研究業績

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2017年度2016年度2015年度2014年度2013年度2012年度2011年度

2017年度

学術論文

  1. H. Sekiguchi, M. Sakai, T. Kamada, H. Tateishi, A. Syouji and A. Wakahara: Optical sites in Eu- and Mg-codoped GaN grown by NH3-source molecular beam epitaxy, Applied Physcs Letters, 109 (2017) 151106.
  2. Keisuke Yamane, Masaya Goto, Kenjiro Takahashi, Kento Sato, Hiroto Sekiguchi, Hiroshi Okada, and Akihiro Wakahara: Growth of lattice-matched GaAsPN p-i-n junction on Si substrate for monolithic III–V/Si tandem solar cells, Applied Physics Express, 10 (2017) 075504.
  3. Keisuke Yamane, Kento Sato, Hiroto Sekiguchi, Hiroshi Okada, and Akihiro Wakahara: Doping control of GaAsPN alloys by molecular beam epitaxy for monolithic III-V/Si tandem solar cells, Journal of Crystal Growth, 473 (2017) 55.
  4. H. Oktavianto, K. Yamane, H. Sekiguchi, T. Hizawa, A. Wakahara: Hydrogen Flame Detector with Bioinspired Optoelectronic Integrated Circuit and Field-Programmable Gate Array Using Integrated Three-Dimensional System Architecture, Sensors and Materials, 29 (2017) 587.
  5. H. Sekiguchi, T. Imanishi, R. Matsuzaki, K. Ozaki, K. Yamane, H. Okada, K. Kishino, A. Wakahara: Stable-wavelength operation of Europium doped GaN nanocolumn light-emitting diodes grown by rf-plasma-assisted molecular beam epitaxy, Electronics Letters, 53 (2017) 666.
  6. Keisuke Yamane, Masashi Moriyama, Baliong Kerlee, Hiroto Sekiguchi, Hiroshi Okada, and Akihiro Wakahara: Metal organic vapor phase epitaxy of GaPN alloys assisted by surface nitridation using ammonia, Physica Status Solidi (B), 254 (2017) 16000483.

国際会議

  1. Hiroto Sekiguchi, Seiya Kamizuki, Kazuaki Tsuchiyama, Keisuke Yamane, Hiroshi Okada, Akihiro Wakahara, Si channeled Implantation in GaN in its Device Application, 9th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, 03aC02O, 2017, Mar. 1-5, Oral, Chubu Univeristy, Aichi, Japan.
  2. Akihiro Wakahara, Keisuke Yamane, Kento Sato, Masaya Goto, Kenjiro Takahashi, Hiroto Sekiguchi, Hiroshi Okada, Growth and device application of GaAsPN alloys on Si with lattice-matching conditions, JSAP 2017 Symposium Photovoltaic 4.0, 16p-304-3, 2017, Mar.14-17, Invited, Pacifico Yokohama, Kanagawa Japan.
  3. H. Okada, M. Baba, M. Furukawa, K. Yamane, H. Sekiguchi, and A. Wakahara, Characteristics of silicon dioxide dielectric film formed by chemical vapor deposition enhanced by atomic oxygen at ground state extracted from a surface-wave generated plasma, 2017 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2017), P-51, 2017, July 3-5, ポスター, Hotel Hyundai, Gyeongju-si, Korea.
  4. H. Okada, H. Sekiguchi, K. Yamane, A. Wakahara, Fabrication of GaN-based Depletion Type n-channel MOSFET Using Si Ion-implantation Technique Towards Integrated Circuit, 12th Topical Wirkshop on Heterostructure Microelectronics, 3_4, 2017, August 28-31, Poster, Hotel Kyocera, Kirishima, Kyushuu, Japan.
  5. Keisuke Yamane, Shun Mugikura, ShunsukeTanaka, Masaya Goto, Hiroto Sekiguchi, Hiroshi Okada, Akihiro Wakahra, Growth and device application of GaAsPN alloys on Si with lattice-matching conditions, American Conference on Crystal Growth and Epitaxy 2017 (ACCGE-2017), 9:00-9:20, 2017, July 30- August 4, Oral, Eldorado Hotel, SantaFe, New Mexico, USA.

