研究業績

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2016年度2015年度2014年度2013年度2012年度2011年度

2016年度

学術論文

  1. K. Yamane, M. Moriyama, B. Kerlee, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “Metal organic vapor phase epitaxy of GaPN alloys assisted by surface nitridation using ammonia”, Physica Status Solidi (b) (2016) DOI 10.1002/pssb.201600483
  2. K. Tsuchiyama, K. Yamane, S. Utsunomiya, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “Monolithic integration of Si-MOSFET and GaN-LED using Si/SiO2/GaN-LED wafer” Appl. Phys. Express 9 (2016) 104101.
  3. H. Okada, M. Shinohara, Y. Kondo, H. Sekiguchi, K. Yamane, A. Wakahara, “Investigation of HCl-based surface treatment for GaN devices”, 1709, (2016) 020011.
  4. H. Sekiguchi, S. Nishikawa, T. Imanishi, K. Ozaki, K. Yamane, H. Okada, K. Kishino, A. Wakahara, "Structural and optical properties of Eu-doped GaN nanocolumns on (111) Si substrates grown by RF-plasma-assisted molecular beam epitaxy", Japanese Journal of Applied Physics, 55 (2016) 05FG07.
  5. K. Tsuchiyama, K. Yamane, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, "Fabrication of Si/SiO2/GaN structure by surface activated bonding for monolithic optoelectronic integration", Japanese Journal of Applied Physics, 55 (2016) 05FL01.
  6. N. Urakami, K. Yamane, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, Journal of Crystal Growth 435 (2016) 19.
  7. K. Yamane, T. Matsubara, T. Yamamoto, N. Okada, A. Wakahara, K. Tadatomo, “Origin of lattice bowing of freestanding GaN substrates grown by HVPE”, Journal of Applied Physics, 119 (2016) 045707.

国際会議

  1. Akihiro Wakahara, Hiroto Sekiguch, and Masaru Sakai, Stable Luminous Eu Site with High Excitation Efficiency in NH3-MBE Grown GaN co-Doped with Mg, The 2016 Materials Research Society Fall Meeting, EM2.9.04, 2016, Nov.27-Dec.2, Invited, Massachusetts, Boston, USA.
  2. K. Tsuchiyama, K. Yamane, S. Utsunomiya, S. Nakagawa, Y. Tachihara, H. Sekiguchi, H. Okada and A. Wakahara, “Monolithic integration of Si-MOSFETs and GaN-µLEDs using Si/SiO2/GaN-LED structure” European Materials Research Society 2016 Fall Meeting (E-MRS 2016 Fall), Warsaw University of Technology, Warsaw, Poland, Sep. 19-22th, 2016.
  3. K. Sato, K. Yamane, M. Goto, K. Takahashi, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “Doping control of GaAsPN grown by molecular beam epitaxy toward monolithic III-V/Si tandem solar cells” European Materials Research Society 2016 Fall Meeting (E-MRS 2016 Fall), Warsaw University of Technology, Warsaw, Poland, Sep. 19-22th, 2016.
  4. K. Yamane, T. Matsubara, N. Okada, A. Wakahara, K. Tadatomo, “Structural origin of lattice bowing of freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy” European Materials Research Society 2016 Fall Meeting (E-MRS 2016 Fall), Warsaw University of Technology, Warsaw, Poland, Sep. 19-22th, 2016.
  5. K. Boualiong, K. Yamane, M. Moriyama, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “Metalorganic vapor phase epitaxy growth of GaPN alloys assisted by surface nitridation with ammonia” 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS-43), Toyama International Conference Center, Toyama, Japan, June. 26-30, 2016.
  6. T. Imanishi, H. Sekiguchi, S. Nishikawa, K. Ozaki, K. Yamane, H. Okada, K. Kishino, and A. Wakahara, "Eu concentration dependence of Eu doped GaN nanocolumns grown by RF-plasma-assisted molecular beam epitaxy", 43th International Symposium on Compound Semiconductor (ISCS2016), WeB1-4, 2016, Jan. 26-30, Oral, Toyama international conference center, Toyama, Japan.

解説記事

  1. 関口寛人, "希土類添加窒化物半導体による赤色発光素子の開発", OPTRONICS, 411, 120 (2016).

