルヤディ、本間芳和、石川靖彦、田部道晴:「極薄SOI層熱凝集過程のその場観察」、第63回応用物理学会学術講演会、新潟、平成14年9月.

  150. 150.上村崇史、溝口昌史、ラトノ・ヌルヤディ、水野武志、石川靖彦、田部道晴:「極薄SOIを用いた連結量子ドットの作製とI-V測定」、第49回応用物理学関係連合講演会、東京、平成14年3月.

  151. 151.ラトノヌルヤディ、平川祐介、本間芳和、石川靖彦、田部道晴:「薄いSOI層熱凝集領域中心部の観察」、第49回応用物理学関係連合講演会、東京、平成14年3月.

  152. 152.石原大阿、岩崎正憲、石川靖彦、田部道晴:「単結晶Si/SiO2二重障壁構造の作製とI-V特性」、第62回応用物理学会学術講演会、豊田、平成13年9月.

  153. 153.上村崇史、溝口昌史、水野武志、石川靖彦、田部道晴:「KFMによるSOI上pn接合の表面電位測定」、第62回応用物理学会学術講演会、豊田、平成13年9月.

  154. 154.杉木幹生、澤田和明、石田誠、石川靖彦、田部道晴:「熱酸化膜で覆われたSiナノ突起からの電子放出」、第62回応用物理学会学術講演会、豊田、平成13年9月.

  155. 155.伊藤雄一、杉木幹生、横井清人、澤田和明、石田誠、石川靖彦、田部道晴:「複合構造をもつSiナノ突起からの電子放出」、第62回応用物理学会学術講演会、豊田、平成13年9月.

  156. 156.石原大阿、岩崎正憲、土屋敏章、石川靖彦、田部道晴:「シリコン量子井戸構造の作製と評価」、電子情報通信学会電子デバイス研究会,シリコンデバイス・材料研究会,電子部品・材料研究会合同研究会、浜松、平成13年5月.

  157. 157.岩月誠、杉木幹生、澤田和明、石田誠、石川靖彦、田部道晴:「Siナノ突起からの電子放出とその形状効果」、第48回応用物理学関係連合講演会、東京、平成13年3月.

  158. 158.ラトノ・ヌルヤディ、石川靖彦、田部道晴:「SOI基板における極薄Si層の熱凝集現象とその機構」、第48回応用物理学関係連合講演会、東京、平成13年3月.

  159. 159.川崎隆弘、上村崇史、水野武志、石川靖彦、田部道晴:「KFMによるSOI-MOS構造の表面電位測定」、第48回応用物理学関係連合講演会、東京、平成13年3月.

  160. 160.田部道晴、石川靖彦:「シリコンのナノスケール選択酸化とデバイス応用」、応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第27回研究会、東京、平成13年3月.

  161. 161.石川靖彦、田部道晴、澤田和明、石田誠:「Siナノ構造における電界集中とトンネル電流」、電子情報通信学会電子デバイス研究会,シリコンデバイス・材料研究会合同研究会、札幌、平成13年2月.

  162. 162.澤田和明、田部道晴、石川靖彦、岩月誠、石田誠:「シリコンナノ突起からの電界電子放出」、電子情報通信学会電子デバイス研究会、仙台、平成12年12月.

  163. 163.田部道晴、澤田和明、石川靖彦、石田誠:「シリコンナノ構造からの電子放出」、平成12年表面科学会中部支部研究会、浜松、平成12年12月.

  164. 164.石川靖彦、田部道晴:「Siナノ構造における電界集中効果」、第2回高柳健次郎記念シンポジウム、浜松、平成12年12月.

  165. 165.田部道晴、ラトノ・ヌルヤディ、石川靖彦:「貼り合わせSOI構造における極薄Si層の熱凝集現象」、応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第5回ミニ学術講演会、東京、平成12年10月.

  166. 166.石川靖彦、久米澤稔、田部道晴:「SOIを用いて形成したSi量子井戸およびSi量子ドット構造のXPS測定」、第61回応用物理学会学術講演会、札幌、平成12年9月.