国内会議

  1. 友保健介, 関口寛人, 山根啓輔, 岡田浩, 若原昭浩, 電流注入におけるEu添加GaNの発光サイト評価, 第40回光通信研究会, P3-25, 富士Calm人材開発センター富士研究所, 山梨県 富士吉田市, 2017.8.8-8.10.
  2. 尾崎耕平, 関口寛人,玉井良和, 山根啓輔, 岡田浩, 若原昭浩,岸野克巳, NH3-MBE法を用いたEu添加GaNナノコラムの成長, 第40回光通信研究会, P2-4, 富士Calm人材開発センター富士研究所, 山梨県 富士吉田市, 2017.8.8-8.10.
  3. 松崎良相,関口寛人,助川睦,尾崎耕平,山根啓輔,岡田浩,若原昭浩,岸野克巳, RF-MBE 法を用いたEu 添加GaN ナノコラムLED デバイスの作製, 第40回光通信研究会, P2-15, 8.8-8.10, 2017, 富士Calm人材開発センター富士研究所, 山梨県 富士吉田市, ポスター発表.
  4. 藤本純弥,山根啓輔,後藤聖也,関口寛人,岡田浩,若原昭浩, 基板再利用に向けたIII-V-N/Siエピタキシャルリフトオフ後の分離面の解析, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 7p-S21-22, 9.5-9.8, 2017, 福岡国際会議場, 福岡県福岡市, 口頭発表.
  5. 立原佳樹,山根啓輔,関口寛人,岡田浩,若原昭浩, GaPN混晶中の窒素に起因する点欠陥が格子定数に及ぼす影響の理論的検討, 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 6p-PA7-2, 9.5-9.8, 2017, 福岡国際会議場, 福岡県福岡市, ポスター発表.
  6. 馬場 真人,中村健人,岡田 浩,古川 雅一,山根 啓輔,関口 寛人,若原 昭浩, 表面波プラズマ励起化学気相堆積法によるシリコン酸化膜の堆積と評価(2), 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 6p-PA8-28, 9.5-9.8, 2017, 福岡国際会議場, 福岡県福岡市, ポスター発表.
  7. 松崎良相,関口寛人,助川睦,山根啓輔,岡田浩,岸野克巳,若原昭浩, RF-MBE 法を用いたEu添加GaNナノコラムLEDデバイスの作製, 日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電⼦デバイス 第162委員会 平成 29 年度特別事業企画 委員会 100 回記念特別公開シンポジウム, P04, 10.26-10.27, 2017, ロワジール豊橋, 愛知県豊橋市, ポスター発表.
  8. 中川翔太,土山和晃,宇都宮脩,山根啓輔,関口寛人,岡田浩,若原昭浩, Si/SiO2/GaN-LED 基板を用いた光電子集積回路の開発, 日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電⼦デバイス 第162委員会 平成 29 年度特別事業企画 委員会 100 回記念特別公開シンポジウム, P16, 10.26-10.27, 2017, ロワジール豊橋, 愛知県豊橋市, ポスター発表.
  9. 関口寛人,岡田浩,三輪清允,横山太一,山根啓輔,若原昭浩, GaN へのチャネリングイオン注入の開発と GaN-IC 作製に向けた GaN MOSFET の作製, 第36回電子材料シンポジウム, Th1-8, 11.8-11.10, 2017, 長浜ロイヤルホテル, 滋賀県長浜市, ポスター発表.
  10. 松崎良相,関口寛人,助川睦,山根啓輔,岡田浩,岸野克巳,若原昭浩, RF-MBE 法による Eu 添加 GaN ナノコラム LED デバイスの作製, 第36回電子材料シンポジウム, Th-2-1, 11.8-11.11, 2017, 長浜ロイヤルホテル, 滋賀県長浜市, ポスター発表.
  11. 助川睦,関口寛人,松崎良相,山根啓輔,岡田浩,岸野克巳,若原昭浩, RF 分子線エピタキシーによる Eu 添加 InGaN ナノコラムの成長, 第36回電子材料シンポジウム, Th3-7, 11.8-11.12, 2017, 長浜ロイヤルホテル, 滋賀県長浜市, ポスター発表.
  12. 尾崎耕平,関口寛人,玉井良和,山根啓輔,岡田浩,岸野克巳,若原昭浩, Ti マスクを用いた規則配列 Eu 添加 GaN ナノコラムの作製, 第36回電子材料シンポジウム, Th3-8, 11.8-11.13, 2017, 長浜ロイヤルホテル, 滋賀県長浜市, ポスター発表.
  13. 東幸幹,関口寛人,山根啓輔,岡田浩,若原昭浩,岸野克巳, RF-MBE 法を用いた Si(111)基板上への規則配列 GaN ナノコラムの成長, 第36回電子材料シンポジウム, Fr1-5, 11.8-11.14, 2017, 長浜ロイヤルホテル, 滋賀県長浜市, ポスター発表.
  14. 助川睦,関口寛人,松﨑良相,山根啓輔,岡田浩,岸野克己,若原昭浩, 自己形成Eu添加GaNナノコラムの光学特性評価, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 20p-E202-10, 3.17-3.20, 2018, 早稲田大学理工学キャンパス, 東京都新宿区, 口頭発表.
  15. 安永弘樹,関口寛人,若原昭浩, In vivo光刺激用GaN-μLEDプローブの作製, 第65回応用物理学会春季学術講演会, 17p-P11-7, 3.17-3.20, 2018, 早稲田大学理工学キャンパス, 東京都新宿区, ポスター発表.
  16. 関口寛人,安永弘樹,若原昭浩, 新規イメージングデバイスに実装する際に最適なLED光源の開発とその原理, 日本薬学会第138年会, S33-4, 3.25-3.28, 2018, ホテル金沢, 石川県金沢市, 口頭発表.
  17. 横山太一,三輪清允,岡田浩,関口寛人,山根啓輔,若原昭浩, イオン注入法による窒化物半導体の電気的特性の制御と集積回路への応用の検討(2), 第65回応用物理学会春季学術講演会, , 3.17-3.20, 2018, 早稲田大学理工学キャンパス, 東京都新宿区, ポスター発表.

2016年度

学術論文

  1. Noriyuki Urakami, Keisuke Yamane, Hiroto Sekiguchi, Hiroshi Okada, and Akihiro Wakahara: Molecular-beam epitaxy growth of dilute GaAsN alloys by surface nitridation, Journal of Crystal Growth, 435 (2016) 19.
  2. Hiroshi Okada, Masatoshi Shinohara, Yutaka Kondo, Hiroto Sekiguchi, Keisuke Yamane, Akihiro Wakahara: Investigation of HCl-based surface treatment for GaN devices, AIP conference proceeding, 1709 (2016) 020011.
  3. Hiroto Sekiguchi, Satoshi Nishikawa, Tomohiko Imanishi, Kohei Ozaki, Keisuke Yamane, Hiroshi Okda, Akihiro Wakahara: Structural and optical properties of Eu doped GaN nanocolumns on (111) Si substrates grown by rf-plasma assisted molecular beam epitaxy, Japanese Journal of Applied Physics, 55 (2016) 05FG07.
  4. Kazuaki Tsuchiyama, Keisuke Yamane, Hiroto Sekiguchi, Hiroshi Okada, Akihiro Wakahara: Fabrication of Si/SiO2/GaN structure by surface-activated bonding for monolithic integration of optoelectronic devices, Japanese Journal of Applied Physics, 55 (2016) 05FL01-1.
  5. Keisuke Yamane, Tohoru Matsubara, Takeshi Yamamoto, Narihito Okada, Akihiro Wakahara, Kazuyuki Tadatomo: Origin of lattice bowing of freestanding GaN substrates grown by HVPE, Journal of Applied Physcs, 119 (2016) 045707.
  6. Kazuaki Tsuchiyama, Keisuke Yamane, Shu Utsunomiya, Hiroto Sekiguchi, Hiroshi Okada, Akihiro Wakahara: Monolithic integration of Si-MOSFET and GaN-LED using Si/SiO2/GaN-LED wafer, Applied Physics Express, 9 (2016) 104101-1.

