過去の博士・修士論文

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本研究室の博士・修士論文を紹介します。

博士論文

2014年度

浦上 法之歪補償構造を有するSi基板上III-V族希薄混晶半導体発光素子に関する研究

2012年度

李 昌勇III族窒化物半導体とSi回路を組み合わせたインテリジェントUVセンサの開発

2011年度

Shin Sang BaieHeterogeneous Optoelectronic Integrated Circuits Combined with Micro-LED Arrays and CMOS Drivers

2010年度

朴 志鎬Effect of Doping Process on Luminescence Capability in Rare Earth Doped III-Nitride Semiconductor
山根 啓輔Si/III-V-N/Siヘテロ構造の欠陥抑制技術に基づいた異種デバイス融合に関する研究

2009年度

梅野 和行直接遷移型無転位量子井戸を用いたSi上発光デバイス形成に関する研究

2008年度

畠中 奨有機金属気相成長法によるIII-V-N/Siヘテロエピタキシーと光・電子デバイスへの応用

2005年度

李 禹鎭ナノ結晶半導体太陽電池の作製と評価に関する研究

2004年度

徐 光鐘パルスレーザ堆積法で作製した酸化亜鉛(ZnO)系混晶半導体に関する研究

2003年度

三崎貴生ZnGeN2半導体の結晶成長と光学特性に関する研究
中西康夫III族窒化物半導体中に添加した希土類元素の発光特性に関する研究

修士論文

2015年度2014年度2013年度2012年度2011年度2010年度2009年度2008年度2007年度2006年度2005年度2004年度2003年度2002年度2001年度2000年度1999年度1998年度

2015年度

若原研究室

加藤 基弘表面波プラズマによる低温成膜技術の開発
佐藤 一貴ポリマー基板上への多結晶シリコン薄膜の低温成膜
蛭田 恭仁GaN選択再成長によるプレーナ型GaN-LEDの研究
麦倉 俊Si基板上格子整合系多接合太陽電池に向けたGaAsPN混晶の成長
森山 真至アンモニア交互供給によるGaPN混晶の有機金属気相成長に関する研究

岡田研究室

篠原 正俊窒化物半導体トランジスタに向けた表面波プラズマ化学気相堆積法によるシリコン系絶縁膜の形成
彦坂 朋輝化学気相堆積法を用いた窒化物半導体 - 絶縁体界面の形成と評価

関口研究室

鎌田 拓歩Eu,Mg共添加GaNの光学的特性評価による発光サイトの解析
齋藤 洸希ナノシリカ粒子を用いた窒化物半導体ナノ構造の作製に関する検討
田原 浩行波長安定型発光デバイス応用に向けたEu添加GaN活性層の高効率発光に関する検討
西川 聡志Eu添加GaNナノコラムの作製とその光学的特性に関する研究

2014年度

若原研究室

Ousmane Barry 1AlGaN/AlN heterostructure back-illuminated Schottky Barrier Diode dor Ultravioret-C Detection
石丸 貴博表面波プラズマ有機金属化学気相成長法によるSi薄膜の成長反応過程の検討
大黒 智寛ターシャリーブチルヒドラジンを用いたGaPNの有機金属気相成長に関する研究
越智 聖高感度紫外線センサ用Si信号読み出し回路の研究
河井 康宏GaNへのSiイオン注入技術の開発とプレーナ型発光ダイオード実現に関する研究

岡田研究室

川上 恭平AlGaN/GaN絶縁ゲートトランジスタに向けたシリコン窒化膜形成プロセスの研究
永原 亮光学的・電気的特性評価によるグラフェンの電子線照射効果の検討

関口研究室

金本 匡祥Eu添加AlGaNへのMg共添加による発光サイト制御に関する研究

2013年度

若原研究室

伊藤 宏成Siと格子整合可能な面発光レーザ用AlGaPN系光共振器に関する研究
高田 明成UVイメージセンサに向けたAlGaNフォトダイオードアレイの作製
勝間田 智之リアルタイムテラヘルツイメージングに向けたリニアアレイ型検出器に関する研究
土山 和晃大規模光電子集積回路に向けたGaN系微小LEDに関する研究
松村 亮太Mg共添加GaN:Euにおける発光強度増大効果に関する研究

岡田研究室

松岡 勝彦表面窒化法によるGaPNの電気的特性向上効果の検証に関する研究
丸山 大地Pt/GaNショットキバリアダイオードガスセンサの高感度化の検討

2012年度

若原研究室

大谷 龍輝Eu,Mg 共添加GaN を活性層とする低温度依存赤色発光ダイオードに関する研究
城ノ下 拓也モノリシック光電子集積回路に向けたSi/GaN/Al2O3 異種材料接合技術の検討
田中 誠造Si/III-V-N/Si 構造を用いた光入出力機能を有する光電子集積回路に関する研究
土屋 勇気大規模光電子集積回路に適合する赤外線検出器の基礎的検討