  167. 167.川崎隆弘、水野武志、石川靖彦、田部道晴:「KFMによる極薄SOI層の表面電位測定」、第61回応用物理学会学術講演会、札幌、平成12年9月.

  168. 168.Ratno Nuryadi、石川靖彦、田部道晴:「極薄SOI基板における熱誘起構造変化とその機構」、第61回応用物理学会学術講演会、札幌、平成12年9月.

  169. 169.澤田和明、岩月誠、田部道晴、石川靖彦、石田誠:「ナノスケールのシリコンフィールドエミッタの制作と電子放出特性」、第61回応用物理学会学術講演会、札幌、平成12年9月.

  170. 170.岩月誠、澤田和明、石川靖彦、石田誠、田部道晴:「Siナノ突起の電界集中効果と電子放出」、第61回応用物理学会学術講演会、札幌、平成12年9月.

  171. 171.石川靖彦:「Si量子ドット構造への単電子トンネル注入の光応答特性」、平成11年度第7回新世代研究所研究助成成果報告会、東京、平成12年7月.

  172. 172.石川靖彦、小杉真章、田部道晴:「ナノスケールのラフネスをもつSi/SiO2界面のC-V測定による評価」、第47回応用物理学関係連合講演会、東京、平成12年3月.

  173. 173.小杉真章、岩月誠、石川靖彦、田部道晴:「成長モード選択酸化を利用したSiドット形成」、第47回応用物理学関係連合講演会、東京、平成12年3月.

  174. 174.ラトノ・ヌルヤディ、久米澤稔、水野武志、石川靖彦、田部道晴:「極薄SOI層の熱凝集初期過程」、第47回応用物理学関係連合講演会、東京、平成12年3月.

  175. 175.石川靖彦、小杉真章、久米澤稔、ラトノヌルヤディ、田部道晴:「高密度Si量子ドットの形成と電気的特性評価」、平成11年表面科学会中部支部研究会、浜松、平成11年12月.

  176. 176.石川靖彦、水野武志、田部道晴:「トンネル埋め込みSiO層をもつ極薄SOI構造のC-V測定による評価」、第60回応用物理学会学術講演会、神戸、平成11年9月.

  177. 177.川崎隆弘、久米澤稔、石川靖彦、田部道晴:「シリコンドットを有するSOI表面のKFMによる電位測定」、第60回応用物理学会学術講演会、神戸、平成11年9月.

  178. 178.小杉真章、久米澤稔、石川靖彦、田部道晴:「ナノメータラフネスを形成したSi表面のMOSC-V特性」、第60回応用物理学会学術講演会、神戸、平成11年9月.

  179. 179.ラトノ・ヌルヤディ、石川靖彦、田部道晴:「SOIにおけるSiアイランドの自己形成とその配列化」、第60回応用物理学会学術講演会、神戸、平成11年9月.

  180. 180.[シンポジウム招待講演]田部道晴、石川靖彦、久米澤稔、ラトノ・ヌルヤディ:「SOI基板を利用したSi/SiOナノ界面の形成」、第60回応用物理学会学術講演会、神戸、平成11年9月.

  181. 181.石川靖彦、田部道晴:「Si高密度量子ドットの形成と評価」、文部省科学研究費補助金特定領域研究(A)「単電子デバイスとその高密度集積化」平成11年度第1回研究会、千歳、平成11年8月.

  182. 182.石川靖彦、牧田繁典、小杉真章、水野武志、田部道晴:「トンネル埋め込み酸化膜をもつ極薄SOI構造のC-V特性」、電子情報通信学会電子デバイス研究会、宇部、平成11年4月.

  183. 183.石川靖彦、牧田繁典、田部道晴:「極薄埋め込みSiO層をもつSOI構造のC-V特性」、第46回応用物理学関係連合講演会、野田、平成11年3月.