国際会議

  1. Akihiro Wakahara, Hiroto Sekiguch, and Masaru Sakai, Stable Luminous Eu Site with High Excitation Efficiency in NH3-MBE Grown GaN co-Doped with Mg, The 2016 Materials Research Society Fall Meeting, EM2.9.04, 2016, Nov.27-Dec.2, Invited, Massachusetts, Boston, USA.
  2. K. Tsuchiyama, K. Yamane, S. Utsunomiya, S. Nakagawa, Y. Tachihara, H. Sekiguchi, H. Okada and A. Wakahara, “Monolithic integration of Si-MOSFETs and GaN-µLEDs using Si/SiO2/GaN-LED structure” European Materials Research Society 2016 Fall Meeting (E-MRS 2016 Fall), Warsaw University of Technology, Warsaw, Poland, Sep. 19-22th, 2016.
  3. K. Sato, K. Yamane, M. Goto, K. Takahashi, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “Doping control of GaAsPN grown by molecular beam epitaxy toward monolithic III-V/Si tandem solar cells” European Materials Research Society 2016 Fall Meeting (E-MRS 2016 Fall), Warsaw University of Technology, Warsaw, Poland, Sep. 19-22th, 2016.
  4. K. Yamane, T. Matsubara, N. Okada, A. Wakahara, K. Tadatomo, “Structural origin of lattice bowing of freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy” European Materials Research Society 2016 Fall Meeting (E-MRS 2016 Fall), Warsaw University of Technology, Warsaw, Poland, Sep. 19-22th, 2016.
  5. K. Boualiong, K. Yamane, M. Moriyama, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “Metalorganic vapor phase epitaxy growth of GaPN alloys assisted by surface nitridation with ammonia” 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS-43), Toyama International Conference Center, Toyama, Japan, June. 26-30, 2016.
  6. T. Imanishi, H. Sekiguchi, S. Nishikawa, K. Ozaki, K. Yamane, H. Okada, K. Kishino, and A. Wakahara, "Eu concentration dependence of Eu doped GaN nanocolumns grown by RF-plasma-assisted molecular beam epitaxy", 43th International Symposium on Compound Semiconductor (ISCS2016), WeB1-4, 2016, Jan. 26-30, Oral, Toyama international conference center, Toyama, Japan.

国内会議

  1. 土山和晃、宇都宮脩、中川翔太、山根啓補、関口寛人、岡田浩、若原昭浩, 超大規模光電子融合チップのための基盤構造およびモノリシック集積型GaN-µLED用駆動回路の開発, 電子情報通信学会レーザー・量子エレクトロニクス研究会, , 3月13日, 2017, 京都大学桂キャンパス, 京都府京都市, 口頭発表.
  2. 山根啓輔,佐藤健人,関口寛人,岡田浩,若原 昭浩, ヘテロ成長により作製したSi基板上III-V-N太陽電池構造のエピタキシャルリフトオフ, 第64回応用物理学会春季学術講演会, 14p-B6-14, 3.14-3.17, 2017, パシフィコ横浜, 神奈川県横浜市, 口頭発表.
  3. 関口寛人,今西智彦,伊達浩平,立石紘己,山根啓輔,岡田 浩,岸野克巳,若原昭浩, 規則配列GaNナノコラム上へのInGaN:Eu/GaN量子井戸の形成 , 第64回応用物理学会春季学術講演会, 14a-503-6, 3.14-3.17, 2017, パシフィコ横浜, 神奈川県横浜市, 口頭発表.
  4. 岡田浩,関口寛人,上月誠也,山根啓輔,若原 昭浩, イオン注入法による窒化物半導体の電気的特性の制御と集積回路への応用の検討, 第64回応用物理学会春季学術講演会, 14a-315-8, 3.14-3.17, 2017, パシフィコ横浜, 神奈川県横浜市, 口頭発表.
  5. 関口寛人、酒井優、若原昭浩, Eu,Mg共添加GaNにおける単一発光サイトの観測 , 第64回応用物理学会春季学術講演会, 17p-503-10, 3.14-3.17, 2017, パシフィコ横浜, 神奈川県横浜市, 口頭発表.
  6. 中川翔太、土山和晃、宇都宮脩、山根啓輔、関口寛人、岡田浩、若原昭浩, Si/SiO2/GaN-LED基板を用いたモノリシック型CMOS/LED混載集積回路の作製, 第64回応用物理学会春季学術講演会, 16a-503-7, 3.14-3.17, 2017, パシフィコ横浜, 神奈川県横浜市, 口頭発表.
  7. 松崎良相、関口寛人、今西智彦、尾崎耕平、山根啓輔、岡田浩、若原昭浩、岸野克巳, RF-MBE 法を用いたEu 添加GaN ナノコラムLED デバイスの作製, 第64回応用物理学会春季学術講演会, 16p-503-10, 3.14-3.17, 2017, パシフィコ横浜, 神奈川県横浜市, 口頭発表.
  8. 尾崎耕平、関口寛人、今西智彦、山根啓輔、岡田浩、若原昭浩、岸野克巳, NH3-MBE法を用いたEu添加GaNナノコラムの成長, 第64回応用物理学会春季学術講演会, 14a-503-7, 3.14-3.17, 2017, パシフィコ横浜, 神奈川県横浜市, 口頭発表.
  9. 友保健介、関口寛人、立石紘己、山根啓輔、岡田浩、若原昭浩, RF-MBE法を用いたEu添加GaNを活性層とする赤色LEDの作製, 第64回応用物理学会春季学術講演会, 16a-503-3, 3.14-3.17, 2017, パシフィコ横浜, 神奈川県横浜市, 口頭発表.
  10. 佐藤 健人、山根 啓輔、後藤 聖也、高橋 賢二郎、関口 寛人、岡田 浩、若原 昭浩, 多接合太陽電池に向けたSi基板上格子整合系GaAsPN p-i-n接合の結晶成長 , 第64回応用物理学会春季学術講演会, 17a-B5-1, 3.14-3.17, 2017, パシフィコ横浜, 神奈川県横浜市, 口頭発表.
  11. 橘髙 昂志、山根 啓輔、Boualiong Kerlee、関口 寛人、岡田 浩、若原 昭浩, 表面窒化法によるGaPN混晶の成長における窒素取り込み機構の検討, 第64回応用物理学会春季学術講演会, 17p-P2-3, 3.14-3.17, 2017, パシフィコ横浜, 神奈川県横浜市, ポスター発表.
  12. 馬場 真人、近藤 佑隆、岡田 浩、古川 雅一、山根 啓輔、関口 寛人、若原 昭浩, 表面波プラズマ励起化学気相堆積法によるシリコン酸化膜の堆積と評価, 第64回応用物理学会春季学術講演会, 16a-P4-8, 3.14-3.17, 2017, パシフィコ横浜, 神奈川県横浜市, ポスター発表.
  13. 土山和晃、関口寛人、新田遼、安永弘樹、山根啓輔、岡田浩、若原昭浩, 光電子集積回路の実現に向けたGaN-µLED/PDとシクロオレフィン系ポリマー導波路のモノリシック集積に関する検討, 第64回応用物理学会春季学術講演会, 16a-503-8, 3.14-3.17, 2017, パシフィコ横浜, 神奈川県横浜市, 口頭発表.
  14. 高橋 賢二郎、山根 啓輔、佐藤 健人、後藤 聖也、関口 寛人、岡田 浩、若原 昭浩, Si基板上格子整合系GaAsPN p-i-n接合の電気的特性評価, 第64回応用物理学会春季学術講演会, 17a-B5-2, 3.14-3.17, 2017, パシフィコ横浜, 神奈川県横浜市, 口頭発表.