2015年度

学術論文

  1. M. Kanemoto, H. Sekiguchi, K. Yamane, H. Okada, A. Wakahara, “Eu3+ luminescence properties of Eu- and Mg-codoped AlGaN”, Journal of Luminescence,166 (2015) 60-66.
  2. K. Yamano, K. Kishino, H. Sekiguchi, T. Oto, A. Wakahara, Y. Kawakami, "Novel selective area growth method for regularly arranged AlGaN nanocolumns using nanotemplates". Journal of Crystal Growth 425 (2015) 316.

国際会議

  1. S. Nishikawa, H. Sekiguchi, T. Imanishi, K. Yamane, H. Okada, K. Kishino, A. Wakahara, "Growth of Eu doped GaN nanocolumns grown by rf-plasma-assisted molecular beam epitaxy", The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides, Tu-B24Act City Hamamatsu, Hamamatsu, Japan, Nov. 8-13, 2015.
  2. H. Tahara, H. Sekiguchi, K. Yamane, H. Okada, A. Wakahara, "Eu incorporation mechanism of Eu doped GaN grown by rf-plasma-assisted molecular-beam epitaxy", The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides, Tu-B25Act City Hamamatsu, Hamamatsu, Japan, Nov. 8-13, 2015.
  3. K. Tsuchiyama, K. Yamane, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, "Fabrication of Si/SiO2/GaN-LED wafer using surface activated bonding", The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides, We-B6Act City Hamamatsu, Hamamatsu, Japan, Nov. 8-13, 2015.
  4. K. Date, H. Sekiguchi, A. Yanagihara, K. Yamane, A. Wakahara, K. Kishino, "Evaluation of surface diffusion lengths of Ga adatom on m-and c-plane GaN during MBE growth", The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides, LN-Tu-1Act City Hamamatsu, Hamamatsu, Japan, Nov. 8-13, 2015.
  5. K. Sato, K. Yamane, S. Mugikura, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, "Effects of growth temperature on crystalline quality of high nitrogen composition GaAsPN", The Irago Conference 2015, P53 Irago Sea-Park & Spa Hotel, Tahara, Japan, Oct. 22-23, 2015.
  6. Y. Kondo, K. Kawakami, H. Okada, H. Sejiguchi, K. Yamane, A. Wakahara, "Study of pretreatment for surface passivation layer deposition on AlGaN/GaN transistors", 11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, 9-3 Hoda Hotel Plaza, Hida, Japan, Aug. 23-26, 2015.
  7. O. Barry, H. Sekiguchi, K. Yamane, H. Okada, A. Wakahara, H. Miyake, M. Hiramatsu, “Solar-Blind Ultraviolet Detector Based on Al0.49Ga0.51N/AlN Heterostructure Back-Illuminated Schottky Barrier Diode”, 7th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, Nagoya University, Aichi, Japan, March 26-31, 2015.
  8. H. Sekiguchi, M. Kanemoto, K. Yamane, H. Okada, A. Wakahara, “Sharp red light-emitting diodes using optical site selected Eu doped GaN active layer”, Materials Challenges in Alternative & Renewable Energy, SO10-7, p.136, Jeju, Korea, February 24-27, 2015. (Invited)