  184. 184.川崎隆弘、ラトノ・ヌルヤディ、石川靖彦、田部道晴:「熱凝集させたSOI表面のKFMによる電位測定」、第46回応用物理学関係連合講演会、野田、平成11年3月.

  185. 185.ラトノ・ヌルヤディ、石川靖彦、田部道晴:「貼り合わせSOIにおける極薄Si層の熱凝集現象」、第46回応用物理学関係連合講演会、野田、平成11年3月.

  186. 186.久米澤稔、石川靖彦、田部道晴:「極薄SOI基板表面のXPS測定」、第46回応用物理学関係連合講演会、野田、平成11年3月.

  187. 187.小杉真章、牧田繁典、久米澤稔、石川靖彦、田部道晴:「極薄埋め込みSiO上高密度SiドットのC-V特性」、第46回応用物理学関係連合講演会、野田、平成11年3月.

  188. 188.石川靖彦、田部道晴:「SOI基板を用いたSiドットの形成」、文部省科学研究費補助金特定領域研究(A)「単電子デバイスとその高密度集積化」平成10年度第3回研究会、つくば、平成11年1月.

  189. 189.[招待講演]田部道晴、石川靖彦:「選択酸化によるシリコン量子ドットの形成とデバイス応用」、東京大学物性研究所・短期研究会「表面新物質・表面ナノ構造・化合物表面の物理・化学・応用物理−自然な、あるいは人工的な表面特殊構造とその物性−」、東京、平成11年1月.

  190. 190.[招待講演]田部道晴、石川靖彦:「Siナノ構造の形成とデバイス応用」、第18回表面科学講演大会、東京、平成10年12月.

  191. 191.石川靖彦、久米澤稔、牧田繁典、田部道晴:「SOIを用いたSiナノ構造の形成と電気特性」、東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究「Ⅳ族半導体極微構造形成と表面・界面制御に関する研究」研究会、蔵王、平成10年10月.

  192. 192.牧田繁典、石川靖彦、張建華、土屋敏章、田部道晴:「極薄埋め込みSiO2層を持つSOI構造のC-V特性」、第59回応用物理学会学術講演会、東広島、平成10年9月.

  193. 193.久米澤稔、牧田繁典、石川靖彦、田部道晴:「極薄埋め込みSiO2上の高密度Siドットの形成」、第59回応用物理学会学術講演会、東広島、平成10年9月.

  194. 194.[シンポジウム招待講演]田部道晴、石川靖彦:「極薄SOI基板を用いたSiナノ構造の形成と界面の役割」、第59回応用物理学会学術講演会、東広島、平成10年9月.

  195. 195.石川靖彦、鶴見直大、福井孝志、長谷川英機:「走査トンネル顕微鏡によるMBE成長GaAs(110)表面の評価(2)」、第45回応用物理学関係連合講演会、八王子、平成10年3月.

  196. 196.川瀬誠、石川靖彦、本久順一、福井孝志:「MOVPE成長によるGaAs(113)B表面の原子配列」、第45回応用物理学関係連合講演会、八王子、平成10年3月.

  197. 197.鶴見直大、武藤守道、石川靖彦、長谷川英機:「Si界面制御層形成のためのGaAs初期表面の検討」、第45回応用物理学関係連合講演会、八王子、平成10年3月.

  198. 198.川瀬誠、石川靖彦、本久順一、福井孝志:「GaAs(113)B表面のUHV-STM観察」、第33回応用物理学会北海道支部学術講演会、札幌、平成10年1月.

  199. 199.鶴見直大、石川靖彦、福井孝志、長谷川英機:「(2×4)面上に極薄くSiを堆積したMBE成長GaAs表面のSTMによる評価」、第33回応用物理学会北海道支部学術講演会、札幌、平成10年1月.

  200. 200.福井孝志、石川靖彦:「光干渉法を用いたGaAs/AlGaAs選択成長のその場観察」、日本学術振興会薄膜第131委員会第189回研究会、平成9年12月.