解説記事

  1. 関口寛人, "希土類添加窒化物半導体による赤色発光素子の開発", OPTRONICS, 411, 120 (2016).

2015年度

学術論文

  1. M. Kanemoto, H. Sekiguchi, K. Yamane, H. Okada, A. Wakahara, “Eu3+ luminescence properties of Eu- and Mg-codoped AlGaN”, Journal of Luminescence,166 (2015) 60-66.
  2. K. Yamano, K. Kishino, H. Sekiguchi, T. Oto, A. Wakahara, Y. Kawakami, "Novel selective area growth method for regularly arranged AlGaN nanocolumns using nanotemplates". Journal of Crystal Growth 425 (2015) 316.

国際会議

  1. S. Nishikawa, H. Sekiguchi, T. Imanishi, K. Yamane, H. Okada, K. Kishino, A. Wakahara, "Growth of Eu doped GaN nanocolumns grown by rf-plasma-assisted molecular beam epitaxy", The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides, Tu-B24Act City Hamamatsu, Hamamatsu, Japan, Nov. 8-13, 2015.
  2. H. Tahara, H. Sekiguchi, K. Yamane, H. Okada, A. Wakahara, "Eu incorporation mechanism of Eu doped GaN grown by rf-plasma-assisted molecular-beam epitaxy", The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides, Tu-B25Act City Hamamatsu, Hamamatsu, Japan, Nov. 8-13, 2015.
  3. K. Tsuchiyama, K. Yamane, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, "Fabrication of Si/SiO2/GaN-LED wafer using surface activated bonding", The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides, We-B6Act City Hamamatsu, Hamamatsu, Japan, Nov. 8-13, 2015.
  4. K. Date, H. Sekiguchi, A. Yanagihara, K. Yamane, A. Wakahara, K. Kishino, "Evaluation of surface diffusion lengths of Ga adatom on m-and c-plane GaN during MBE growth", The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides, LN-Tu-1Act City Hamamatsu, Hamamatsu, Japan, Nov. 8-13, 2015.
  5. K. Sato, K. Yamane, S. Mugikura, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, "Effects of growth temperature on crystalline quality of high nitrogen composition GaAsPN", The Irago Conference 2015, P53 Irago Sea-Park & Spa Hotel, Tahara, Japan, Oct. 22-23, 2015.
  6. Y. Kondo, K. Kawakami, H. Okada, H. Sejiguchi, K. Yamane, A. Wakahara, "Study of pretreatment for surface passivation layer deposition on AlGaN/GaN transistors", 11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, 9-3 Hoda Hotel Plaza, Hida, Japan, Aug. 23-26, 2015.
  7. O. Barry, H. Sekiguchi, K. Yamane, H. Okada, A. Wakahara, H. Miyake, M. Hiramatsu, “Solar-Blind Ultraviolet Detector Based on Al0.49Ga0.51N/AlN Heterostructure Back-Illuminated Schottky Barrier Diode”, 7th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, Nagoya University, Aichi, Japan, March 26-31, 2015.
  8. H. Sekiguchi, M. Kanemoto, K. Yamane, H. Okada, A. Wakahara, “Sharp red light-emitting diodes using optical site selected Eu doped GaN active layer”, Materials Challenges in Alternative & Renewable Energy, SO10-7, p.136, Jeju, Korea, February 24-27, 2015. (Invited)