国内会議

  1. 伊達浩平,関口寛人,柳原藍,山根啓補,岡田浩,若原昭浩,岸野克巳,”RF-MBE法を用いたInGaN成長時における表面拡散長の評価”,第63回応用物理学会春季学術講演会,20p-H121-16,東京工業大学, 東京都目黒区,2016年3月
  2. 土山和晃、宇都宮脩、中川翔太、山根啓補、関口寛人、岡田浩、若原昭浩,”Si/SiO2/GaN-LED構造を用いたSi-MOSFETおよびLEDのモノリシック集積”,第63回応用物理学会春季学術講演会,20p-H121-18,東京工業大学, 東京都目黒区,2016年3月
  3. 今西智彦、関口寛人、西川聡志、尾崎耕平、山根啓輔、岡田浩、岸野克巳、若原昭浩,” RF-MBE法を用いたEu添加GaNナノコラムのEu濃度依存性”,第63回応用物理学会春季学術講演会,20p-H121-15,東京工業大学, 東京都目黒区,2016年3月
  4. 田原浩行, 関口寛人, 山根啓輔, 岡田浩, 若原昭浩, "RF-MBE法によるEu添加GaN成長におけるEu取り込みに関する検討", 第76回応用物理学会秋季学術講演会, 15a-1D-5, 名古屋国際会議場, 愛知県名古屋市, 2015年9月13日-16日.
  5. 西川聡志,関口寛人,今西智彦,山根啓輔,岡田浩,岸野克巳, 若原昭浩, "RF-MBE法を用いたEu 添加GaNナノコラムの成長", 第76回応用物理学会秋季学術講演会, 16p-1D-7, 名古屋国際会議場, 愛知県名古屋市, 2015年9月13日-17日.
  6. 立石紘己,関口寛人,山根啓輔,岡田浩,若原昭浩, "Eu,Mg共添加GaNの発光サイトの安定性の検討", 第76回応用物理学会秋季学術講演会, 16p-1D-6, 名古屋国際会議場, 愛知県名古屋市, 2015年9月13日-18日.
  7. 森山真至、山根啓輔、関口寛人、岡田浩、若原昭浩, "アンモニアを用いたN交互供給法によるGaPN疑似混晶のMO-VPE成長", 第76回応用物理学会秋季学術講演会, , 名古屋国際会議場, 愛知県名古屋市, 2015年9月13日-19日.
  8. 立石紘己, 関口寛人, 山根啓輔, 岡田浩, 若原昭浩, “Eu,Mg共添加GaNの熱処理による光学特性への影響”, 第34回電子材料シンポジウム, Th3-19, 7.15-17, 2015, ラフォーレ琵琶湖, 滋賀県 守山市, ポスター発表.
  9. 西川聡志,関口寛人,今西智彦,山根啓輔,岡田浩,若原昭浩, “GaNナノコラム上Eu添加GaNナノコラムの成長”, 第34回電子材料シンポジウム, Th3-20, 7.15-17, 2015, ラフォーレ琵琶湖, 滋賀県 守山市, ポスター発表.
  10. 田原浩行, 関口寛人, 山根啓輔, 岡田浩, 若原昭浩, “RF-MBE法によるEu添加GaN成長の成長条件依存性”, 第34回電子材料シンポジウム, We1-5, 7.15-17, 2015, ラフォーレ琵琶湖, 滋賀県 守山市, ポスター発表.

解説記事

  1. 関口寛人,若原昭浩,"希土類元素添加窒化物半導体結晶の成長",化学工業, 66, 683 (2015).

2014年度

学術論文

  1. H. Okada, Y. Okada, H. Sekiguchi, A. Wakahara, S. Sato, T. Ohshima, “Study of proton irradiation effects on p- and n-type GaN based on two-terminal resistance dependence on 380 keV proton fluence”, IEICE Transactions on Electronics, E97-C, (2014) 409.
  2. K. Yamane, N. Urakami, H. Sekiguchi, A. Wakahara, "III-V-N compounds for multi-junction solar cells on Si", IEEE Photovoltaic Specialist Conference (2014) 2972.

国際会議

  1. K. Yamano, T. Oto, H. Sekiguchi, A. Wakahara, Y. Kawakami, K. Kishino, “Regularly arranged AlGaN nanocolumn growth on nanocolumn templates”, WeB2-4, 18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Flagstaff, Arizona, USA, September 7-12, 2014.
  2. N. Urakami, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “Growth of dilute nitride by embedding nitride layer and its application to GaAs(P)N quantum well structure”, P9, 18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Flagstaff, Arizona, USA, September 7-12, 2014.
  3. H. Sekiguchi, R. Matsumura, M. Kanemoto, T. Kamada, M. Sakai, A. Syouji, A. Wakahara, “Optical site control of Eu doped GaN by Mg codoping”, P86, 18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, Flagstaff, Arizona, USA, September 7-12, 2014.
  4. Akihiro Wakahara, Noriyuki Urakami, Hiroto Sekiguchi, Keisuke Yamane, “III-V-N/Si heteroepitaxy for multijunction solar cells”, 40th IEEE Photovoltaic Specialist Conference (PVSC-40), #778, 2014, Jun. 8-13, Oral, Colorado Convention Center, Denver, USA
  5. A. Takada, S. Ochi, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “GaN-based UV sensor array for integration with Si sensing circuit”, 06aP54, 6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, Meijo University, Aichi, Japan, March 6-8th, 2014.
  6. K. Tsuchiyama, H. Tahara, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakhara, “Evaluation of optical property in various InGaN micro-LED size (?=470 nm)”, 05aC04, 6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, Meijo University, Aichi, Japan, March 6-8th, 2014.
  7. R. Matsumura, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “Eu concentration dependence of optical properties for Eu and Mg codoped GaN”, 04aC03, 6th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, Meijo University, Aichi, Japan, March 6-8th, 2014.