岡田研究室

熊澤 慶人半導体デバイスへの応用を目指したグラフェン転写技術の基礎的研究
都築 龍一高感度GaN系UVイメージセンサ用Si読み出し回路の研究
永本 勇矢熱的に安定化した窒素表面クラスターを用いた高品質III-V-N疑似混晶半導体の成長

2011年度

若原研究室

熊谷 啓助格子整合系III-V-N/Si系発光デバイスに向けたAlGaPN混晶の電気的特性に関する研究
深見 太志シリコンフォトニクス用発光素子活性層の高品質化に関する研究

岡田研究室

近藤 正樹Eu 添加GaN 系ヘテロ構造を用いた三端子型発光デバイスの作製条件の検討
飯島 光一郎GaN系発光ダイオードの高密度化と異種材料接合技術による光電子集積回路の検討

2010年度

若原研究室

浦上 法之Si上半導体レーザに向けた歪制御材料に関する研究
河合 剛格子整合系III-V-N/Si光デバイスに向けたAlGaPN混晶の成長と光閉じ込め構造に関する研究
諏訪 尊信Eu添加GaNのサイト選択エピタキシーとデバイス応用に関する研究
出口 裕輝基板貼り合わせ構造を用いたワンチップ光電子集積回路に関する研究
橋元 芳昇AlGaN系フォトダイオードを用いた高感度UVセンシングチップに関する研究

岡田研究室

河上 貴仁Si基板上多接合太陽電池に向けたGaPN光起電力素子に関する研究

2009年度

若原研究室

杉本 和謙希土類添加III 族窒化物半導体の導波路型光デバイスへの応用に向けた研究
秦 貴幸Eu添加AlGaN/GaNを用いた三端子型発光デバイスの作製
松野 文弥GaN 系フォトダイオードとSi 信号処理回路の一体化に関する研究
山田 真太郎格子整合系Si/III-V-N/Si ヘテロ界面における電気的特性の検討
吉田 圭吾Eu添加GaNを活性層とする発光素子に関する研究

岡田研究室

大西 智也有機金属気相成長法を用いたInGaPN を活性層とする発光ダイオードに関する研究
千葉 純一Si 集積回路上への一体化に向けたGaN 系発光ダイオードのアレイ化に関する研究
野口 健太光入出力機能を有する Si/III-V-N/Siモノリシック光・電子集積回路の作製

古川研究室

河田 康宏ITO を用いたモノリシックOEIC の裏面光取り出し構造の作製
光吉 三郎Si 基板上半導体レーザに向けた格子整合系III-V-N 混晶の発光特性に関する研究

2008年度

若原研究室

泉 佳太光伝導度過渡応答特性を用いたGaPN の電気伝導機構に関する研究
下條 貴史希土類添加AlGaN における光学利得特性の評価およびその光デバイスへの応用に関する研究
中西 快之有機金属気相成長法によるSi基板上III-V-N混晶層の高品質化と発光ダイオードの開発
中村 拓也培養型プレーナイオンチャネルバイオセンサーのノイズ解析

岡田研究室

成瀬 敦紀白金触媒をショットキー電極に用いたGaN 系CO ガスセンサの製作と応答特性の評価

古川研究室

岩橋 智Si/III-V-N/Si 構造におけるSi 成長層の不純物濃度低減と光電子集積回路の基本回路作製
小林 寛史Si 基板上発光ダイオードの高輝度化に向けたn 型GaPN 層の高品質化
野間 亮佑Si 基板上低次元量子構造に向けた直接遷移型III-V-N 混晶の検討

2007年度

米津研究室

山根 啓輔GaP/Siへテロエピタキシーにおける界面反応抑制による欠陥密度の低減

若原研究室

雨宮 正樹希土類添加Ⅲ族窒化物半導体二重異種接合型発光ダイオードに関する研究
伊藤 輝ウェハ融着法によるSi/GaN/α-Al2O3構造の実現
竹本 和正希土類添加III族窒化物半導体における発光機構の解明と発光素子への応用
箕原 大介Si/III-V-N/Si構造を用いた光入出力1次元エッジ検出回路に関する研究

2006年度

米津研究室

梅野 和行Si/III‐V‐N光電子集積回路に向けたIII‐V‐N量子井戸構造に関する研究

若原研究室

及川 文武希土類添加III族窒化物半導体の発光デバイス応用に関する研究
河合 洋明希土類添加III族窒化物半導体の導波路型光デバイスへの応用に関する研究
河野 達矢Si/III族窒化物系デバイスのモノリシック集積化に関する研究
酒井 健滋III族窒化物上のZnGeN2エピタキシャル成長層への不純物添加に関する研究
中井 宏光GaP中間層の初期過程制御によるGaPN/Siの高品質化に関する研究