国内会議

  1. 伊達浩平,関口寛人,柳原藍,山根啓補,岡田浩,若原昭浩,岸野克巳,”RF-MBE法を用いたInGaN成長時における表面拡散長の評価”,第63回応用物理学会春季学術講演会,20p-H121-16,東京工業大学, 東京都目黒区,2016年3月
  2. 土山和晃、宇都宮脩、中川翔太、山根啓補、関口寛人、岡田浩、若原昭浩,”Si/SiO2/GaN-LED構造を用いたSi-MOSFETおよびLEDのモノリシック集積”,第63回応用物理学会春季学術講演会,20p-H121-18,東京工業大学, 東京都目黒区,2016年3月
  3. 今西智彦、関口寛人、西川聡志、尾崎耕平、山根啓輔、岡田浩、岸野克巳、若原昭浩,” RF-MBE法を用いたEu添加GaNナノコラムのEu濃度依存性”,第63回応用物理学会春季学術講演会,20p-H121-15,東京工業大学, 東京都目黒区,2016年3月
  4. 上月誠也、土山和晃、山根啓補、関口寛人、岡田浩、若原昭浩, イオン注入技術を用いたプレーナ型GaN-LEDの作製, 第63回応用物理学会春季学術講演会, 22a-P6-13, 3月19日-22日, 2016, 東京工業大学, 東京都目黒区大岡山, ポスター発表.
  5. 宇都宮脩,立原佳樹, 土山和晃, 山根 啓輔, 関口 寛人,岡田 浩, 若原 昭浩, MOSトランジスタ及び発光素子の一貫形成に向けたSi / SiO2 / GaN / Sapphire 構造の熱耐性に関する調査, 第63回応用物理学会春季学術講演会, 22a-P6-12, 3月19日-22日, 2016, 東京工業大学, 東京都目黒区大岡山, ポスター発表.
  6. 田原浩行, 関口寛人, 山根啓輔, 岡田浩, 若原昭浩, "RF-MBE法によるEu添加GaN成長におけるEu取り込みに関する検討", 第76回応用物理学会秋季学術講演会, 15a-1D-5, 名古屋国際会議場, 愛知県名古屋市, 2015年9月13日-16日.
  7. 西川聡志,関口寛人,今西智彦,山根啓輔,岡田浩,岸野克巳, 若原昭浩, "RF-MBE法を用いたEu 添加GaNナノコラムの成長", 第76回応用物理学会秋季学術講演会, 16p-1D-7, 名古屋国際会議場, 愛知県名古屋市, 2015年9月13日-17日.
  8. 立石紘己,関口寛人,山根啓輔,岡田浩,若原昭浩, "Eu,Mg共添加GaNの発光サイトの安定性の検討", 第76回応用物理学会秋季学術講演会, 16p-1D-6, 名古屋国際会議場, 愛知県名古屋市, 2015年9月13日-18日.
  9. 森山真至、山根啓輔、関口寛人、岡田浩、若原昭浩, "アンモニアを用いたN交互供給法によるGaPN疑似混晶のMO-VPE成長", 第76回応用物理学会秋季学術講演会, , 名古屋国際会議場, 愛知県名古屋市, 2015年9月13日-19日.
  10. 立石紘己, 関口寛人, 山根啓輔, 岡田浩, 若原昭浩, “Eu,Mg共添加GaNの熱処理による光学特性への影響”, 第34回電子材料シンポジウム, Th3-19, 7.15-17, 2015, ラフォーレ琵琶湖, 滋賀県 守山市, ポスター発表.
  11. 西川聡志,関口寛人,今西智彦,山根啓輔,岡田浩,若原昭浩, “GaNナノコラム上Eu添加GaNナノコラムの成長”, 第34回電子材料シンポジウム, Th3-20, 7.15-17, 2015, ラフォーレ琵琶湖, 滋賀県 守山市, ポスター発表.
  12. 田原浩行, 関口寛人, 山根啓輔, 岡田浩, 若原昭浩, “RF-MBE法によるEu添加GaN成長の成長条件依存性”, 第34回電子材料シンポジウム, We1-5, 7.15-17, 2015, ラフォーレ琵琶湖, 滋賀県 守山市, ポスター発表.

解説記事

  1. 関口寛人,若原昭浩,"希土類元素添加窒化物半導体結晶の成長",化学工業, 66, 683 (2015).

2014年度

学術論文

  1. H. Okada, Y. Okada, H. Sekiguchi, A. Wakahara, S. Sato, T. Ohshima, “Study of proton irradiation effects on p- and n-type GaN based on two-terminal resistance dependence on 380 keV proton fluence”, IEICE Transactions on Electronics, E97-C, (2014) 409.
  2. K. Yamane, N. Urakami, H. Sekiguchi, A. Wakahara, "III-V-N compounds for multi-junction solar cells on Si", IEEE Photovoltaic Specialist Conference (2014) 2972.

国際会議

  1. K. Yamano, T. Oto, H. Sekiguchi, A. Wakahara, Y. Kawakami, K. Kishino, “Regularly arranged AlGaN nanocolumn growth on nanocolumn templates”, WeB2-4, 18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Flagstaff, Arizona, USA, September 7-12, 2014.
  2. N. Urakami, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “Growth of dilute nitride by embedding nitride layer and its application to GaAs(P)N quantum well structure”, P9, 18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Flagstaff, Arizona, USA, September 7-12, 2014.
  3. H. Sekiguchi, R. Matsumura, M. Kanemoto, T. Kamada, M. Sakai, A. Syouji, A. Wakahara, “Optical site control of Eu doped GaN by Mg codoping”, P86, 18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Flagstaff, Arizona, USA, September 7-12, 2014.
  4. Akihiro Wakahara, Noriyuki Urakami, Hiroto Sekiguchi, Keisuke Yamane, “III-V-N/Si heteroepitaxy for multijunction solar cells”, 40th IEEE Photovoltaic Specialist Conference (PVSC-40), #778, 2014, Jun. 8-13, Oral, Colorado Convention Center, Denver, USA
  5. A. Takada, S. Ochi, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “GaN-based UV sensor array for integration with Si sensing circuit”, 06aP54, 6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, Meijo University, Aichi, Japan, March 6-8th, 2014.
  6. K. Tsuchiyama, H. Tahara, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakhara, “Evaluation of optical property in various InGaN micro-LED size (?=470 nm)”, 05aC04, 6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, Meijo University, Aichi, Japan, March 6-8th, 2014.
  7. R. Matsumura, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “Eu concentration dependence of optical properties for Eu and Mg codoped GaN”, 04aC03, 6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, Meijo University, Aichi, Japan, March 6-8th, 2014.