国内会議

  1. 金本匡祥,関口寛人,山根啓輔,岡田浩,若原昭浩, “Eu, Mg共添加AlGaNのAl組成が発光サイトに与える影響”, 第62回応用物理学会春季学術講演会, 11p-B1-18, 3.11-15, 2015, 東海大学, 神奈川県 平塚市, 口頭発表.
  2. 田原浩行, 関口寛人, 山根啓輔, 岡田浩, 若原昭浩, “貫通転位がEu添加GaNの発光特性に及ぼす影響”, 第62回応用物理学会春季学術講演会, 12a-B1-6, 3.11-15, 2015, 東海大学, 神奈川県 平塚市, 口頭発表.
  3. 鎌田拓歩, 関口寛人, 山根啓輔, 岡田浩, 若原昭浩, “Eu, Mg共添加GaNのEu濃度が発光サイトに及ぼす影響”, 第62回応用物理学会春季学術講演会, 11p-B1-17, 3.11-16, 2015, 東海大学, 神奈川県 平塚市, 口頭発表
  4. 土山和晃, 宇都宮脩, 山根啓補 関口寛人, 岡田浩, 若原昭浩, “Si/SiO2/GaN系LED基板上への微小LEDの作製”, 第62回応用物理学会春季学術講演会, 13a-B1-10, 3.11-15, 2015, 東海大学, 神奈川県 平塚市, 口頭発表
  5. 麦倉俊, 浦上法之, 山根啓輔, 関口寛人, 岡田浩, 若原昭浩, “Si基板上格子整合系GaAsPN混晶の高品質化”, 第62回応用物理学会春季学術講演会, 13p-D4-4, 3.11-15, 2015, 東海大学, 神奈川県 平塚市, 口頭発表+大黒智寛,浦上法之,関口寛人,若原昭浩, “TBHyを用いたGaPNの成長”, 第33回電気材料シンポジウム, II-VI and III-V materials Th2-15 , 7.9-11, 2014, ラフォーレ修善寺, 静岡県伊豆市, ポスター発表
  6. 土山和晃,関口寛人,田原浩行,岡田浩,若原昭浩、”InGaN微小LEDアレイの作製と電気・発光特性の評価”, 第61回応用物理学会春期学術講演会、17a-E13-1、青山学院大相模原キャンパス
  7. 浦上法之,関口寛人,岡田浩,若原昭浩、” 希薄窒化物GaAsN混晶の成長における表面窒化の有効性”, 第61回応用物理学会春期学術講演会、17p-E11-14、青山学院大相模原キャンパス
  8. 山野晃司,岸野克巳,関口寛人,若原昭浩、” ナノテンプレートによる規則配列AlGaNナノコラムの選択成長”、 第61回応用物理学会春期学術講演会、17p-E13-12、青山学院大相模原キャンパス
  9. 岡田浩,若原 昭浩、関口 寛人、” タンデムセルへの応用に向けたSiに格子整合するGaPN/Siへテロ構造の検討”、 平成 25 年度 多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会、宇宙航空研究開発機構筑波宇宙センター