2005年度

若原研究室

伊藤 真也有機金属気相成長法を用いたIII‐V‐N/GaP格子整合系ヘテロエピタキシーに関する研究
畠中 奨Si-GaN OEICをめざしたGaNヘテロエピタキシーに関する研究
島田 英里Siに格子整合可能なⅢ‐V‐N混晶のバンド構造に関する研究

米津研究室

佐藤 淳n形およびp形GaPNの電気的特性と発光特性に関する研究

2004年度

若原研究室

今西 友晴Siに格子整合したInxGa1-xP1-yNyのバンド構造に関する研究
藤原 徹也希土類イオンによる発光に及ぼすAlGaN混晶の効果に関する研究
重久 慶ZnxMg1-xGeN2薄膜の成長とその物性に関する研究
藤盛 敬雄γ-Al2O3/Si(111)基板上へのIII族窒化物半導体ヘテロエピタキシャル成長に関する研究

米津研究室

池田 毅光電子融合システムに向けた微小LED構造の検討
森田 芳郎GaPNの電気伝導度に与えるドーパントの影響
吉川 洋一Si/GaPN光電子融合システムの基本デバイスに関する研究

2003年度

若原研究室

市川 哲也球状Si太陽電池に関する研究
田中 亮太γ‐Al2O3/Si(111)基板上へのGaNへテロエピタキシャル成長に関する研究
津間 博基モノメチルシランを用いたAlGaNの伝導性制御に関する研究
若松 篤志α‐Al2O3(01-12)基板上へのβ‐FeSi2薄膜の作製と評価

吉田研究室

小林 貴行カーボンナノチューブの成長とその位置制御に関する研究
筒井 宣裕レーザアブレーション法によるZn1-xMgxO薄膜の作製と評価
夏目 諭CuInSe2薄膜の組成制御と放射線照射損傷に関する研究
山田 啓誉シンクロトロン放射光によるテフロンの加工と表面特性に関する研究

米津研究室

古賀 真之介AlNを絶縁膜として用いたSiC‐MIS構造に関する研究

2002年度

吉田研究室

井上 勉触媒金属の微細加工を応用したカーボンナノチューブの基板面内方向への成長に関する研究
木下 裕文遷移金属を添加したZnO薄膜の作製と評価
藤田 尚樹CuInSe2薄膜の放射線照射損傷とアニール効果の検討
松本 鋭介シンクロトロン放射光によるテフロンの微細加工に関する研究

若原研究室

今井 恒有機金属気相成長法によるAlInNの成長に関する研究
川村 延伸GaN系パワーデバイス用低コスト・高熱伝導基板へのGaN層形成に関する基礎研究
本川 和幸希土類添加AlxGa1-xN(0≦x≦1)の発光特性に関する研究

米津研究室

黒木 公治熱処理を施したGaPN混晶の電気的・光学的特性に関する研究

2001年度

吉田研究室

Nuttawuth Buthrath高周波スパッタリング法によるZnO結晶薄膜形成の検討
海江田 理放射線照射によるCuInSe2薄膜の損傷に関する研究
鈴木 篤ZnOを用いた色素増感太陽電池の作製と評価

若原研究室

安坂 信GaNのリモートプラズマ励起プロセスに関する研究
土屋 健司ZnGeN2の光学特性に関する研究

2000年度

吉田研究室

玄番 潤リモートプラズマ法によるGaN低温成長プロセスの開発
中島 基夫AlGaInN/GaNへテロエピタキシャル成長に関する研究
堀池正一郎原料交互供給法を用いたSiC気相エピタキシャル成長に関する研究
内田 実シンクロトロン放射光照射によるテフロン薄膜の作製と加工に関する研究

若原研究室

大石浩司γ-Al2O3/Si基板上へのGaNエピタキシャル成長に関する研究
川村 延伸GaN系パワーデバイス用低コスト・高熱伝導基板へのGaN層形成に関する基礎研究
中西 康夫希土類元素をイオン注入したGaNの発光特性に関する研究

1999年度

吉田研究室

佐藤 仁真空紫外光を用いた銅薄膜の作製
廣江 吉倫ZnO薄膜の伝導型制御に関する研究

若原研究室

山本 武則格子整合系窒化物半導体へテロ構造を目指したGaN基板の実現
呉 筱屏第一原理計算に基づく多元窒化物半導体の研究

1998年度

吉田研究室

大西 正人
北村 泰弘
早川 崇則

添付ファイル: filepaper2014.mht 124件 [詳細]
Last-modified: 2016-07-21 (木) 20:37:25 (427d)