国内会議

  1. 金本匡祥,関口寛人,山根啓輔,岡田浩,若原昭浩, “Eu, Mg共添加AlGaNのAl組成が発光サイトに与える影響”, 第62回応用物理学会春季学術講演会, 11p-B1-18, 3.11-15, 2015, 東海大学, 神奈川県 平塚市, 口頭発表.
  2. 田原浩行, 関口寛人, 山根啓輔, 岡田浩, 若原昭浩, “貫通転位がEu添加GaNの発光特性に及ぼす影響”, 第62回応用物理学会春季学術講演会, 12a-B1-6, 3.11-15, 2015, 東海大学, 神奈川県 平塚市, 口頭発表.
  3. 鎌田拓歩, 関口寛人, 山根啓輔, 岡田浩, 若原昭浩, “Eu, Mg共添加GaNのEu濃度が発光サイトに及ぼす影響”, 第62回応用物理学会春季学術講演会, 11p-B1-17, 3.11-16, 2015, 東海大学, 神奈川県 平塚市, 口頭発表
  4. 土山和晃, 宇都宮脩, 山根啓補 関口寛人, 岡田浩, 若原昭浩, “Si/SiO2/GaN系LED基板上への微小LEDの作製”, 第62回応用物理学会春季学術講演会, 13a-B1-10, 3.11-15, 2015, 東海大学, 神奈川県 平塚市, 口頭発表
  5. 麦倉俊, 浦上法之, 山根啓輔, 関口寛人, 岡田浩, 若原昭浩, “Si基板上格子整合系GaAsPN混晶の高品質化”, 第62回応用物理学会春季学術講演会, 13p-D4-4, 3.11-15, 2015, 東海大学, 神奈川県 平塚市, 口頭発表+大黒智寛,浦上法之,関口寛人,若原昭浩, “TBHyを用いたGaPNの成長”, 第33回電気材料シンポジウム, II-VI and III-V materials Th2-15 , 7.9-11, 2014, ラフォーレ修善寺, 静岡県伊豆市, ポスター発表
  6. 土山和晃,関口寛人,田原浩行,岡田浩,若原昭浩、”InGaN微小LEDアレイの作製と電気・発光特性の評価”, 第61回応用物理学会春期学術講演会、17a-E13-1、青山学院大相模原キャンパス
  7. 浦上法之,関口寛人,岡田浩,若原昭浩、” 希薄窒化物GaAsN混晶の成長における表面窒化の有効性”, 第61回応用物理学会春期学術講演会、17p-E11-14、青山学院大相模原キャンパス
  8. 山野晃司,岸野克巳,関口寛人,若原昭浩、” ナノテンプレートによる規則配列AlGaNナノコラムの選択成長”、 第61回応用物理学会春期学術講演会、17p-E13-12、青山学院大相模原キャンパス
  9. 岡田浩,若原 昭浩、関口 寛人、” タンデムセルへの応用に向けたSiに格子整合するGaPN/Siへテロ構造の検討”、 平成 25 年度 多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会、宇宙航空研究開発機構筑波宇宙センター

2013年度

学術論文

  1. N. Urakami, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “Growth of dilute BGaP allloys by molecular beam epitaxy”, Journal of Crystal Growth, 378 (2013) 96.
  2. M. Kumar, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, "Influence of contact shape on AlGaN/GaN Schottky diodes prepared on Si with thick buffer layer", Applied Physics A: Material Science and Processing, 112 (2013) 847-853.
  3. M. Kumar, C. Y. Lee, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, "Demonstration of a large-area AlGaN/GaN Schottky barrier photodetector on Si with high detection limit", Semiconductor Science and Technology, 28 (2013) 094005.
  4. S.-B. Shin, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “Complementary metal oxide semiconductor-compatible backside-illuminated photodiode for optoelectronic integrated circuit devices”, Japanese Journal of Applied Physics, 52 (2013) 04CG12.
  5. H. Sekiguchi, Y. Takagi, T. Otani, R. Matsumura, H. Okada, A. Wakahara, “Red Light-Emitting Diodes with Site Selective Eu doped GaN Active Layer”, Japanese Journal of Applied Physics, 52 (2013) 08JH01.
  6. H. Sekiguchi, Y. Takagi, T. Otani, H. Okada, A. Wakahara, “Emission enhancement mechanism of GaN:Eu by Mg codoping”, Journal of Applied Physics, 113 (2013) 013105.

国際会議

  1. M. Kanemoto, H. Sekiguchi, Y. Takagi, H. Okada, A. Wakahara, "Effect of Mg codoping on optical characteristics in Eu doped AlGaN", 19a-M5-7, 2013 JSAP-MRS Joint Symposia, Doshisha Univeristy, Kyoto, Japan, September 16-20, 2013.
  2. A. Wakahara, N. Urakami, H. Ito, H. Okada, H. Sekiguchi, "III-N-based optoelectronic devices and their integration" (Invited), 13-2, 10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, 3-8, Hakodate Kokusai Hotel, Hakodate, Japan, September 2-5, 2013. (Invited)
  3. H. Okada, Y. Okada, H. Sekiguchi, A. Wakahara, S. Sato, T. Oshima, "Proton irradiation effects on electrical and luminescence properties of GaN-based light emitting device", 10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, 3-8, Hakodate Kokusai Hotel, Hakodate, Japan, September 2-5, 2013.
  4. H. Sekiguchi, R. Matsumura, T. Otani, Y. Takagi, H. Okada, A. Wakahara, "Fabrication of low-temperature-dependent light-emitting diodes using Eu and Eu and Mg codoped GaN", BP1.37, 10th International Conference on Nitride Semiconductors 2013, Washington, DC, USA, August 25-30, 2013.
  5. N. Urakami, H. Ito, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, "Growth and multiple stacking of self-assembled InGaAsN/GaP quantum dot by molecular beam epitaxy", 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17), Warsaw, Poland, August 11-16, 2013.
  6. H. Okada, Y. Okada, H. Sekiguchi, A. Wakahara, Shinichiro Sato, and Takeshi Ohshima, "Proton irradiation effects on p- and n-type GaN", 2B-2, 2013 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2013), Seoul, Korea, June 26-28, 2013.
  7. N. Urakami, H. Ito, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, "Growth of GaAsN quantum well structure by surface nitridation", MoB3.4, the 40th Int. Symp. On Compound Semiconductors (ISCS2013), Kobe, Japan, May 19-23, 2013.
  8. M. Kumar, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, "AlGaN/GaN Schottky barrier photodetector on Si with high detection limit", 5th Int. Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPLasma2013), January 28-Febrary 1, 2013.
  9. Y. Kumazawa, H. Takahashi, H. Okada, A. Sandhu, A. Wakahara, H. Sekiguchi, "Study of Transfer Method of Graphene Formed by Chemical Vapor Deposition Using Dicing Tape", 15P-21, The Irago Conference(AP-IRC), Irago, Aichi, Japan, November 11-15, 2013.