2013年度

学術論文

  1. N. Urakami, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “Growth of dilute BGaP allloys by molecular beam epitaxy”, Journal of Crystal Growth, 378 (2013) 96.
  2. M. Kumar, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, "Influence of contact shape on AlGaN/GaN Schottky diodes prepared on Si with thick buffer layer", Applied Physics A: Material Science and Processing, 112 (2013) 847-853.
  3. M. Kumar, C. Y. Lee, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, "Demonstration of a large-area AlGaN/GaN Schottky barrier photodetector on Si with high detection limit", Semiconductor Science and Technology, 28 (2013) 094005.
  4. S.-B. Shin, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “Complementary metal oxide semiconductor-compatible backside-illuminated photodiode for optoelectronic integrated circuit devices”, Japanese Journal of Applied Physics, 52 (2013) 04CG12.
  5. H. Sekiguchi, Y. Takagi, T. Otani, R. Matsumura, H. Okada, A. Wakahara, “Red Light-Emitting Diodes with Site Selective Eu doped GaN Active Layer”, Japanese Journal of Applied Physics, 52 (2013) 08JH01.
  6. H. Sekiguchi, Y. Takagi, T. Otani, H. Okada, A. Wakahara, “Emission enhancement mechanism of GaN:Eu by Mg codoping”, Journal of Applied Physics, 113 (2013) 013105.

国際会議

  1. M. Kanemoto, H. Sekiguchi, Y. Takagi, H. Okada, A. Wakahara, "Effect of Mg codoping on optical characteristics in Eu doped AlGaN", 19a-M5-7, 2013 JSAP-MRS Joint Symposia, Doshisha Univeristy, Kyoto, Japan, September 16-20, 2013.
  2. A. Wakahara, N. Urakami, H. Ito, H. Okada, H. Sekiguchi, "III-N-based optoelectronic devices and their integration" (Invited), 13-2, 10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, 3-8, Hakodate Kokusai Hotel, Hakodate, Japan, September 2-5, 2013. (Invited)
  3. H. Okada, Y. Okada, H. Sekiguchi, A. Wakahara, S. Sato, T. Oshima, "Proton irradiation effects on electrical and luminescence properties of GaN-based light emitting device", 10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, 3-8, Hakodate Kokusai Hotel, Hakodate, Japan, September 2-5, 2013.
  4. H. Sekiguchi, R. Matsumura, T. Otani, Y. Takagi, H. Okada, A. Wakahara, "Fabrication of low-temperature-dependent light-emitting diodes using Eu and Eu and Mg codoped GaN", BP1.37, 10th International Conference on Nitride Semiconductors 2013, Washington, DC, USA, August 25-30, 2013.
  5. N. Urakami, H. Ito, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, "Growth and multiple stacking of self-assembled InGaAsN/GaP quantum dot by molecular beam epitaxy", 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17), Warsaw, Poland, August 11-16, 2013.
  6. H. Okada, Y. Okada, H. Sekiguchi, A. Wakahara, Shinichiro Sato, and Takeshi Ohshima, "Proton irradiation effects on p- and n-type GaN", 2B-2, 2013 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2013), Seoul, Korea, June 26-28, 2013.
  7. N. Urakami, H. Ito, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, "Growth of GaAsN quantum well structure by surface nitridation", MoB3.4, the 40th Int. Symp. On Compound Semiconductors (ISCS2013), Kobe, Japan, May 19-23, 2013.
  8. M. Kumar, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, "AlGaN/GaN Schottky barrier photodetector on Si with high detection limit", 5th Int. Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPLasma2013), January 28-Febrary 1, 2013.
  9. Y. Kumazawa, H. Takahashi, H. Okada, A. Sandhu, A. Wakahara, H. Sekiguchi, "Study of Transfer Method of Graphene Formed by Chemical Vapor Deposition Using Dicing Tape", 15P-21, The Irago Conference(AP-IRC), Irago, Aichi, Japan, November 11-15, 2013.