  201. 201.石川靖彦、鶴見直大、福井孝志、長谷川英機:「走査トンネル顕微鏡によるMBE成長GaAs(110)表面の評価」、第58回応用物理学会学術講演会、秋田、平成9年10月.

  202. 202.鶴見直大、石川靖彦、福井孝志、長谷川英機:「Siを極薄く堆積したGaAs(2×4)表面の走査型トンネル顕微鏡による評価」、第58回応用物理学会学術講演会、秋田、平成9年10月.

  203. 203.川瀬誠、石川靖彦、本久順一、福井孝志:「MOVPE成長によるGaAs(113)B表面のUHV-STM観察」、第58回応用物理学会学術講演会、秋田、平成9年10月.

  204. 204.石川靖彦、福井孝志、長谷川英機:「走査型トンネル顕微鏡による-Ⅴ族化合物半導体(2×4)表面の構造評価」、第44回応用物理学関係連合講演会、船橋、平成9年3月.

  205. 205.橋詰保、石川靖彦、長谷川英機:「LT-GaAs結晶の深い準位のふるまい」、第44回応用物理学関係連合講演会、船橋、平成9年3月.

  206. 206.石川靖彦、福井孝志、長谷川英機:「走査型トンネル顕微鏡によるSiドープInPおよびGaAs(2×4)表面の評価」、第32回応用物理学会北海道支部合同学術講演会、北見、平成8年12月.

  207. 207.石崎順也、石川靖彦、福井孝志:「GaAs及びAlAs表面のUHV-STM観察」、第32回応用物理学会北海道支部合同学術講演会、北見、平成8年12月.

  208. 208.橋詰保、塩原俊介、石川靖彦、長谷川英機:「MBE低温成長GaAsの主要電子トラップ」、電子情報通信学会電子デバイス研究会、札幌、平成8年11月.

  209. 209.石川靖彦、福井孝志、長谷川英機:「走査型トンネル顕微鏡によるGaAsおよびInP(001)-(2×4)構造の評価」、第57回応用物理学会学術講演会、福岡、平成8年9月.

  210. 210.石崎順也、石川靖彦、福井孝志:「MOVPE成長微傾斜GaAs表面のUHV-STM観察(Ⅱ)」、第57回応用物理学会学術講演会、福岡、平成8年9月.

  211. 211.石川靖彦、福井孝志、長谷川英機:「走査型トンネル顕微鏡による(001)InP表面再構成の観察(2)」、第43回応用物理学関係連合講演会、埼玉、平成8年3月.

  212. 212.石崎順也、大栗一敦、石川靖彦、福井孝志:「MOVPE成長微傾斜GaAs表面のUHV-STM観察」、第43回応用物理学関係連合講演会、埼玉、平成8年3月.

  213. 213.石川靖彦、楊炳雄、宇野正一、福井孝志、長谷川英機:「走査型トンネル顕微鏡によるInP表面のAs-P置換反応の評価」、第31回応用物理学会北海道支部合同学術講演会、小樽、平成8年1月.

  214. 214.新木盛郎、石川靖彦、橋詰保、長谷川英機:「InP微傾斜基板表面におけるAs4分子線照射P-As置換反応」、第31回応用物理学会北海道支部合同学術講演会、小樽、平成8年1月.

  215. 215.戸田覚、石崎順也、大栗一敦、石川靖彦、本久順一、福井孝志:「MOVPE法によるGaAs多段原子ステップ形成におけるSiドーピングによる影響」、第31回応用物理学会北海道支部合同学術講演会、小樽、平成8年1月.

  216. 216.石崎順也、大栗一敦、石川靖彦、福井孝志:「MOVPE成長時の微傾斜GaAs表面におけるステップバンチング機構」、第31回応用物理学会北海道支部合同学術講演会、小樽、平成8年1月.

  217. 217.戸田覚、石崎順也、大栗一敦、石川靖彦、本久順一、福井孝志:「MOVPE法によるGaAs多段原子ステップ形成における不純物の影響」、平成7年電気関係学会北海道支部連合大会、札幌、平成7年10月.