国内会議

  1. 土山和晃,関口寛人,田原浩行,岡田浩,若原昭浩、”InGaN微小LEDアレイの作製と電気・発光特性の評価”, 第61回応用物理学会春期学術講演会、17a-E13-1、青山学院大相模原キャンパス
  2. 浦上法之,関口寛人,岡田浩,若原昭浩、” 希薄窒化物GaAsN混晶の成長における表面窒化の有効性”, 第61回応用物理学会春期学術講演会、17p-E11-14、青山学院大相模原キャンパス
  3. 山野晃司,岸野克巳,関口寛人,若原昭浩、” ナノテンプレートによる規則配列AlGaNナノコラムの選択成長”、 第61回応用物理学会春期学術講演会、17p-E13-12、青山学院大相模原キャンパス
  4. 岡田浩,若原 昭浩、関口 寛人、” タンデムセルへの応用に向けたSiに格子整合するGaPN/Siへテロ構造の検討”、 平成 25 年度 多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会、宇宙航空研究開発機構筑波宇宙センター
  5. 松村亮太、関口寛人、高木康文、岡田浩、若原昭浩、” NH3-MBE法によるMg共添加GaN:Euの発光サイト制御 (2)”、 第73回応用物理学会学術講演会、16a-B5-2、同志社大学、京都、2013年9月.
  6. 山野晃司,岸野克巳,関口寛人,若原昭浩、”AlGaNナノテンプレートによるInGaN系規則配列ナノコラム選択成長”、第73回応用物理学会学術講演会、20a-B5-3、同志社大学、京都、2013年9月.
  7. 浦上法之、伊藤宏成、関口寛人、岡田浩、若原昭浩、” Growth of GaAsN quantum wells by using surface nitridation enhanced N incorporation”、第32回電子材料シンポジウム、Th2-5、琵琶湖、滋賀、2013年7月.
  8. 松村亮太、大谷龍輝、関口寛人、高木康文、岡田浩、若原昭浩、”Low-temperature-dependent red light-emitting diode with Eu and Mg codoped GaN active layer”、第32回電子材料シンポジウム、We2-20、琵琶湖、滋賀、2013年7月.
  9. 金本匡祥、関口寛人、高木康文、岡田浩、若原昭浩、” Optical characteristics of Eu and Mg codoped AlGaN”、第32回電子材料シンポジウム、We2-23、琵琶湖、滋賀、2013年7月.

2012年度

学術論文

  1. A. Wakahara, H. Sekiguchi, H. Okada, Y. Takagi, “Current status for light-emitting diode with Eu-doped GaN active layer grown by MBE”, Journal of Luminescence 132 (2012) 3113.
  2. C. Y. Lee, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “Plasma-induced damage and recovery on Au/n-GaN Schottky diode in different processes”, Japanese Journal of Applied Physics 51 (2012) 076503.

国際会議

  1. K. Tsuchiyama, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “Development of GaN Micro-LED Arrays for Life Chip Application”, The Second Int. Symposium on Technology for Sustainability (ISTS2012), PID:00152, Bangkok, Thailand, November 21-24th, 2012.
  2. H. Sekiguchi, T. Otani, Y. Takagi, H. Okada, A. Wakahara, “Red light-emitting diodes with site selective GaN:Eu active layer”, International Workshop on Nitride semiconductors 2012 (IWN 2012), OD5-2, p.353, Sapporo, Japan, October 14-19, 2012.
  3. Y. Takagi, T. Otani, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “Luminescence site control of Mg codoped GaN:Eu by NH3-MBE”, International Workshop on Nitride semiconductors 2012 (IWN 2012), TuP-PR-37, Sapporo, Japan, October 14-19, 2012.
  4. N. Urakami, F. Fukami, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, "Growth of dilute BGaP alloys by molecular beam epitaxy", The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012), MoP-19, Nara Prefectural New Public Hall, Nara, Japan, September 23-28th.
  5. S. B. Shin, H. Okada, H. Sekiguchi, A. Wakahara, "Fabrication of Backside-Illuminated CMOS Compatible Photodiode for Optoelectronic Integrated Circuits", 2012 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS 2011 (SSDM 2012), PS-7-3, Kyoto International Conference Center, Kyoto, Japan, September 25-27th.
  6. H. Okada, K. Kumagai, T. Kawai, H. Sekiguchi, A. Wakahara, “Development of lattice-matched GaPN/AlGaPN DBR on Si”, IEEE Photonics -2012, ThW4, Burlingame, California, USA, September 23-27, 2012.
  7. Y. Nagamoto, K. Matsuoka, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “Electrical properties of S doped n-type GaPN by alternately N supplied organometallic vapor phase epitaxy”, 17th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS), Tu-1B.5, University of California, Santa Barbara, USA, August 27-30, 2012.
  8. H. Sekiguchi, T. Otani, Y. Takagi, H. Okada, A. Wakahara, “Optical characteristics of Europium and Magnesium codoped GaN LEDs grown by NH3-MBE”, 9th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices 2012 (ISSLED 2012), O2B3, TU Berlin, Berlin Germany, July 22nd - 27th, 2012.

国内会議

  1. 松村亮太、大谷龍輝、関口寛人、高木康文、岡田浩、若原昭浩、”Mg共添加GaN:Euを活性層としたLEDの発光出力向上”、第60回応用物理学会春季学術講演会、29p-G21-17、神奈川工科大学、神奈川、2013年3月.
  2. 浦上法之、伊藤宏成、関口寛人、岡田浩、若原昭浩、”高密度InGaAsN/GaP量子ドットの多積層化における中間層厚さの検討”、 第60回応用物理学会春季学術講演会、29a-PB-5、神奈川工科大学、神奈川、2013年3月.
  3. 浦上法之、伊藤宏成、関口寛人、岡田浩、若原昭浩、”GaAsN擬似混晶による量子井戸構造の形成”、 第60回応用物理学会春季学術講演会、29p-G20-17、神奈川工科大学、神奈川、2013年3月.
  4. 山野晃司,岸野克巳,関口寛人,若原昭浩、”トップダウン法ナノコラムテンプレート上へのGaNナノコラム成長”、 第60回応用物理学会春季学術講演会、28p-G21-8、神奈川工科大学、神奈川、2013年3月.
  5. 大谷龍輝、関口寛人、高木康文、岡田浩、若原昭浩、”Mg共添加GaN:Euを活性層とした赤色発光ダイオードの作製”、電気情報通信学会、EP/CPM/LQE研究会、LQE2012-108、大阪市立大学、大阪、2012年11月.
  6. 土山和晃、関口寛人、岡田浩、若原昭浩、”光電子集積回路に向けた窒化ガリウム128×128マイクロLEDの開発”、平成24年度電気関係学会東海支部連合大会、M2-8、豊橋技術科学大学、豊橋、愛知、2012年9月.
  7. 永本勇也、松岡勝彦、関口寛人、岡田浩、若原昭浩、”太陽電池に向けたN交互供給n-GaPN:S層の検討”、平成24年度電気関係学会東海支部連合大会、M2-8、豊橋技術科学大学、豊橋、愛知、2012年9月.
  8. 大谷龍輝、関口寛人、高木康文、岡田浩、若原昭浩、”NH3-MBE法によるMg共添加GaN:Euの発光サイト制御”、第73回応用物理学会学術講演会、12p-H10-2、愛媛・松山大学、愛媛、2012年9月.
  9. 浦上法之、深見太志、関口寛人、岡田浩、若原昭浩、”自己形成InGaAsN/GaP量子ドットの成長”、第73回応用物理学会学術講演会、12p-PB11-14、愛媛・松山大学、愛媛、2012年9月.
  10. 浦上法之、深見太志、関口寛人、岡田浩、若原昭浩、”Growth characterization of dilute BGaP alloys grown by molecular beam epitaxy”、第31回電子材料シンポジウム、We2-22、修善寺、静岡、2012年7月.
  11. 永本勇也、松岡勝彦、関口寛人、岡田浩、若原昭浩、”Improvement of electrical properties of S doped n-type GaPN by alternately N supplied method”、 第31回電子材料シンポジウム、We2-24、修善寺、静岡、2012年7月.
  12. 大谷龍輝、松村亮太、関口寛人、高木康文、岡田浩、若原昭浩、”Optical properties of Mg codoped GaN:Eu LED grown by NH3-MBE”、 第31回電子材料シンポジウム、We2-24、修善寺、静岡、2012年7月.