国内会議

  1. 土山和晃,関口寛人,田原浩行,岡田浩,若原昭浩、”InGaN微小LEDアレイの作製と電気・発光特性の評価”, 第61回応用物理学会春期学術講演会、17a-E13-1、青山学院大相模原キャンパス
  2. 浦上法之,関口寛人,岡田浩,若原昭浩、” 希薄窒化物GaAsN混晶の成長における表面窒化の有効性”, 第61回応用物理学会春期学術講演会、17p-E11-14、青山学院大相模原キャンパス
  3. 山野晃司,岸野克巳,関口寛人,若原昭浩、” ナノテンプレートによる規則配列AlGaNナノコラムの選択成長”、 第61回応用物理学会春期学術講演会、17p-E13-12、青山学院大相模原キャンパス
  4. 岡田浩,若原 昭浩、関口 寛人、” タンデムセルへの応用に向けたSiに格子整合するGaPN/Siへテロ構造の検討”、 平成 25 年度 多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会、宇宙航空研究開発機構筑波宇宙センター
  5. 松村亮太、関口寛人、高木康文、岡田浩、若原昭浩、” NH3-MBE法によるMg共添加GaN:Euの発光サイト制御 (2)”、 第73回応用物理学会学術講演会、16a-B5-2、同志社大学、京都、2013年9月.
  6. 山野晃司,岸野克巳,関口寛人,若原昭浩、”AlGaNナノテンプレートによるInGaN系規則配列ナノコラム選択成長”、第73回応用物理学会学術講演会、20a-B5-3、同志社大学、京都、2013年9月.
  7. 浦上法之、伊藤宏成、関口寛人、岡田浩、若原昭浩、” Growth of GaAsN quantum wells by using surface nitridation enhanced N incorporation”、第32回電子材料シンポジウム、Th2-5、琵琶湖、滋賀、2013年7月.
  8. 松村亮太、大谷龍輝、関口寛人、高木康文、岡田浩、若原昭浩、”Low-temperature-dependent red light-emitting diode with Eu and Mg codoped GaN active layer”、第32回電子材料シンポジウム、We2-20、琵琶湖、滋賀、2013年7月.
  9. 金本匡祥、関口寛人、高木康文、岡田浩、若原昭浩、” Optical characteristics of Eu and Mg codoped AlGaN”、第32回電子材料シンポジウム、We2-23、琵琶湖、滋賀、2013年7月.

2012年度

学術論文

  1. A. Wakahara, H. Sekiguchi, H. Okada, Y. Takagi, “Current status for light-emitting diode with Eu-doped GaN active layer grown by MBE”, Journal of Luminescence 132 (2012) 3113.
  2. C. Y. Lee, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “Plasma-induced damage and recovery on Au/n-GaN Schottky diode in different processes”, Japanese Journal of Applied Physics 51 (2012) 076503.

国際会議

  1. K. Tsuchiyama, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “Development of GaN Micro-LED Arrays for Life Chip Application”, The Second Int. Symposium on Technology for Sustainability (ISTS2012), PID:00152, Bangkok, Thailand, November 21-24th, 2012.
  2. H. Sekiguchi, T. Otani, Y. Takagi, H. Okada, A. Wakahara, “Red light-emitting diodes with site selective GaN:Eu active layer”, International Workshop on Nitride semiconductors 2012 (IWN 2012), OD5-2, p.353, Sapporo, Japan, October 14-19, 2012.
  3. Y. Takagi, T. Otani, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “Luminescence site control of Mg codoped GaN:Eu by NH3-MBE”, International Workshop on Nitride semiconductors 2012 (IWN 2012), TuP-PR-37, Sapporo, Japan, October 14-19, 2012.
  4. N. Urakami, F. Fukami, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, "Growth of dilute BGaP alloys by molecular beam epitaxy", The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012), MoP-19, Nara Prefectural New Public Hall, Nara, Japan, September 23-28th.
  5. S. B. Shin, H. Okada, H. Sekiguchi, A. Wakahara, "Fabrication of Backside-Illuminated CMOS Compatible Photodiode for Optoelectronic Integrated Circuits", 2012 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS 2011 (SSDM 2012), PS-7-3, Kyoto International Conference Center, Kyoto, Japan, September 25-27th.
  6. H. Okada, K. Kumagai, T. Kawai, H. Sekiguchi, A. Wakahara, “Development of lattice-matched GaPN/AlGaPN DBR on Si”, IEEE Photonics -2012, ThW4, Burlingame, California, USA, September 23-27, 2012.
  7. Y. Nagamoto, K. Matsuoka, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “Electrical properties of S doped n-type GaPN by alternately N supplied organometallic vapor phase epitaxy”, 17th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS), Tu-1B.5, University of California, Santa Barbara, USA, August 27-30, 2012.
  8. H. Sekiguchi, T. Otani, Y. Takagi, H. Okada, A. Wakahara, “Optical characteristics of Europium and Magnesium codoped GaN LEDs grown by NH3-MBE”, 9th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices 2012 (ISSLED 2012), O2B3, TU Berlin, Berlin Germany, July 22nd - 27th, 2012.