  218. 218.石川靖彦、楊炳雄、宇野正一、福井孝志、長谷川英機:「InP表面におけるAs-P置換反応の超空STMによる評価」、第56回応用物理学会学術講演会、金沢、平成7年8月.

  219. 219.楊炳雄、石川靖彦、小瀬木毅、長谷川英機:「走査型トンネル顕微鏡による(001)InP表面再構成の観察」、第56回応用物理学会学術講演会、金沢、平成7年8月.

  220. 220.石崎順也、大栗一敦、石川靖彦、福井孝志:「MOVPE成長GaAsのステップバンチング機構の考察」、第56回応用物理学会学術講演会、金沢、平成7年8月.

  221. 221.石川靖彦、中越一彰、熊倉一英、本久順一、福井孝志、長谷川英機:「MOCVD選択成長における光学的その場観察法」、第42回応用物理学関係連合講演会、平塚、平成7年3月.

  222. 222.小瀬木毅、石川靖彦、楊炳雄、長谷川英機:「ガスソースMBE法によるInP成長膜の表面状態の検討」、第42回応用物理学関係連合講演会、平塚、平成7年3月.

  223. 223.石川靖彦、友澤秀征、葛西誠也、福井孝志、長谷川英機:「大気中STMによるGaAs表面電子状態による評価」、第30回応用物理学会北海道支部講演会、釧路、平成6年11月.

  224. 224.石川靖彦、友澤秀征、葛西誠也、福井孝志、長谷川英機:「GaAs表面電子状態の大気中AFM/STMによる評価」、平成6年度電気関係学会北海道支部連合大会、室蘭、平成6年10月.

  225. 225.石川靖彦、友澤秀征、葛西誠也、福井孝志、長谷川英機:「大気中AFM/STMによる化合物半導体表面電子状態の評価」、第55回応用物理学会学術講演会、名古屋、平成6年9月.

  226. 226.石川靖彦、後藤修、葛西誠也、福井孝志、長谷川英機:「化合物半導体表面微細構造の溶液中AFMによる評価(4)」、第41回応用物理学関係連合講演会、川崎、平成6年3月.

  227. 227.後藤修、石川靖彦、福井孝志、長谷川英機:「アルキル基脱離律速原子層エピタキシにおける成長機構の検討」、第41回応用物理学関係連合講演会、川崎、平成6年3月.

  228. 228.石川靖彦、後藤修、福井孝志、長谷川英機:「溶液中における化合物半導体表面のAFMによる評価(2)」、第29回応用物理学会北海道支部学術講演会、札幌、平成6年1月.

  229. 229.後藤修、石川靖彦、福井孝志、長谷川英機:「アルキル基脱離律速エピタキシの成長メカニズムの考察」、第29回応用物理学会北海道支部学術講演会、札幌、平成6年1月.

  230. 230.後藤修、石川靖彦、福井孝志、長谷川英機:「GaAs微傾斜基板上にADL-ALE成長したGaAs表面の評価」、平成5年度電気関係学会北海道支部連合大会、札幌、平成5年10月.

  231. 231.石川靖彦、後藤修、福井孝志、長谷川英機:「化合物半導体表面微細構造の溶液中AFMによる評価(3)」、第54回応用物理学会学術講演会、札幌、平成5年9月.

  232. 232.後藤修、石川靖彦、福井孝志、長谷川英機:「アルキル基脱離律速原子層エピタキシにおけるステップ高さの制御」、第54回応用物理学会学術講演会、札幌、平成5年9月.

  233. 233.石井宏辰、石川靖彦、福井孝志、長谷川英機:「化合物半導体表面微細構造の溶液中AFMによる評価(2) - フォースカーブの解釈 -」、第40回応用物理学関係連合講演会、東京、平成5年3月.

  234. 234.石井宏辰、石川靖彦、福井孝志、長谷川英機:「溶液中における化合物半導体表面のAFMによる評価」、第28回応用物理学会北海道支部学術講演会、旭川、平成4年10月.



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