2011年度

学術論文

  1. Y. Takagi, T. Suwa, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “Effect of Mg codoping on Eu3+ luminescence in GaN grown by ammonia molecular beam epitaxy”, Applied Physics Letter 99 (2011) 171905.
  2. J.-H. Park, A. Wakahara, H. Okada, H. Sekiguchi, A. Tiwari, Y.-T. Kim, J. Song, J.-H. Lee, J. Jhin, “Effect of Growth Mode on Eu-Incorporation and Luminescence of Eu-Doped GaN Epitaxial Film Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam epitaxy”, Japanese Journal of Applied Physics 50 (2011) 031003.

国際会議

  1. C. Y. Lee, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “Effect of Pre-Plasma-Induced Damages on Au/n-GaN Schottky barrier diodes characteristics”, 33rd International Symposium on Dry Process, P1-11, Kyoto Garden Palace, Kyoto, Japan, November 10-11, 2011.
  2. K. Kumagai, T. Kawai, K. Yamane, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “Molecular beam epitaxy of AlGaPN alloys for optical confinement structure of monolithic optoelectronic integrated circuits on Si substrate”, 2011 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS 2011 (SSDM 2011), P-8-16, Aichi Industry & Labor Center (WINC AICHI), Nagoya, Japan, September 28-30.
  3. C. Y. Lee, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “Investigation of Plasma-Induced Damages in GaN with different processing”, 2011 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS 2011 (SSDM 2011), P-6-8, Aichi Industry & Labor Center (WINC AICHI), Nagoya, Japan, September 28-30.
  4. A. Wakahara, H. Sekiguchi, H. Okada “Current status for light-emitting diode with Eu-doped GaN active layer”, E-MRS 2011 FALL MEETING, 2 1, Warsaw, Poland , September 19-23rd, 2011. (invited)
  5. H. Okada, T. Suwa, Y. Takagi, H. Sekiguchi, A. Wakahara, “Effect of Mg co-doping on Eu site in GaN by NH3-MBE”, 9th International Conference on Nitride Semiconductors, PB1.34, Scottish Exhibition and Conference Centre, Glasgow, UK, 10th ? 15th July 2011.
  6. C. Y. Lee, Y. Okada, K. Koyasu, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “Effect of Plasma Condition on Damage Formation in GaN during ICP-RIE process”, 5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors, Mo-P68 Ise-Shima National Park, Toba, Mie, Japan, May 22-26, 2011.
  7. T. Suwa, Y. Takagi, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “Effect of Nitrogen Source on Doping Properties of GaN:Eu Grown by MBE”, 3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, P1-028B, Nagoya Institute of Technology, Aichi, Japan, March 6-8th, 2011.

国内会議

  1. 関口寛人、大谷龍輝、高木康文、岡田浩、若原昭浩、”Mg共添加によるGaN:Euの発光特性向上のメカニズム”、第59回応用物理学関係連合講演会、17a-F12-11、早稲田大学、東京、2012年3月.
  2. 大谷龍輝、松村亮太、関口寛人、高木康文、岡田浩、若原昭浩、”NH3-MBE法によるGaN:Eu LEDの発光特性”、第59回応用物理学関係連合講演会、17a-F12-10、早稲田大学、東京、2012年3月.
  3. 熊谷啓介、伊藤宏成、関口寛人、岡田浩、若原昭浩、”固体源MBE成長したn型及びp型AlGaPN混晶の電気特性”、第59回応用物理学関係連合講演会、17a-A8-5、早稲田大学、東京、2012年3月.
  4. 近藤正樹、岡田浩、関口寛人、若原昭浩、佐藤真一郎、大島武、”希土類添加III族窒化物半導体を用いた三端子型発光デバイスの作製(4)”、第59回応用物理学関係連合講演会、16a-DP1-30、早稲田大学、東京、2012年3月.
  5. 大谷龍輝、関口寛人、高木康文、岡田浩、若原昭浩、” Mg共添加GaN:Euの発光特性評価”、応用物理学会結晶工学分科会2011年年末講演会、東京、2011年12月
  6. 関口寛人、高木康文、大谷龍輝、岡田浩、若原昭浩、“GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響”、 電子情報通信学会、ED/CPM/LQE研究会、ED2011-91、京都、2011年11月
  7. 関口寛人、高木康文、岡田浩、若原昭浩、” NH3-MBE法によるEu添加GaNへのMgドーピング効果”、 第72回応用物理学会学術講演会、30a-ZA-14、山形、2011年8月
  8. 浦上法之、若原昭浩、関口寛人、岡田浩、” BGaPの成長様式に関する検討”、 第72回応用物理学会学術講演会、30a-ZA-14、山形、2011年8月
Last-modified: 2018-04-10 (火) 08:36:40 (69d)