国内会議

  1. 松村亮太、大谷龍輝、関口寛人、高木康文、岡田浩、若原昭浩、”Mg共添加GaN:Euを活性層としたLEDの発光出力向上”、第60回応用物理学会春季学術講演会、29p-G21-17、神奈川工科大学、神奈川、2013年3月.
  2. 浦上法之、伊藤宏成、関口寛人、岡田浩、若原昭浩、”高密度InGaAsN/GaP量子ドットの多積層化における中間層厚さの検討”、 第60回応用物理学会春季学術講演会、29a-PB-5、神奈川工科大学、神奈川、2013年3月.
  3. 浦上法之、伊藤宏成、関口寛人、岡田浩、若原昭浩、”GaAsN擬似混晶による量子井戸構造の形成”、 第60回応用物理学会春季学術講演会、29p-G20-17、神奈川工科大学、神奈川、2013年3月.
  4. 山野晃司,岸野克巳,関口寛人,若原昭浩、”トップダウン法ナノコラムテンプレート上へのGaNナノコラム成長”、 第60回応用物理学会春季学術講演会、28p-G21-8、神奈川工科大学、神奈川、2013年3月.
  5. 大谷龍輝、関口寛人、高木康文、岡田浩、若原昭浩、”Mg共添加GaN:Euを活性層とした赤色発光ダイオードの作製”、電気情報通信学会、EP/CPM/LQE研究会、LQE2012-108、大阪市立大学、大阪、2012年11月.
  6. 土山和晃、関口寛人、岡田浩、若原昭浩、”光電子集積回路に向けた窒化ガリウム128×128マイクロLEDの開発”、平成24年度電気関係学会東海支部連合大会、M2-8、豊橋技術科学大学、豊橋、愛知、2012年9月.
  7. 永本勇也、松岡勝彦、関口寛人、岡田浩、若原昭浩、”太陽電池に向けたN交互供給n-GaPN:S層の検討”、平成24年度電気関係学会東海支部連合大会、M2-8、豊橋技術科学大学、豊橋、愛知、2012年9月.
  8. 大谷龍輝、関口寛人、高木康文、岡田浩、若原昭浩、”NH3-MBE法によるMg共添加GaN:Euの発光サイト制御”、第73回応用物理学会学術講演会、12p-H10-2、愛媛・松山大学、愛媛、2012年9月.
  9. 浦上法之、深見太志、関口寛人、岡田浩、若原昭浩、”自己形成InGaAsN/GaP量子ドットの成長”、第73回応用物理学会学術講演会、12p-PB11-14、愛媛・松山大学、愛媛、2012年9月.
  10. 浦上法之、深見太志、関口寛人、岡田浩、若原昭浩、”Growth characterization of dilute BGaP alloys grown by molecular beam epitaxy”、第31回電子材料シンポジウム、We2-22、修善寺、静岡、2012年7月.
  11. 永本勇也、松岡勝彦、関口寛人、岡田浩、若原昭浩、”Improvement of electrical properties of S doped n-type GaPN by alternately N supplied method”、 第31回電子材料シンポジウム、We2-24、修善寺、静岡、2012年7月.
  12. 大谷龍輝、松村亮太、関口寛人、高木康文、岡田浩、若原昭浩、”Optical properties of Mg codoped GaN:Eu LED grown by NH3-MBE”、 第31回電子材料シンポジウム、We2-24、修善寺、静岡、2012年7月.

2011年度

学術論文

  1. Y. Takagi, T. Suwa, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “Effect of Mg codoping on Eu3+ luminescence in GaN grown by ammonia molecular beam epitaxy”, Applied Physics Letter 99 (2011) 171905.
  2. J.-H. Park, A. Wakahara, H. Okada, H. Sekiguchi, A. Tiwari, Y.-T. Kim, J. Song, J.-H. Lee, J. Jhin, “Effect of Growth Mode on Eu-Incorporation and Luminescence of Eu-Doped GaN Epitaxial Film Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam epitaxy”, Japanese Journal of Applied Physics 50 (2011) 031003.

国際会議

  1. C. Y. Lee, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “Effect of Pre-Plasma-Induced Damages on Au/n-GaN Schottky barrier diodes characteristics”, 33rd International Symposium on Dry Process, P1-11, Kyoto Garden Palace, Kyoto, Japan, November 10-11, 2011.
  2. K. Kumagai, T. Kawai, K. Yamane, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “Molecular beam epitaxy of AlGaPN alloys for optical confinement structure of monolithic optoelectronic integrated circuits on Si substrate”, 2011 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS 2011 (SSDM 2011), P-8-16, Aichi Industry & Labor Center (WINC AICHI), Nagoya, Japan, September 28-30.
  3. C. Y. Lee, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “Investigation of Plasma-Induced Damages in GaN with different processing”, 2011 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS 2011 (SSDM 2011), P-6-8, Aichi Industry & Labor Center (WINC AICHI), Nagoya, Japan, September 28-30.
  4. A. Wakahara, H. Sekiguchi, H. Okada “Current status for light-emitting diode with Eu-doped GaN active layer”, E-MRS 2011 FALL MEETING, 2 1, Warsaw, Poland , September 19-23rd, 2011. (invited)
  5. H. Okada, T. Suwa, Y. Takagi, H. Sekiguchi, A. Wakahara, “Effect of Mg co-doping on Eu site in GaN by NH3-MBE”, 9th International Conference on Nitride Semiconductors, PB1.34, Scottish Exhibition and Conference Centre, Glasgow, UK, 10th ? 15th July 2011.
  6. C. Y. Lee, Y. Okada, K. Koyasu, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “Effect of Plasma Condition on Damage Formation in GaN during ICP-RIE process”, 5th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors, Mo-P68 Ise-Shima National Park, Toba, Mie, Japan, May 22-26, 2011.
  7. T. Suwa, Y. Takagi, H. Sekiguchi, H. Okada, A. Wakahara, “Effect of Nitrogen Source on Doping Properties of GaN:Eu Grown by MBE”, 3rd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials, P1-028B, Nagoya Institute of Technology, Aichi, Japan, March 6-8th, 2011.

国内会議

  1. 関口寛人、大谷龍輝、高木康文、岡田浩、若原昭浩、”Mg共添加によるGaN:Euの発光特性向上のメカニズム”、第59回応用物理学関係連合講演会、17a-F12-11、早稲田大学、東京、2012年3月.
  2. 大谷龍輝、松村亮太、関口寛人、高木康文、岡田浩、若原昭浩、”NH3-MBE法によるGaN:Eu LEDの発光特性”、第59回応用物理学関係連合講演会、17a-F12-10、早稲田大学、東京、2012年3月.
  3. 熊谷啓介、伊藤宏成、関口寛人、岡田浩、若原昭浩、”固体源MBE成長したn型及びp型AlGaPN混晶の電気特性”、第59回応用物理学関係連合講演会、17a-A8-5、早稲田大学、東京、2012年3月.
  4. 近藤正樹、岡田浩、関口寛人、若原昭浩、佐藤真一郎、大島武、”希土類添加III族窒化物半導体を用いた三端子型発光デバイスの作製(4)”、第59回応用物理学関係連合講演会、16a-DP1-30、早稲田大学、東京、2012年3月.
  5. 大谷龍輝、関口寛人、高木康文、岡田浩、若原昭浩、” Mg共添加GaN:Euの発光特性評価”、応用物理学会結晶工学分科会2011年年末講演会、東京、2011年12月
  6. 関口寛人、高木康文、大谷龍輝、岡田浩、若原昭浩、“GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響”、 電子情報通信学会、ED/CPM/LQE研究会、ED2011-91、京都、2011年11月
  7. 関口寛人、高木康文、岡田浩、若原昭浩、” NH3-MBE法によるEu添加GaNへのMgドーピング効果”、 第72回応用物理学会学術講演会、30a-ZA-14、山形、2011年8月
  8. 浦上法之、若原昭浩、関口寛人、岡田浩、” BGaPの成長様式に関する検討”、 第72回応用物理学会学術講演会、30a-ZA-14、山形、2011年8月
Last-modified: 2016-12-30 (金) 11:24:55 (329d)